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트랜지스터(17799)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1)
BC637_D27Z onsemi BC637_D27Z -
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 ECAD 2795 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC637 1W TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 60V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
NTNS5K0P021ZTCG onsemi NTNS5K0P021ZTCG -
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 ECAD 7805 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN NTNS5 MOSFET(금속) 3-XDFN(0.42x0.62) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 127mA(타) 1.5V, 4.5V 5옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 250μA ±8V 12.8pF @ 15V - 125mW(타)
NTD3055L170-1G onsemi NTD3055L170-1G -
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 ECAD 2880 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA NT$30 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 60V 9A(타) 5V 170m옴 @ 4.5A, 5V 2V @ 250μA 10nC @ 5V ±15V 275pF @ 25V - 1.5W(Ta), 28.5W(Tj)
NTE4151PT1G onsemi NTE4151PT1G 0.3800
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 ECAD 6743 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 NTE4151 MOSFET(금속) SC-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 760mA(Tj) 1.8V, 4.5V 360m옴 @ 350mA, 4.5V 1.2V @ 250μA 2.1nC @ 4.5V ±6V 5V에서 156pF - 313mW(Tj)
FDD8N50NZTM onsemi FDD8N50NZTM 1.4100
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 ECAD 2338 0.00000000 온세미 UniFET-II™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FDD8N50 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 500V 6.5A(Tc) 10V 850m옴 @ 3.25A, 10V 5V @ 250μA 18nC @ 10V ±25V 25V에서 735pF - 90W(Tc)
FJV992FMTF onsemi FJV992FMTF 0.3200
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 ECAD 71 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV992 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 120V 50mA - PNP 300mV @ 1mA, 10mA 300@1mA, 6V 50MHz
BC308 onsemi 308년 -
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 ECAD 9372 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 308년 500mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 25V 100mA 15nA PNP 500mV @ 5mA, 100mA 120 @ 2mA, 5V 130MHz
NTMFS6H852NT1G onsemi NTMFS6H852NT1G 0.9600
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 ECAD 8162 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 80V 10A(Ta), 40A(Tc) 6V, 10V 14.2m옴 @ 10A, 10V 4V @ 45μA 13nC @ 10V ±20V 40V에서 760pF - 3.6W(Ta), 54W(Tc)
NTJD4401NT1G onsemi NTJD4401NT1G 0.4700
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 ECAD 38 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4401 MOSFET(금속) 270mW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 630mA 375m옴 @ 630mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 3nC @ 4.5V 46pF @ 20V 게임 레벨 레벨
FDMS3602AS onsemi FDMS3602AS -
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 ECAD 2993년 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMS3602 MOSFET(금속) 2.2W, 2.5W 파워56 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 배열 25V 15A, 26A 5.6m옴 @ 15A, 10V 3V @ 250μA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 게임 레벨 레벨
HUF75639S3S onsemi HUF75639S3S -
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 ECAD 5656 0.00000000 온세미 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 100V 56A(티씨) 10V 25m옴 @ 56A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
FDWS9508L_F085 onsemi FDWS9508L_F085 -
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 ECAD 4396 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDWS9508 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 80A(Tc) 4.5V, 10V 4.9m옴 @ 80A, 10V 3V @ 250μA 107nC @ 10V ±16V 20V에서 4840pF - 214W(티제이)
MUN5240T1G onsemi MUN5240T1G 0.0252
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 ECAD 8062 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 MUN5240 202mW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 10mA 120 @ 5mA, 10V 47kΩ
FDS4435 onsemi FDS4435 -
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 ECAD 6045 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) FDS44 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 8.8A(타) 4.5V, 10V 20m옴 @ 8.8A, 10V 3V @ 250μA 24nC @ 5V ±25V 15V에서 1604pF - 2.5W(타)
NTD4910NT4G onsemi NTD4910NT4G -
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 ECAD 3820 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NT$49 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 8.2A(Ta), 37A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 15.4nC @ 10V ±20V 15V에서 1203pF - 1.37W(Ta), 27.3W(Tc)
FDC653N onsemi FDC653N 0.6700
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 ECAD 9448 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 FDC653 MOSFET(금속) SuperSOT™-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 5A(타) 4.5V, 10V 35m옴 @ 5A, 10V 2V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 15V에서 350pF - 1.6W(타)
FQU10N20LTU onsemi FQU10N20LTU -
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 ECAD 3025 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA FQU1 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 70 N채널 200V 7.6A(Tc) 5V, 10V 360m옴 @ 3.8A, 10V 2V @ 250μA 17nC @ 5V ±20V 25V에서 830pF - 2.5W(Ta), 51W(Tc)
ATP101-TL-H onsemi ATP101-TL-H -
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 ECAD 3098 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 ATPAK(리드 2개+탭) ATP101 MOSFET(금속) ATPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 25A(타) 4.5V, 10V 30m옴 @ 13A, 10V - 18.5nC @ 10V ±20V 875pF @ 10V - 30W(Tc)
NTD24N06LT4G onsemi NTD24N06LT4G 1.6400
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 ECAD 5168 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTD24 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 24A(타) 5V 45m옴 @ 10A, 5V 2V @ 250μA 32nC @ 5V ±15V 25V에서 1140pF - 1.36W(Ta), 62.5W(Tj)
FDMS3604AS onsemi FDMS3604AS -
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 ECAD 6826 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMS3604 MOSFET(금속) 1W 파워56 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 배열 30V 13A, 23A 8m옴 @ 13A, 10V 2.7V @ 250μA 29nC @ 10V 15V에서 1695pF 게임 레벨 레벨
SMMBT6520LT1 onsemi SMMBT6520LT1 0.0700
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
FQP85N06 onsemi FQP85N06 1.3290
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 ECAD 8755 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FQP85 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 85A(Tc) 10V 10m옴 @ 42.5A, 10V 4V @ 250μA 112nC @ 10V ±25V 4120pF @ 25V - 160W(Tc)
NTB6410ANG onsemi NTB6410ANG -
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 ECAD 1352 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB NTB64 MOSFET(금속) D²PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 76A(티씨) 10V 13m옴 @ 76A, 10V 4V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V 25V에서 4500pF - 188W(Tc)
AFGHL25T120RHD onsemi AFGHL25T120RHD -
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 ECAD 3942 0.00000000 온세미 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 AFGHL25 기준 261W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-AFGHL25T120RHD EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 5옴, 15V 159ns 트렌치 필드스톱 1200V 48A 100A 2.4V @ 15V, 25A 1.94mJ(켜짐), 770μJ(꺼짐) 189nC 27ns/118ns
CPH3455-TL-W onsemi CPH3455-TL-W -
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 ECAD 9143 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH345 MOSFET(금속) 3-CPH 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 35V 3A(타) 4V, 10V 104m옴 @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 4nC @ 10V ±20V 20V에서 186pF - 1W(타)
FDD050N03B onsemi FDD050N03B -
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 ECAD 6481 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FDD050 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 50A(Tc) 4.5V, 10V 5m옴 @ 25A, 10V 3V @ 250μA 43nC @ 10V ±16V 2875pF @ 15V - 65W(Tc)
FDZ4670S onsemi FDZ4670S -
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 ECAD 7566 0.00000000 온세미 PowerTrench®, SyncFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 30-WFBGA FDZ46 MOSFET(금속) 30-FLFBGA(3.55x4) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 25A(타) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 25A, 10V 3V @ 1mA 69nC @ 10V ±20V 15V에서 3845pF - 2.5W(타)
NTD20N03L27G onsemi NTD20N03L27G -
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 ECAD 8688 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NT$20 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 30V 20A(타) 4V, 5V 27m옴 @ 10A, 5V 2V @ 250μA 18.9nC @ 10V ±20V 1260pF @ 25V - 1.75W(Ta), 74W(Tc)
HUFA75329D3S onsemi HUFA75329D3S -
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 ECAD 4976 0.00000000 온세미 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 HUFA75 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 55V 20A(TC) 10V 26m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 20V ±20V 1060pF @ 25V - 128W(Tc)
KSD1621UTF onsemi KSD1621UTF -
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 ECAD 4365 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA KSD1621 500mW SOT-89-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 4,000 25V 2A 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 75mA, 1.5A 280 @ 100mA, 2V 150MHz
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