SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 전류 전류 (ID) - 최대
FDD16AN08A0-F085 onsemi FDD16AN08A0-F085 -
RFQ
ECAD 8883 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD16 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 1874 pf @ 25 v - 135W (TC)
FQB3N90TM onsemi FQB3N90TM -
RFQ
ECAD 1736 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB3 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 4.25ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 130W (TC)
FGD3040G2 onsemi FGD3040G2 -
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 온세미 Ecospark® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FGD3040 논리 150 W. TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 6.5A, 1KOHM, 5V - 400 v 41 a 1.25V @ 4V, 6A - 21 NC -/4.8µs
NTJD2152PT2 onsemi NTJD2152PT2 -
RFQ
ECAD 1313 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD21 MOSFET (금속 (() 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 775ma 300mohm @ 570ma, 4.5v 1V @ 250µA 4NC @ 4.5V 225pf @ 8v 논리 논리 게이트
FQPF20N06L onsemi FQPF20N06L 1.6500
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF20 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 15.7A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 7.85a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 630 pf @ 25 v - 30W (TC)
MUN5113DW1T1G onsemi mun5113dw1t1g 0.2500
RFQ
ECAD 3148 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun51 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 47kohm 47kohm
FDB8160 onsemi FDB8160 -
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB816 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 80A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 243 NC @ 10 v ± 20V 11825 pf @ 15 v - 254W (TC)
NVMFD5C466NLWFT1G onsemi nvmfd5c466nlwft1g 2.6900
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5 MOSFET (금속 (() 3W (TA), 40W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 14A (TA), 52A (TC) 7.4mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 30µA 7NC @ 4.5V 997pf @ 25v -
NVMFS5C680NLWFT1G onsemi NVMFS5C680NLWFT1G 0.6427
RFQ
ECAD 4412 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 8.1A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 27.5mohm @ 7.5a, 10V 2.2V @ 13µA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 3.4W (TA), 24W (TC)
KSE13003TH1ATU onsemi KSE13003TH1ATU -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSE13003 20 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400 v 1.5 a - NPN 3V @ 500MA, 1.5A 9 @ 500ma, 2v 4MHz
NVLJS053N12MCLTAG onsemi NVLJS053N12MCLTAG 0.3040
RFQ
ECAD 5208 0.00000000 온세미 Superfet® III, FRFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVLJS053N12MCLTAGTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 120 v 4.8A (TA) 4.5V, 10V 53mohm @ 5.2a, 10V 3V @ 30µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 520 pf @ 60 v - 620MW (TA)
2N5950_J18Z onsemi 2N5950_J18Z -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5950 - JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 15MA - - -
BC856BWT1 onsemi BC856BWT1 0.0500
RFQ
ECAD 180 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 BC856 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
FCB110N65F onsemi FCB110N65F 6.3500
RFQ
ECAD 4796 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® II 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FCB110 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 35A (TC) 10V 110mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 3.5mA 145 NC @ 10 v ± 20V 4895 pf @ 100 v - 357W (TC)
FDD5670 onsemi FDD5670 -
RFQ
ECAD 3249 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD567 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 52A (TA) 6V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 73 NC @ 10 v ± 20V 2739 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 83W (TC)
FDB8441 onsemi FDB8441 -
RFQ
ECAD 9134 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB844 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 28A (TA), 120A (TC) 10V 2.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 25 v - 300W (TC)
NTMFS4707NT1G onsemi NTMFS4707NT1G -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 6.9A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 735 pf @ 24 v - 1W (TA)
KSC2756OMTF onsemi KSC2756OMTF -
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC2756 150MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15db ~ 23db 20V 30ma NPN 90 @ 5MA, 10V 850MHz 6.5dB @ 200MHz
NTD4806NAT4G onsemi NTD4806NAT4G -
RFQ
ECAD 1942 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.3A (TA), 79A (TC) 6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v 2142 pf @ 12 v - -
NGTD14T65F2WP onsemi NGTD14T65F2WP 2.0201
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 NGTD14 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 650 v 120 a 2V @ 15V, 35A - -
NGTD21T65F2SWK onsemi NGTD21T65F2SWK -
RFQ
ECAD 8030 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 NGTD21 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 650 v 200a 1.9V @ 15V, 45A - -
NTMFS4C06NBT3G onsemi NTMFS4C06NBT3G -
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 20A (TA), 69A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1683 pf @ 15 v - 2.55W (TA), 30.5W (TC)
NVMFS5C442NWFAFT3G onsemi NVMFS5C442NWFAFT3G -
RFQ
ECAD 4212 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 29A (TA), 140A (TC) 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
NVMFS6B85NLWFT3G onsemi NVMFS6B85NLWFT3G -
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 5.6A (TA), 19A (TC) 4.5V, 10V 46mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 7.9 NC @ 10 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 42W (TC)
NGTB40N65IHRWG onsemi ngtb40n65ihrwg -
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB40 기준 405 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 현장 현장 650 v 80 a 160 a 1.7V @ 15V, 40A 420µJ (OFF) 190 NC -
NSVJ3910SB3T1G onsemi NSVJ3910SB3T1G 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVJ3910 400MW 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 6pf @ 5V 25 v 20 ma @ 5 v 600 mV @ 100 µa 50 MA
NVMFS5C460NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C460NLWFAFT1G 1.8300
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 21A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 35a, 10V 2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 50W (TC)
NVMFS5C645NLT1G onsemi NVMFS5C645NLT1G -
RFQ
ECAD 9120 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-NVMFS5C645NLT1G-488 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 22A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
FDMS8050 onsemi FDMS8050 4.7200
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS80 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 0.65mohm @ 55a, 10V 3V @ 750µA 285 NC @ 10 v ± 20V 22610 pf @ 15 v - 156W (TC)
FGH50T65SQD-F155 onsemi FGH50T65SQD-F155 5.7500
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH50 기준 268 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 12.5A, 4.7OHM, 15V 31 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 100 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 180µJ (on), 45µJ (OFF) 99 NC 22ns/105ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고