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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on)
FQP3P50 onsemi FQP3P50 1.6900
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 500 v 2.7A (TC) 10V 4.9ohm @ 1.35a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 660 pf @ 25 v - 85W (TC)
J105_D27Z onsemi J105_D27Z -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J105 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 500 ma @ 15 v 4.5 V @ 1 µA 3 옴
J106 onsemi J106 -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) J106 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 - 25 v 200 ma @ 15 v 2 V @ 1 µA 6 옴
J105_D74Z onsemi J105_D74Z -
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J105 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 500 ma @ 15 v 4.5 V @ 1 µA 3 옴
FQU13N06LTU onsemi fqu13n06ltu 0.9000
RFQ
 ECAD 877 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FQU13N06 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 60 v 11A (TC) 5V, 10V 115mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 6.4 NC @ 5 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQI7N10TU onsemi fqi7n10tu -
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI7 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 7.3A (TC) 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 40W (TC)
FQP1P50 onsemi FQP1P50 -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 500 v 1.5A (TC) 10V 10.5ohm @ 750ma, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 63W (TC)
FQPF9N25 onsemi FQPF9N25 -
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF9 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 6.7A (TC) 10V 420mohm @ 3.35a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 45W (TC)
HUFA76619D3ST onsemi hufa76619d3st -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQP9N50C onsemi FQP9N50C -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 135W (TC)
FQPF5N50C onsemi FQPF5N50C -
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 38W (TC)
HUFA76609D3S onsemi HUFA76609D3S -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 100 v 10A (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 16V 425 pf @ 25 v - 49W (TC)
FQB12P10TM onsemi FQB12P10TM -
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.75a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 75W (TC)
FQB5N30TM onsemi FQB5N30TM -
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB5 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 300 v 5.4A (TC) 10V 900mohm @ 2.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 70W (TC)
HUF75321D3S onsemi HUF75321D3S -
RFQ
 ECAD 1097 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 HUF75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
FQPF17P06 onsemi FQPF17P06 -
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 120mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 25V 900 pf @ 25 v - 39W (TC)
FQD7N30TF onsemi FQD7N30TF -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 300 v 5.5A (TC) 10V 700mohm @ 2.75a, 10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 610 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDZ298N onsemi FDZ298N -
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-WFBGA FDZ29 MOSFET (금속 (() 9-BGA (1.5x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 27mohm @ 6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 680 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
FQPF5N60 onsemi FQPF5N60 -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2.8A (TC) 10V 2ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 730 pf @ 25 v - 40W (TC)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
FQA44N08 onsemi FQA44N08 -
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA4 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 80 v 49.8A (TC) 10V 34mohm @ 24.9a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1430 pf @ 25 v - 163W (TC)
FQP7N60 onsemi FQP7N60 -
RFQ
 ECAD 1285 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.4A (TC) 10V 1ohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1430 pf @ 25 v - 142W (TC)
HUFA75337P3 onsemi hufa75337p3 -
RFQ
 ECAD 7744 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 20 v ± 20V 1775 pf @ 25 v - 175W (TC)
HUF75652G3 onsemi HUF75652G3 10.2100
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 HUF75652 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 475 NC @ 20 v ± 20V 7585 pf @ 25 v - 515W (TC)
FQAF17P10 onsemi FQAF17P10 -
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FQAF1 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 12.4A (TC) 10V 190mohm @ 6.2a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 56W (TC)
FDZ2553N onsemi FDZ2553N -
RFQ
 ECAD 4681 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-WFBGA FDZ25 MOSFET (금속 (() 2.1W 18-BGA (2.5x4) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1299pf @ 10V 논리 논리 게이트
FQI19N20TU onsemi FQI19N20TU -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI1 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 19.4A (TC) 10V 150mohm @ 9.7a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 140W (TC)
FQPF65N06 onsemi FQPF65N06 -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF65 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 40A (TC) 10V 16MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 2410 pf @ 25 v - 56W (TC)
HGT1N30N60A4D onsemi HGT1N30N60A4D -
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 HGT1N30 255 w 기준 SOT-227B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 하나의 - 600 v 96 a 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 아니요
FMS7G20US60S onsemi FMS7G20US60S -
RFQ
 ECAD 5394 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa FMS7 89 w 단상 단상 정류기 오후 25 a aa 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 예 1.277 NF @ 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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