| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDR8308P | - | ![]() | 3019 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-LSOP(0.130", 3.30mm 너비) | FDR83 | MOSFET(금속) | 800mW | SuperSOT™-8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 3.2A | 50mΩ @ 3.2A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 19nC @ 4.5V | 1240pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TE02555T | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF11N90 | - | ![]() | 5265 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | FQAF1 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 900V | 7.2A(Tc) | 10V | 960m옴 @ 3.6A, 10V | 5V @ 250μA | 94nC @ 10V | ±30V | 3500pF @ 25V | - | 120W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2010-CTV-YA14 | 0.7600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6030BL | - | ![]() | 7174 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | FDP60 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 18m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 17nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1160pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJAF6916TU | - | ![]() | 4601 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | FJAF6916 | 60W | TO-3PF | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 800V | 16A | 1mA | NPN | 3V @ 2.5A, 10A | 6 @ 8.5A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8958 | - | ![]() | 2817 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | NDS895 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 30V | 5.3A, 4A | 35m옴 @ 5.3A, 10V | 2.8V @ 250μA | 30nC @ 10V | 720pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMMBT2907ALT3G | 0.2800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SMMBT2907 | 300mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60V | 600mA | 10nA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZM3T5G | 0.3300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | DTA143 | 260mW | SOT-723 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 300μA, 10mA에서 250mV | 80 @ 5mA, 10V | 4.7kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3314-TL-H | 0.1000 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4805NT4G | - | ![]() | 6312 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | NTD4805 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 12.7A(Ta), 95A(Tc) | 4.5V, 11.5V | 5m옴 @ 30A, 10V | 2.5V @ 250μA | 48nC @ 11.5V | ±20V | 2865pF @ 12V | - | 1.41W(Ta), 79W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NGTB40N60L2WG | 6.0800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | NGTB40 | 기준 | 417W | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10옴, 15V | 73ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 80A | 160A | 2.61V @ 15V, 40A | 1.17mJ(켜짐), 280μJ(꺼짐) | 228nC | 98ns/213ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2039-H | 0.8300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 2SA2039 | 800mW | TP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 50V | 5A | 1μA(ICBO) | PNP | 430mV @ 100mA, 2A | 200 @ 500mA, 2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5310-5-TB-E | 0.2000 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2369A_D27Z | - | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PN236 | 350mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 15V | 200mA | 400nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 10mA, 100mA | 40 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3487-TD-E | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF11N65_G | - | ![]() | 8092 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | FCPF11 | - | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB55N06TM | - | ![]() | 9461 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB5 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 55A(Tc) | 10V | 20m옴 @ 27.5A, 10V | 4V @ 250μA | 46nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1690pF | - | 3.75W(Ta), 133W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS5C442NT3G | 3.0900 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerTDFN, 5리드 | NTMFS5 | MOSFET(금속) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 29A(Ta), 140A(Tc) | 10V | 2.3m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 32nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - | 3.7W(Ta), 83W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTHL185N60S5H | 3.3784 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | 온세미 | SuperFET® III | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-NTHL185N60S5H | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 15A(Tc) | 10V | 185m옴 @ 7.5A, 10V | 4.3V @ 1.4mA | 25nC @ 10V | ±30V | 400V에서 1350pF | - | 116W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4256 | 1.0400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8015L | 1.0700 | ![]() | 385 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDMC8015 | MOSFET(금속) | 8-MLP(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 7A(Ta), 18A(Tc) | 4.5V, 10V | 26m옴 @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±20V | 20V에서 945pF | - | 2.3W(Ta), 24W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDWS9420-F085 | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDWS9 | MOSFET(금속) | 75W | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 20A(TC) | 5.8m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 43nC @ 10V | 2100pF @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N303AP3 | - | ![]() | 6692 | 0.00000000 | 온세미 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | ISL9 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.2m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 172nC @ 10V | ±20V | 15V에서 7000pF | - | 215W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NVMYS1D3N04CTWG | 3.7200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-1023, 4-LFPAK | NVMYS1 | MOSFET(금속) | LFPAK4(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 43A(Ta), 252A(Tc) | 10V | 1.15m옴 @ 50A, 10V | 180μA에서 3.5V | 75nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4855pF | - | 3.9W(Ta), 134W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6341-M-TL-E | - | ![]() | 7511 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | SOT-23-6 | CPH6341 | - | 6-CPH | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 5A(티제이) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMYS6D2N06CLTWG | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-1023, 4-LFPAK | NVMYS6 | MOSFET(금속) | LFPAK4(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 17A(Ta), 71A(Tc) | 6.1m옴 @ 35A, 10V | 2V @ 53μA | 20nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1400pF | - | 3.6W(Ta), 61W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ661-DL-E | - | ![]() | 2531 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 2SJ661 | MOSFET(금속) | SMP-FD | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 60V | 38A(타) | 4V, 10V | 39m옴 @ 19A, 10V | 2.6V @ 1mA | 80nC @ 10V | ±20V | 20V에서 4360pF | - | 1.65W(Ta), 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ3N513ZT | - | ![]() | 6431 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | 4-UFBGA, WLCSP | FDZ3N | MOSFET(금속) | 4-WLCSP(0.96x0.96) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 1.1A(타) | 3.2V, 4.5V | 462m옴 @ 300mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 1nC @ 4.5V | +5.5V, -0.3V | 15V에서 85pF | 쇼트키 다이오드(본체) | 1W(타) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FGD3040G2-SN00401V | - | ![]() | 3958 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | FGD3040 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-FGD3040G2-SN00401V | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 |

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