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트랜지스터 (17799)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PN4392_D75Z	-	RFQ	9766	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	PN439			625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널										14pf @ 20V											30 v	25 ma @ 20 v	2 v @ 1 na		60 옴
J112RLRAG	-	RFQ	6973	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	J112			350 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널										-											35 v	5 ma @ 15 v	1 V @ 1 µA		50 옴
BC550	-	RFQ	7765	온세미	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC550			500MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																45 v	100 MA									15NA (ICBO)		NPN	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	300MHz
NGTB20N120LWG	-	RFQ	2411	온세미	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	NGTB20	기준		192 w	TO-247-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			600V, 20A, 10ohm, 15V												트렌치 트렌치 정지	1200 v	40 a	200a	2.2V @ 15V, 20A	3.1mj (on), 700µJ (OFF)	200 NC	86ns/235ns
MMDFS3P303R2	0.1800	RFQ	77	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500
BC487	0.0600	RFQ	7	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.21.0075	1
FQA19N20C	-	RFQ	4983	온세미	QFET®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	FQA1		MOSFET (금속 (()		to-3p	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널			200 v	21.8A (TC)	10V	170mohm @ 10.9a, 10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 30V	1080 pf @ 25 v	-	180W (TC)
FDB9409-F085	-	RFQ	8389	온세미	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	FDB9409		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			40 v	80A (TC)	10V	3.5mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 v	± 20V	2980 pf @ 25 v	-	94W (TJ)
KSA1013OTA	-	RFQ	2657	온세미	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	KSA1013			900 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																160 v	1 a									1µA (ICBO)		PNP	1.5V @ 50MA, 500MA	100 @ 200ma, 5V	50MHz
PN5179_D75Z	-	RFQ	2499	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	PN517			350MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000				15db												12V	50ma											NPN		25 @ 3MA, 1V	2GHz	5dB @ 200MHz
2SA2011-TD-E	0.1800	RFQ	18	온세미	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1,000
2SC2621E-RA	0.2500	RFQ	201	온세미	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1
njvtip50g	0.3200	RFQ	15	온세미	*	대부분	활동적인									-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
NVD4813NHT4G	-	RFQ	1333	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	NVD481		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			30 v	7.6A (TA), 40A (TC)	4.5V, 11.5V	13mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 20V	940 pf @ 12 v	-	1.27W (TA), 35.3W (TC)
BC856AMTF	-	RFQ	6520	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856			310 MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																65 v	100 MA									15NA (ICBO)		PNP	650MV @ 5MA, 100MA	110 @ 2MA, 5V	150MHz
BC638Tfr	-	RFQ	9388	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC638			1 W.	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																60 v	1 a									100NA (ICBO)		PNP	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 150ma, 2v	100MHz
FQD20N06LTF	-	RFQ	5549	온세미	QFET®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	FQD2		MOSFET (금속 (()		TO-252AA	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널			60 v	17.2A (TC)	5V, 10V	60mohm @ 8.6a, 10V	2.5V @ 250µA	13 nc @ 5 v	± 20V	630 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 38W (TC)
PN3568	-	RFQ	2080	온세미	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	PN356			625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																60 v	1 a									50NA (ICBO)		NPN	250mv @ 15ma, 150ma	40 @ 150ma, 1V	-
ATP602-TL-H	-	RFQ	9470	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	atpak (2 2+탭)	ATP602		MOSFET (금속 (()		atpak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			600 v	5A (TA)	10V	2.7ohm @ 2.5a, 10V	-	13.6 NC @ 10 v	± 30V	350 pf @ 30 v	-	70W (TC)
NVLJD4007NZTBG	-	RFQ	5935	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	NVLJD4007		MOSFET (금속 (()	755MW	6-wdfn (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2832-NVLJD4007NZTBGTR	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				30V	245MA		7ohm @ 125ma, 4.5v	1.5V @ 100µa	0.75NC @ 4.5V		20pf @ 5V	논리 논리 게이트
BC557cg	-	RFQ	4903	온세미	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸	BC557			625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																45 v	100 MA									100NA		PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	320MHz
FJP13007TU	-	RFQ	3948	온세미	-	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	FJP13007			80 W.	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000																400 v	8 a									-		NPN	3v @ 2a, 8a	5 @ 5a, 5V	4MHz
2SJ634-TL-E	0.7100	RFQ	7	온세미	*	대부분	활동적인									-		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-2SJ634-TL-E-488			1
2SD1063R	-	RFQ	9511	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	215
BC327-025G	-	RFQ	2268	온세미	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸	BC327			625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																45 v	800 MA									100NA		PNP	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	260MHz
FQB7N60TM-WS	-	RFQ	1038	온세미	QFET®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	FQB7		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			600 v	7.4A (TC)	10V	1ohm @ 3.7a, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1430 pf @ 25 v	-	3.13W (TA), 142W (TC)
FQB20N06LTM	-	RFQ	8991	온세미	QFET®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	FQB2		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			60 v	21A (TC)	5V, 10V	55mohm @ 10.5a, 10V	2.5V @ 250µA	13 nc @ 5 v	± 20V	630 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 53W (TC)
fqn1n60cbu	-	RFQ	7756	온세미	QFET®	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	FQN1		MOSFET (금속 (()		To-92-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			600 v	300MA (TC)	10V	11.5ohm @ 150ma, 10V	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 v	± 30V	170 pf @ 25 v	-	1W (TA), 3W (TC)
BD675AS 7	0.3400	RFQ	1	온세미	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3				40 W.	TO-126-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1																45 v	4 a									500µA		npn-달링턴	2.8V @ 40MA, 2A	750 @ 2a, 3v	-
BC548_D81Z	-	RFQ	6230	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC548			500MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																30 v	100 MA									15NA (ICBO)		NPN	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	300MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²