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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FDPF7N50 onsemi FDPF7N50 -
RFQ
ECAD 2177 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF7 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 7A (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 30V 940 pf @ 25 v - 39W (TC)
FDH047AN08A0 onsemi FDH047AN08A0 6.5200
RFQ
ECAD 4436 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FDH047 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 75 v 15A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
KSA1281YTA onsemi KSA1281YTA 0.4300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSA1281 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 120 @ 500ma, 2V 100MHz
J106 onsemi J106 -
RFQ
ECAD 9334 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) J106 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 - 25 v 200 ma @ 15 v 2 V @ 1 µA 6 옴
2SD734F onsemi 2SD734F 0.1400
RFQ
ECAD 39 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600MW 3-NP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SD734F 귀 99 8541.21.0075 2,219 20 v 700 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 500ma 160 @ 50MA, 2V 250MHz
KSD73O onsemi KSD73O -
RFQ
ECAD 8217 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSD73 30 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,200 60 v 5 a 5MA (ICBO) NPN 2V @ 500MA, 5A 70 @ 1a, 10V 20MHz
NTMFS4982NFT1G onsemi NTMFS4982NFT1G -
RFQ
ECAD 3145 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4982 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 26.5A (TA), 207A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 84 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
NTMFS5C442NLTT1G onsemi NTMFS5C442NLTT1G 1.7066
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 28A (TA), 130A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
KSA1298PYWD onsemi KSA1298PYWD -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSA1298 200 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 20ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 120MHz
NSBC114YPDXV6T5 onsemi NSBC114YPDXV6T5 0.0600
RFQ
ECAD 176 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000
2SK4198FS onsemi 2SK4198FS -
RFQ
ECAD 9241 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2SK4198 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2.34ohm @ 2.5a, 10V - 14.3 NC @ 10 v ± 30V 360 pf @ 30 v - 2W (TA), 30W (TC)
NVMFS5C628NT1G onsemi NVMFS5C628NT1G 3.0400
RFQ
ECAD 8707 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvmfs5c628nt1gtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 28A (TA), 150A (TC) 10V 3MOHM @ 27A, 10V 4V @ 135µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2630 pf @ 30 v - 3.7W (TA), 110W (TC)
NVMTS1D6N10MCTXG onsemi nvmts1d6n10mctxg 6.9800
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 36A (TA), 273A (TC) 10V 1.7mohm @ 90a, 10V 4V @ 650µA 106 NC @ 10 v ± 20V 7630 pf @ 50 v - 5W (TA), 291W (TC)
NTP4302G onsemi NTP4302G -
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP430 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 74A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 37a, 10V 3V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 20V 2400 pf @ 24 v - 80W (TC)
2SB1700 onsemi 2SB1700 -
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,054
FQPF85N06 onsemi FQPF85N06 3.1100
RFQ
ECAD 250 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF85 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 53A (TC) 10V 10mohm @ 26.5a, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 25V 4120 pf @ 25 v - 62W (TC)
NDPL180N10BG onsemi NDPL180N10BG -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NDPL18 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TA) 10V, 15V 3MOHM @ 15V, 50A 4V @ 1MA 95 NC @ 10 v ± 20V 6950 pf @ 50 v - 2.1W (TA), 200W (TC)
2N5401YTA onsemi 2N5401YTA 0.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5401 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 MA - PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 400MHz
NSVBCH817-40LT1G onsemi NSVBCH817-40LT1G 0.0572
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
NTMFS5C410NLTT1G onsemi NTMFS5C410NLTT1G 5.6800
RFQ
ECAD 999 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA), 330A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 20V 8862 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
NSVMUN5113DW1T3G onsemi NSVMUN5113DW1T3G 0.0931
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5113 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 1v - 47kohms 47kohms
NTMFS4847NAT1G onsemi NTMFS4847NAT1G -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 11.5A (TA), 85A (TC) 4.5V, 11.5V 4.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 16V 2614 pf @ 12 v - 880MW (TA), 48.4W (TC)
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0.1400
RFQ
ECAD 524 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD65 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 65A (TC) 8.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v 1400 pf @ 20 v -
EFC2J022NUZTCG onsemi EFC2J022NUZTCG -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 EFC2J022 - - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 5,000 -
2SA2039-TL-E onsemi 2SA2039-TL-E 1.0500
RFQ
ECAD 70 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SA2039 800MW TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 700 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 430mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 2v 360MHz
2SK4097LS onsemi 2SK4097LS 1.7200
RFQ
ECAD 334 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FI (LS) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 500 v 8.3A (TC) 650mohm @ 5a, 10V - 30 nc @ 10 v 750 pf @ 30 v - 2W (TA), 35W (TC)
PN2222TA onsemi PN2222TA 0.4500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN2222 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10MV 300MHz
BC550C onsemi BC550C -
RFQ
ECAD 9570 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC550 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BC550COS 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
MPS651RLRM onsemi MPS651RLRM 0.0900
RFQ
ECAD 308 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 MPS651 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
FDU6N50TU onsemi fdu6n50tu -
RFQ
ECAD 4389 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FDU6 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 500 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 30V 940 pf @ 25 v - 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고