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트랜지스터(17799)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 전압 - 출력 FET 종류 얻다 전압 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 모델 지수(dB 일반 @ f) 전압 - 전압(Vt) 과거 - 과거에서 기록으로의 유출(Igao) 현재 - 팔레트(Iv) 현재 -
BC337ZL1G onsemi BC337ZL1G -
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 ECAD 3921 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 337년 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 800mA 100nA NPN 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 210MHz
NVMFS6H852NWFT1G onsemi NVMFS6H852NWFT1G 1.2300
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 ECAD 7965 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS6 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 80V 10A(Ta), 40A(Tc) 10V 14.2m옴 @ 10A, 10V 4V @ 45μA 13nC @ 10V ±20V 40V에서 760pF - 3.6W(Ta), 54W(Tc)
NSBC115TF3T5G onsemi NSBC115TF3T5G 0.0598
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 ECAD 5829 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-1123 NSBC115 254mW SOT-1123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 5mA, 10mA 160 @ 5mA, 10V 100kΩ
NVMFS5C612NLWFAFT3G onsemi NVMFS5C612NLWFAFT3G 2.1022
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 ECAD 3360 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 38A(Ta), 250A(Tc) 4.5V, 10V 1.36m옴 @ 50A, 10V 2V @ 250μA 91nC @ 10V ±20V 25V에서 6660pF - 3.8W(Ta), 167W(Tc)
2SD1815T-TL-H onsemi 2SD1815T-TL-H -
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 ECAD 3505 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SD1815 1W TP-FA 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 700 100V 3A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 150mA, 1.5A 200 @ 500mA, 5V 180MHz
NDCTR3065A onsemi NDCTR3065A -
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 ECAD 9618 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 NDCTR3065 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NDCTR3065ATR 3,000 -
NVHL080N120SC1 onsemi NVHL080N120SC1 18.1100
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 ECAD 2360 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 NVHL080 SiCFET(탄화규소) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. NVHL080N120SC1OS EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 44A(Tc) 20V 110m옴 @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V +25V, -15V 800V에서 1670pF - 348W(Tc)
FFB3906 onsemi FFB3906 -
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 ECAD 6107 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FFB39 300mW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA - 2 PNP(이중) 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 200MHz
NTHL082N65S3HF onsemi NTHL082N65S3HF 9.4800
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 ECAD 8755 0.00000000 온세미 FRFET®, SuperFET® III 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 NTHL082 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NTHL082N65S3HF EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 40A(Tc) 82m옴 @ 20A, 10V 5V @ 1mA 79nC @ 10V ±30V 400V에서 3330pF - 313W(Tc)
STD5406NT4G-VF01 onsemi STD5406NT4G-VF01 0.5114
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 ECAD 3200 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-STD5406NT4G-VF01TR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 12.2A(Ta), 70A(Tc) 5V, 10V 10m옴 @ 30A, 10V 250μA에서 3.5V 45nC @ 10V ±20V 32V에서 2500pF - 3W(Ta), 100W(Tc)
FQA44N10 onsemi FQA44N10 -
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 ECAD 8971 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 FQA4 MOSFET(금속) TO-3P 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 100V 48A(TC) 10V 39m옴 @ 24A, 10V 4V @ 250μA 62nC @ 10V ±25V 25V에서 1800pF - 180W(Tc)
FDS6630A onsemi FDS6630A -
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 ECAD 1718년 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) FDS66 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 6.5A(타) 4.5V, 10V 38m옴 @ 6.5A, 10V 3V @ 250μA 7nC @ 5V ±20V 15V에서 460pF - 2.5W(타)
NDUL09N150CG onsemi NDUL09N150CG -
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 ECAD 6512 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 NDUL09 MOSFET(금속) TO-3PF-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1500V 9A(타) 10V 3옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA 114nC @ 10V ±30V 2025pF @ 30V - 3W(Ta), 78W(Tc)
NTD5862N-1G onsemi NTD5862N-1G -
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 ECAD 8850 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NT$58 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 60V 98A(티씨) 10V 5.7m옴 @ 45A, 10V 4V @ 250μA 82nC @ 10V ±20V 6000pF @ 25V - 115W(Tc)
FQA6N70 onsemi FQA6N70 -
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 ECAD 6692 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 FQA6 MOSFET(금속) TO-3P 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 700V 6.4A(Tc) 10V 1.5옴 @ 3.2A, 10V 5V @ 250μA 40nC @ 10V ±30V 25V에서 1400pF - 152W(Tc)
NDS9933A onsemi NDS9933A -
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 ECAD 1819년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) NDS993 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 20V 2.8A 140m옴 @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250μA 8.5nC @ 4.5V 405pF @ 10V 게임 레벨 레벨
FQU2N60TU onsemi FQU2N60TU -
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 ECAD 6821 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA FQU2 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 600V 2A(TC) 10V 4.7옴 @ 1A, 10V 5V @ 250μA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 350pF - 2.5W(Ta), 45W(Tc)
2N6028G onsemi 2N6028G -
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 ECAD 5818 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N6028 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 5,000 11V 40V 300mW 600mV 10nA 25μA 150nA
2SB1225 onsemi 2SB1225 0.4300
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 ECAD 31 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1
NTMFS4C302NT3G onsemi NTMFS4C302NT3G 1.9192
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 ECAD 1547년 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NTMFS4C302NT3G EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 41A(Ta), 230A(Tc) 4.5V, 10V 1.15m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 82nC @ 10V ±20V 5780pF @ 15V - 3.13W(Ta), 96W(Tc)
NDT03N40ZT1G onsemi NDT03N40ZT1G -
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 ECAD 7209 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA NDT03 MOSFET(금속) SOT-223 (TO-261) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 400V 500mA(Tc) 10V 3.4옴 @ 600mA, 10V 50μA에서 4.5V 6.6nC @ 10V ±30V 50V에서 140pF - 2W(Tc)
FDC2512-P onsemi FDC2512-P -
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 ECAD 9207 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 FDC2512 MOSFET(금속) SuperSOT™-6 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-FDC2512-PTR EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 150V 1.4A(타) 6V, 10V 425m옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 11nC @ 10V ±20V 75V에서 344pF - 800mW(타)
NVD5C464NT4G onsemi NVD5C464NT4G 1.8700
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 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NVD5C464 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 16A(타), 59A(Tc) 10V 5.8m옴 @ 30A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 1200pF - 3W(Ta), 40W(Tc)
2SK3827 onsemi 2SK3827 -
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 ECAD 7946 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2SK3827 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 100 N채널 100V 40A(타) 4V, 10V 34m옴 @ 20A, 10V 2.6V @ 1mA 79nC @ 10V ±20V 20V에서 4200pF - 1.75W(Ta), 60W(Tc)
MPS5179RLRP onsemi MPS5179RLRP -
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 ECAD 6035 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 350mW TO-92 (TO-226) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.21.0075 4,000 15dB 12V 50mA NPN 25 @ 3mA, 1V 2GHz 5dB @ 200MHz
BC327A_J35Z onsemi BC327A_J35Z -
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 ECAD 2701 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 327년 625mW TO-92-3 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 800mA 100nA PNP 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3 4.0600
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 ECAD 731 0.00000000 온세미 SuperFET® III 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FCP165 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 19A(TC) 10V 165m옴 @ 9.5A, 10V 4.5V @ 1.9mA 39nC @ 10V ±30V 400V에서 1500pF - 154W(Tc)
HUF76419P3 onsemi HUF76419P3 -
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 ECAD 1859년 0.00000000 온세미 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 HUF76 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 60V 29A(TC) 4.5V, 10V 35m옴 @ 29A, 10V 3V @ 250μA 28nC @ 10V ±16V 25V에서 900pF - 75W(Tc)
MMBFV170LT3G onsemi MMBFV170LT3G -
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 ECAD 6663 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFV1 - SOT-23-3(TO-236) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 - - - - - -
FDD8880-G onsemi FDD8880-G -
보상요청
 ECAD 4373 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) - ROHS3 준수 1(무제한) 요청 시 REACH 정보 제공 2832-FDD8880-GTR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(Ta), 58A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 250μA 31nC @ 10V ±20V 15V에서 1260pF - 55W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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