SIC
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트랜지스터(17799)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TIG067SS-TL-2W onsemi TIG067SS-TL-2W -
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 ECAD 6982 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) TIG067 기준 1.2W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 - - 400V 150A 5V @ 4V, 150A - -
TN2219A_D26Z onsemi TN2219A_D26Z -
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 ECAD 8779 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) TN2219 1W TO-226 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 40V 1A 10nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
2N5486G onsemi 2N5486G -
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 ECAD 9199 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 25V 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2N5486 - JFET TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2N5486GOS EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30mA - - -
FDMS86263P-23507X onsemi FDMS86263P-23507X -
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 ECAD 5939 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-FDMS86263P-23507XTR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 150V 4.4A(Ta), 22A(Tc) 6V, 10V 53m옴 @ 4.4A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±25V 75V에서 3905pF - 2.5W(Ta), 104W(Tc)
KSC945OBU onsemi KSC945OBU -
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 ECAD 3057 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC945 250mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 100mA 70 @ 1mA, 6V 300MHz
FQN1N60CBU onsemi FQN1N60CBU -
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 ECAD 7756 0.00000000 온세미 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FQN1 MOSFET(금속) TO-92-3 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 300mA(Tc) 10V 11.5옴 @ 150mA, 10V 4V @ 250μA 6.2nC @ 10V ±30V 25V에서 170pF - 1W(Ta), 3W(Tc)
NVTFS6H888NWFTAG onsemi NVTFS6H888NWFTAG 0.2953
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 ECAD 8884 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NVTFS6 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 80V 4.7A(Ta), 12A(Tc) 10V 55m옴 @ 5A, 10V 4V @ 15μA 4.7nC @ 10V ±20V 40V에서 220pF - 2.9W(Ta), 18W(Tc)
KSP8599BU onsemi KSP8599BU -
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 ECAD 9723 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSP85 625mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 500mA 100nA PNP 400mV @ 5mA, 100mA 100 @ 1mA, 5V 150MHz
FDD8647L onsemi FDD8647L 1.4300
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 ECAD 20 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FDD8647 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 14A(Ta), 42A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 13A, 10V 3V @ 250μA 28nC @ 10V ±20V 20V에서 1640pF - 3.1W(Ta), 43W(Tc)
EFC4627R-TR onsemi EFC4627R-TR 0.4300
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 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 4-SMD, 무연 EFC4627 MOSFET(금속) 1.4W 4-EFCP(1.01x1.01) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 8,000 2 N채널(이중) 시작 - - - - 13.4nC @ 4.5V - 레벨 레벨 컨트롤러, 2.5V 드라이브
NTL4502NT1 onsemi NTL4502NT1 -
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 ECAD 6161 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 16-PowerQFN NTL450 MOSFET(금속) 1.7W 16-QFN-FBIP(10.5x10.5) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 4 N채널(하프브리지) 24V 11.4A 11m옴 @ 15A, 10V 2V @ 250μA 13nC @ 4.5V 1605pF @ 20V 게임 레벨 레벨
NVMFS5C442NT1G onsemi NVMFS5C442NT1G -
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 ECAD 6431 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 140A(Tc) 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 32nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V - 3.7W(Ta), 83W(Tc)
FDMC86520L onsemi FDMC86520L 2.4200
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 ECAD 14 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDMC86520 MOSFET(금속) 8-MLP(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 13.5A(Ta), 22A(Tc) 4.5V, 10V 7.9m옴 @ 13.5A, 10V 3V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 30V에서 4550pF - 2.3W(Ta), 40W(Tc)
BC550C onsemi BC550C -
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 ECAD 9570 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 BC550 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. BC550COS EAR99 8541.21.0075 5,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 250MHz
FQAF58N08 onsemi FQAF58N08 -
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 ECAD 3017 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 FQAF5 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 80V 44A(Tc) 10V 24m옴 @ 22A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 10V ±25V 1900pF @ 25V - 85W(Tc)
FDZ206P onsemi FDZ206P -
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 ECAD 6780 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 30-WFBGA FDZ20 MOSFET(금속) 30-BGA(4x3.5) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 20V 13A(타) 2.5V, 4.5V 9.5m옴 @ 13A, 4.5V 250μA에서 1.5V 53nC @ 4.5V ±12V 10V에서 4280pF - 2.2W(타)
NVMFS6B14NWFT3G onsemi NVMFS6B14NWFT3G -
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 ECAD 7459 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS6 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 55A(Tc) 10V 15m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±16V 50V에서 1300pF - 3.8W(Ta), 94W(Tc)
NVTFS014P04M8LTAG onsemi NVTFS014P04M8LTAG 1.0500
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NVTFS014 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 P채널 40V 11.3A(Ta), 49A(Tc) 4.5V, 10V 13.8m옴 @ 15A, 10V 420μA에서 2.4V 26.5nC @ 10V ±20V 20V에서 1734pF - 3.2W(Ta), 61W(Tc)
FQB2N80TM onsemi FQB2N80TM -
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 ECAD 6130 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 800V 2.4A(Tc) 10V 6.3옴 @ 900mA, 10V 5V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 550pF - 3.13W(Ta), 85W(Tc)
ECH8662-TL-HX onsemi ECH8662-TL-HX -
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 ECAD 2820 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ECH8662 - - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000 -
FGD3N60UNDF onsemi FGD3N60UNDF 1.2700
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 ECAD 7823 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FGD3N60 기준 60W TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 400V, 3A, 10옴, 15V 21ns NPT 600V 6A 9A 2.52V @ 15V, 3A 52μJ(켜짐), 30μJ(꺼짐) 1.6nC 5.5ns/22ns
NSVB114YPDXV6T1G onsemi NSVB114YPDXV6T1G -
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 ECAD 4052 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 NSVB11 500mW SOT-563 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 300μA, 10mA에서 250mV 80 @ 5mA, 10V - 10k옴 47k옴
2SD1816S-TL-E onsemi 2SD1816S-TL-E 1.3600
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 ECAD 880 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SD1816 1W TP-FA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 700 100V 4A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 200mA, 2A 140 @ 500mA, 5V 180MHz
ATP404-TL-H onsemi ATP404-TL-H -
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 ECAD 2956 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 ATPAK(리드 2개+탭) ATP404 MOSFET(금속) ATPAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 95A(타) 4.5V, 10V 7.2m옴 @ 48A, 10V - 120nC @ 10V ±20V 20V에서 6400pF - 70W(Tc)
FDS6162N7 onsemi FDS6162N7 -
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 ECAD 3870 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 수평 측면형 패드 FDS61 MOSFET(금속) 8-SO FLMP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 20V 23A(타) 2.5V, 4.5V 3.5m옴 @ 23A, 4.5V 250μA에서 1.5V 73nC @ 4.5V ±12V 10V에서 5521pF - 3W(타)
NJVMD45H11T4G onsemi NJVMD45H11T4G -
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 ECAD 9873 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 NJVMD45H11 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NJVMD45H11T4GTR 1
3LN01SS-TL-H onsemi 3LN01SS-TL-H -
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 ECAD 6388 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 3LN01 MOSFET(금속) SMCP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 30V 150mA(타) 1.5V, 4V 3.7옴 @ 80mA, 4V - 1.58nC @ 10V ±10V 10V에서 7pF - 150mW(타)
2SK4085LS onsemi 2SK4085LS -
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 ECAD 2153 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SK4085 MOSFET(금속) TO-220FI(LS) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 869-1042 EAR99 8541.29.0095 100 N채널 500V 11A(티씨) 10V 430m옴 @ 8A, 10V - 46.6nC @ 10V ±30V 30V에서 1200pF - 2W(Ta), 40W(Tc)
NVTFWS010N10MCLTAG onsemi NVTFWS010N10MCLTAG 0.7602
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 ECAD 7058 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NVTFWS010 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 100V 11.7A(Ta), 57.8A(Tc) 4.5V, 10V 10.6m옴 @ 15A, 10V 3V @ 85μA 30nC @ 10V ±20V 50V에서 2150pF - 3.2W(Ta), 77.8W(Tc)
FDBL0150N80 onsemi FDBL0150N80 5.1600
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 ECAD 8974 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerSFN FDBL0150 MOSFET(금속) 8-HPSOF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 80V 300A(Tc) 10V 1.4m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 188nC @ 10V ±20V 12800pF @ 25V - 429W(티제이)
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