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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BCX599 | - | ![]() | 7364 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BCX599 | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SBCP56T3G | 0.4200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SBCP56 | 1.5 w | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 130MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2N7000-D26Z | 0.4100 | ![]() | 442 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N7000 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 200MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 400MW (TA) | |||||||||||||
![]() | FDD8586 | - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD858 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2480 pf @ 10 v | - | 77W (TC) | |||||||||||||
2SC4486T-An | - | ![]() | 9626 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | SC-71 | 2SC4486 | 3-nmp | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | KSC2690AYSTU | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | KSC2690 | 1.2 w | TO-126-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-KSC2690AYSTU | 귀 99 | 8541.29.0075 | 60 | 160 v | 1.2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 700mv @ 200ma, 1a | 160 @ 300ma, 5V | 155MHz | |||||||||||||||
![]() | FCH041N60F-F085 | 14.4700 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH041 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 76A (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5V @ 250µA | 347 NC @ 10 v | ± 20V | 10900 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||||||||
![]() | NTD24N06LT4G | 1.6400 | ![]() | 5168 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD24 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 24A (TA) | 5V | 45mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 32 NC @ 5 v | ± 15V | 1140 pf @ 25 v | - | 1.36W (TA), 62.5W (TJ) | ||||||||||||
![]() | KSA733CYTA | - | ![]() | 5340 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 1ma, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||
![]() | MUN5236DW1T1 | - | ![]() | 8117 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | mun52 | 250MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V | - | 100kohms | 100kohms | |||||||||||||||
![]() | NVD5117PLT4G-VF01 | 3.0100 | ![]() | 3805 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD5117 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 11A (TA), 61A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 29a, 10V | 2.5V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 4.1W (TA), 118W (TC) | ||||||||||||
![]() | MUN2136T1G | 0.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2136 | 230MW | SC-59 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V | 100 KOHMS | 100 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | mtaj30n06elfk | 1.8500 | ![]() | 396 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6321-TL-W | - | ![]() | 6194 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MCH63 | MOSFET (금속 (() | 6mcph | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 83mohm @ 2a, 4.5v | - | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 10V | 375 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
FDD9410L-F085 | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD9410 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50a, 10V | 3V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1960 pf @ 20 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||
![]() | fjv42mtf | 0.3700 | ![]() | 471 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | fjv42 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 350 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | CPH6443-P-TL-H | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | CPH644 | - | 6-CPH | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 6A (TJ) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | FDS6162N7 | - | ![]() | 3870 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | FDS61 | MOSFET (금속 (() | 8- flmp | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 23A (TA) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 23a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 73 NC @ 4.5 v | ± 12V | 5521 pf @ 10 v | - | 3W (TA) | |||||||||||||
![]() | MCH6444-TL-W | - | ![]() | 1678 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MCH64 | MOSFET (금속 (() | SC-88FL/MCPH6 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 35 v | 2.5A (TA) | 4V, 10V | 98mohm @ 1.5a, 10V | 2.6v @ 1ma | 4 NC @ 10 v | ± 20V | 186 pf @ 20 v | - | 800MW (TA) | |||||||||||||
![]() | hufa76619d3st | - | ![]() | 5822 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | hufa76 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 16V | 767 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||
![]() | FQP2NA90 | - | ![]() | 2252 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP2 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 2.8A (TC) | 10V | 5.8ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||||||||||
![]() | fjns4202rbu | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 | fjns42 | 300MW | 92S | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | 2N6725 | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-237AA | 2N6725 | 1 W. | TO-237 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 50 v | 1 a | - | npn-달링턴 | 1.5V @ 2MA, 1A | 4000 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | FCH041N60E | 13.2800 | ![]() | 198 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH041 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 77A (TC) | 10V | 41mohm @ 39a, 10V | 3.5V @ 250µA | 380 nc @ 10 v | ± 20V | 13700 pf @ 100 v | - | 592W (TC) | ||||||||||||
![]() | KSB834Y | - | ![]() | 4148 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | KSB834 | 1.5 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | 60 v | 3 a | 100µA (ICBO) | PNP | 1V @ 300MA, 3A | 100 @ 500ma, 5V | 9MHz | |||||||||||||||||
![]() | NTTFS4941NTWG | - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS4941 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA), 46A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1619 pf @ 15 v | - | 840MW (TA), 25.5W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDMS86581-F085 | - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 881 pf @ 30 v | - | 50W (TJ) | ||||||||||||
![]() | fjp5027otu | 1.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | fjp5027 | 50 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 800 v | 3 a | 10µA (ICBO) | NPN | 2V @ 300MA, 1.5A | 20 @ 200ma, 5V | 15MHz | ||||||||||||||||
![]() | MJD2955G | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MJD2955 | 1.75 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | 60 v | 10 a | 50µA | PNP | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4a, 4v | 2MHz | ||||||||||||||||
![]() | NTD4863NAT4G | - | ![]() | 2225 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD48 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 9.2A (TA), 49A (TC) | 9.3mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 13.5 nc @ 4.5 v | 990 pf @ 12 v | - | 1.27W (TA), 36.6W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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