SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
J211-D74Z onsemi J211-D74Z 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J211 - JFET To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 20MA - - -
J202_D26Z onsemi J202_D26Z -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J202 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 40 v 900 µa @ 20 v 800 mv @ 10 na
TIS75 onsemi TIS75 -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TIS75 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 18pf @ 10V (VGS) 30 v 8 ma @ 15 v 800 mv @ 4 na 60 옴
MMBFJ309 onsemi MMBFJ309 -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ3 450MHz JFET SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 n 채널 30ma 10 MA - 12db 3db 10 v
J304 onsemi J304 -
RFQ
 ECAD 7903 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) J304 - JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 J304FS 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 15MA - - -
MMBFJ270 onsemi MMBFJ270 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ2 225 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 - 30 v 2 ma @ 15 v 500 MV @ 1 NA
P1086 onsemi p1086 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) p1086 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 45pf @ 15V 30 v 10 ma @ 20 v 10 V @ 1 µa 75 옴
MMBFJ210 onsemi MMBFJ210 -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ2 - JFET SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 n 채널 15MA - - -
FQD7N20LTF onsemi fqd7n20ltf -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 5.5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQD7N20LTM onsemi fqd7n20ltm 0.8400
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7N20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 5.5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQD5P10TM onsemi FQD5P10TM 0.9000
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD5P10 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 3.6A (TC) 10V 1.05ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FQPF13N10 onsemi FQPF13N10 -
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 8.7A (TC) 10V 180mohm @ 4.35a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 30W (TC)
FQD4P25TM onsemi FQD4P25TM -
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD4 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 250 v 3.1A (TC) 10V 2.1ohm @ 1.55a, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 420 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQP4P25 onsemi FQP4P25 -
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 4A (TC) 10V 2.1ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 420 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQP3N40 onsemi FQP3N40 -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 2.5A (TC) 10V 3.4ohm @ 1.25a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 55W (TC)
FQPF9N08L onsemi FQPF9N08L -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF9 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 7A (TC) 5V, 10V 210mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 20V 280 pf @ 25 v - 23W (TC)
J271 onsemi J271 -
RFQ
 ECAD 6257 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) J271 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 - 30 v 6 ma @ 15 v 1.5 v @ 1 na
FQU7P06TU onsemi fqu7p06tu -
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu7 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 p 채널 60 v 5.4A (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQPF4N20 onsemi FQPF4N20 -
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF4 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 2.8A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 27W (TC)
SI3457DV onsemi SI3457DV -
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI345 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 8.1 NC @ 5 v ± 25V 470 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
FDB2710 onsemi FDB2710 5.1000
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB271 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 50A (TC) 10V 42.5mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 101 NC @ 10 v ± 30V 7280 pf @ 25 v - 260W (TC)
FDB52N20TM onsemi FDB52N20TM 2.6400
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB52N20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 52A (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2900 pf @ 25 v - 357W (TC)
FDB8442 onsemi FDB8442 -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB844 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 28A (TA), 80A (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 v ± 20V 12200 pf @ 25 v - 254W (TC)
FDB8445 onsemi FDB8445 2.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB844 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 70A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 3805 pf @ 25 v - 92W (TC)
ISL9V5045S3S onsemi ISL9V5045S3S -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 온세미 Ecospark® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ISL9 논리 300 w d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 480 v 51 a 1.6V @ 4V, 10A - 32 NC -/10.8µs
FCP4N60 onsemi FCP4N60 2.3200
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.9A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 50W (TC)
FDPF12N50T onsemi FDPF12N50T 2.6100
RFQ
 ECAD 956 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF12 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2166-FDPF12N50T-488 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 11.5A (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1315 pf @ 25 v - 42W (TC)
2SA733P_D26Z onsemi 2SA733P_D26Z -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2SA733 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 1ma, 6v 50MHz
BS170_J35Z onsemi BS170_J35Z -
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BS170 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TA)
FDC642P-F085 onsemi FDC642P-F085 -
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC642 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 8V 640 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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