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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 전류 전류 (ID) - 최대 |
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![]() | NTMFS4937NT3G | - | ![]() | 6155 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4937 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 10.2A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 2516 pf @ 15 v | - | 920MW (TA), 43W (TC) | |||||||||||||||||
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![]() | SJ6522AG | 2.5400 | ![]() | 801 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6311-TL-E | 0.1800 | ![]() | 141 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5A (TA) | 42mohm @ 3a, 4.5v | - | 31 NC @ 10 v | 1230 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RFD8P05SM | - | ![]() | 3720 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RFD8P | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 8A (TC) | 300mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 20 v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | STD3155L104T4G | - | ![]() | 4202 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | STD31 | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSC945OTA | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSC945 | 250 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10ma, 100ma | 70 @ 1ma, 6V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
FJZ594JBTF | - | ![]() | 5568 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-623F | FJZ594 | 100MW | SOT-623F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 150 µa @ 5 v | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P102 | - | ![]() | 8701 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDFS2 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 3.3A (TA) | 4.5V, 10V | 125mohm @ 3.3a, 10V | 2V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | BC848CDXV6T5 | - | ![]() | 2684 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | BC848 | 500MW | SOT-563 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (() | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||
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![]() | 2N5401ZL1 | - | ![]() | 8603 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | 2N5401 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 150 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FJAFS1720TU | - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | 온세미 | ESBC ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FJAFS172 | 60 W. | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 v | 12 a | 100µA | NPN | 250MV @ 3.33A, 10A | 8.5 @ 11a, 5V | 15MHz | ||||||||||||||||||||||
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![]() | SPS9607RLRM | 0.0200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J111_D27Z | - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | J111 | 625 MW | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | - | 35 v | 20 ma @ 15 v | 3 V @ 1 µA | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||
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![]() | NTMFS5C410NLTT3G | - | ![]() | 3870 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 50A (TA), 330A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 143 NC @ 10 v | ± 20V | 8862 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | 2N5550RLRA | - | ![]() | 9579 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | 2N5550 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 140 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FDM606P | - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 노출 패드 패드 | FDM606 | MOSFET (금속 (() | 8mlp,, 펫 (3x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 6.8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 30mohm @ 6.8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 8V | 2200 pf @ 10 v | - | 1.92W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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