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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NTB6411ANG onsemi ntb6411ang -
RFQ
 ECAD 5041 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB64 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 77A (TC) 10V 14mohm @ 72a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 217W (TC)
FQA7N80_F109 onsemi FQA7N80_F109 -
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA7 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 7.2A (TC) 10V 1.5ohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 25 v - 198W (TC)
NDD02N40-1G onsemi NDD02N40-1g -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD02 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 5.5ohm @ 220ma, 10V 2V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 121 pf @ 25 v - 39W (TC)
NGTB35N65FL2WG onsemi ngtb35n65fl2wg 4.9900
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB35 기준 300 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 35A, 10ohm, 15V 68 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 70 a 120 a 2V @ 15V, 35A 840µJ (on), 280µJ (OFF) 125 NC 72ns/132ns
FGPF45N45TTU onsemi fgpf45n45ttu -
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF4 기준 51.6 w TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 도랑 450 v 180 a 1.5V @ 15V, 20A - 100 NC -
NSS35200CF8TIG onsemi NSS35200CF8TIG 1.0000
RFQ
 ECAD 6223 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 635 MW Chipfet ™ - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 35 v 2 a 100NA PNP 300mv @ 20ma, 2a 100 @ 1.5a, 2v 100MHz
MSC3130T1 onsemi MSC3130T1 0.0200
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 2156-MSC3130T1 귀 99 8541.21.0075 3,000
BCP53-10T1 onsemi BCP53-10T1 0.2600
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP53 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1.5 a - PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 50MHz
NTD5865NL-1G onsemi NTD5865NL-1g -
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD58 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 46A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 71W (TC)
NGTB20N120IHTG onsemi ngtb20n120ihtg 4.2251
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 온세미 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 NGTB20 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
MUN2231T1G onsemi MUN2231T1G 0.0257
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MUN2231 338 MW SC-59 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 5ma, 10ma 8 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
NTMFS4921NT1G onsemi NTMFS4921NT1G -
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 8.8A (TA), 58.5A (TC) 4.5V, 11.5V 6.95mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 11.5 v ± 20V 1400 pf @ 12 v - 870MW (TA), 38.5W (TC)
FQD3P20TM onsemi FQD3P20TM -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 200 v 2.4A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
BMS4003 onsemi BMS4003 -
RFQ
 ECAD 5594 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 BMS40 MOSFET (금속 (() TO-220ML 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 18A (TA) 10V 65mohm @ 9a, 10V 5V @ 1MA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 680 pf @ 20 v - 2W (TA), 25W (TC)
MMUN2135LT1G onsemi MMUN2135LT1G 0.1300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMUN2135 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
NTD4809NHT4G onsemi NTD4809NHT4G -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.6A (TA), 58A (TC) 4.5V, 11.5V 9MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 2155 pf @ 12 v - 1.3W (TA), 52W (TC)
FCPF16N60 onsemi FCPF16N60 4.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF16 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-FCPF16N60 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2250 pf @ 25 v - 37.9W (TC)
MJW21191G onsemi MJW21191G -
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MJW21 125 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 150 v 8 a 10µA PNP 2V @ 1.6A, 8A 15 @ 4a, 2v 4MHz
NTLUS3A40PZCTAG onsemi ntlus3a40pzctag -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 ntlus3a MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 29mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 8V 2600 pf @ 15 v - 700MW (TA)
NGTB75N65FL2WG onsemi NGTB75N65FL2WG 7.5900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB75 기준 595 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10ohm, 15V 80 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 100 a 200a 2V @ 15V, 75A 1.5mj (on), 1mj (Off) 310 NC 110ns/270ns
NTMFS4C56NT3G onsemi ntmfs4c56nt3g -
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - - - - - -
HUF76609D3S onsemi HUF76609D3S -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 huf76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 100 v 10A (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 16V 425 pf @ 25 v - 49W (TC)
FDD9411L-F085 onsemi FDD9411L-F085 -
RFQ
 ECAD 8849 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD9411 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 25A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1210 pf @ 20 v - 48.4W (TJ)
IRF730 onsemi IRF730 1.1400
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
HUFA75829D3ST onsemi hufa75829d3st -
RFQ
 ECAD 2241 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 70 NC @ 20 v ± 20V 1080 pf @ 25 v - 110W (TC)
FGPF50N33BTTU onsemi FGPF50N33BTTU -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF5 기준 43 W. TO-220F-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 도랑 330 v 50 a 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 35 NC -
KSC3074OTU onsemi KSC3074otu -
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA KSC3074 1 W. i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,040 50 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 150ma, 3a 70 @ 1a, 1v 120MHz
FCD380N60E onsemi FCD380N60E 2.4600
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 온세미 Superfet® II 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD380 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 106W (TC)
FDB390N15A onsemi FDB390N15A 2.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB390 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 27A (TC) 10V 39mohm @ 27a, 10V 4V @ 250µA 18.6 NC @ 10 v ± 20V 1285 pf @ 75 v - 75W (TC)
NTD4815NT4G onsemi NTD4815NT4G -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 11.5V 15mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 6.6 NC @ 4.5 v ± 20V 770 pf @ 12 v - 1.26W (TA), 32.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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