SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
FDD4141-F085 onsemi FDD4141-F085 -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD4141 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 10.8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 12.3mohm @ 12.7a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2775 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 69W (TC)
FQD7P06TM_F080 onsemi FQD7P06TM_F080 -
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 5.4A (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQPF3N90_NL onsemi FQPF3N90_NL -
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 2.1A (TC) 10V 4.25ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFS644B_FP001 onsemi IRFS644B_FP001 -
RFQ
 ECAD 5541 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IRFS6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFU220BTU_F080 onsemi IRFU220BTU_F080 -
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU2 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 200 v 4.6A (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 30V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 40W (TC)
SFR9034TF onsemi SFR9034TF -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SFR903 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 14A (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 25V 1155 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 49W (TC)
TLC530FTU onsemi tlc530ftu -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 TLC530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 330 v 7A (TA) - - - -
TLC530TU onsemi TLC530TU -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 TLC530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 330 v 7A (TA) - - - -
FDMS7578 onsemi FDMS7578 -
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS75 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 17A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1625 pf @ 13 v - 2.5W (TA), 33W (TC)
FDMS7580 onsemi FDMS7580 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS75 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 15A (TA), 29A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 13 v - 2.5W (TA), 27W (TC)
FDS4675-F085 onsemi FDS4675-F085 -
RFQ
 ECAD 9539 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS46 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 11A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 4.5 v ± 20V 4350 pf @ 20 v - 2.4W (TA)
FDS9431A-F085 onsemi FDS9431A-F085 -
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS94 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FDZ375P onsemi FDZ375P 2.9200
RFQ
 ECAD 532 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP FDZ37 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.5V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd 6.6800
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH60 기준 600 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 3ohm, 15V 39 ns 현장 현장 600 v 120 a 180 a 2.5V @ 15V, 60A 1.26mj (on), 450µJ (OFF) 189 NC 18ns/104ns
FDD86326 onsemi FDD86326 2.1800
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD863 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 8A (TA), 37A (TC) 6V, 10V 23mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1035 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 62W (TC)
NTMFS4899NFT1G onsemi NTMFS4899NFT1G -
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4899 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 10.4A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 12 v - 920MW (TA), 48W (TC)
NDF04N62ZG onsemi NDF04N62ZG -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDF04 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 4.4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 50µA 19 NC @ 10 v ± 30V 535 pf @ 25 v - 28W (TC)
NTD4854NT4G onsemi NTD4854NT4G -
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 15.7A (TA), 128A (TC) 4.5V, 10V 3.6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 49.2 NC @ 4.5 v ± 20V 4600 pf @ 12 v - 1.43W (TA), 93.75W (TC)
NTMFS4835NT1G onsemi NTMFS4835nt1g -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4835 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 13A (TA), 130A (TC) 4.5V, 11.5V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 11.5 v ± 20V 3100 pf @ 12 v - 890MW (TA), 62.5W (TC)
FDD3860 onsemi FDD3860 1.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD386 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.2A (TA) 10V 36mohm @ 5.9a, 10V 4.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1740 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 69W (TC)
FQH8N100C onsemi FQH8N100C 5.5900
RFQ
 ECAD 8735 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FQH8N100 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 8A (TC) 10V 1.45ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 3220 pf @ 25 v - 225W (TC)
FDI025N06 onsemi FDI025N06 -
RFQ
 ECAD 3143 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FDI025 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 265A (TC) 10V 2.5mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 226 NC @ 10 v ± 20V 14885 pf @ 25 v - 395W (TC)
NVD5803NT4G onsemi NVD5803NT4G -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD580 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 85A (TC) 5V, 10V 5.7mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 25 v - 83W (TC)
NVTP2955G onsemi NVTP2955G -
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - NVTP29 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - -
FQA28N50_F109 onsemi FQA28N50_F109 -
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 28.4A (TC) 10V 160mohm @ 14.2a, 10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 5600 pf @ 25 v - 310W (TC)
FQD6N60CTM-WS onsemi fqd6n60ctm-ws -
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6N60 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 80W (TC)
NTMFS4926NT1G onsemi NTMFS4926nt1g 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4926 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 17.3 NC @ 10 v ± 20V 1004 pf @ 15 v - 920MW (TA), 21.6W (TC)
FDN8601 onsemi FDN8601 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN860 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.7A (TA) 6V, 10V 109mohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 50 v - 1.5W (TA)
FDT86106LZ onsemi FDT86106LZ 1.4400
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FDT86106 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 108mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 315 pf @ 50 v - 2.2W (TA)
FQD8P10TM-F085 onsemi FQD8P10TM-F085 1.4100
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD8P10 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 6.6A (TC) 10V 530mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 470 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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