전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NVMFS5C442NLAFT3G | 0.7918 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 29A (TA), 130A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NTD6415AN-1G | - | ![]() | 9111 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD64 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 23A (TC) | 10V | 55mohm @ 23a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MTP2955V | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MTP29 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTP2955VOS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 12A (TC) | 10V | 230mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 15V | 770 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | NTD110N02R-001 | - | ![]() | 9948 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD110 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 24 v | 12.5A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3440 pf @ 20 v | - | 1.5W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | VEC2415-TL-EX | - | ![]() | 3548 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | VEC2415 | - | - | - | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 3A (TJ) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDT3612-SN00151 | - | ![]() | 8662 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 488-FDT3612-SN00151TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 3.7A (TA) | 6V, 10V | 120mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 632 pf @ 50 v | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | ECH8691-TL-W | 0.9500 | ![]() | 7826 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | ech8691 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
fdpf33n25trdtu | 2.0700 | ![]() | 428 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 | FDPF33 | MOSFET (금속 (() | TO-220F (LG- 형성) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2832-FDPF33N25TRDTU-488 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 33A (TC) | 10V | 94mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 2135 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | ntmfs5c450nt1g | 2.8100 | ![]() | 5568 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 24A (TA), 102A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 65µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF630BTSTU_FP001 | - | ![]() | 1678 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF63 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 720 pf @ 25 v | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NVH4L027N65S3f | 21.4300 | ![]() | 4331 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III, FRFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MOSFET (금속 (() | TO-247-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVH4L027N65S3f | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 75A (TC) | 10V | 27.4mohm @ 35a, 10V | 5V @ 3MA | 227 NC @ 10 v | ± 30V | 7780 pf @ 400 v | - | 595W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | fcpf7n60nt | 2.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Supremos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.8A (TC) | 10V | 520mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 35.6 NC @ 10 v | ± 30V | 960 pf @ 100 v | - | 30.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BC639-16ZL1G | - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | BC639 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8978-F40 | 0.7500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET (금속 (() | 1.6W (TA) | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2832-FDS8978-F40TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 667 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 7.5A (TA) | 18mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1270pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | ntmfs4c020nt3g | 1.9136 | ![]() | 8023 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 47A (TA), 303A (TC) | 4.5V, 10V | 0.7mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 139 NC @ 10 v | ± 20V | 10144 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 134W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 5LN01SS-TL-E | - | ![]() | 9179 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-81 | 5LN01 | MOSFET (금속 (() | 3-SSFP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-5LN01SS-TL-E-488 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 1.5V, 4V | 7.8ohm @ 50ma, 4v | - | 1.57 NC @ 10 v | ± 10V | 6.6 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | NVTYS004N04CTWG | 0.7318 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (금속 (() | 8-LFPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVTYS004N04CTWGTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 78A (TC) | 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 50µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 1210 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | ntr3a30pzt1g | 0.7200 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ntr3a30 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 3A @ 3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 17.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 1651 pf @ 15 v | - | 480MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | BC449A | - | ![]() | 5952 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BC449 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 100 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 2MA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTP095N65S3H | 6.7000 | ![]() | 695 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTP095N65S3H | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 95mohm @ 15a, 10V | 4V @ 2.8ma | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 2833 pf @ 400 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||
NTMSD3P303R2G | - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | 온세미 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NTMSD3 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | NTMSD3P303R2GOS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 2.34A (TA) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 3.05a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 24 v | Schottky 분리 (다이오드) | 730MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | TF202thC-5-TL-H | - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | TF202 | 100MW | 3-VTFP | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 3.5pf @ 5V | 210 µa @ 5 v | 200 mV @ 1 µA | 1 MA | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF39N20 | 2.0800 | ![]() | 3214 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF39 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 39A (TC) | 10V | 66MOHM @ 19.5A, 10V | 5V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 2130 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | smun2212t1 | 0.0200 | ![]() | 156 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | smun2212 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1936T-AC | 0.1500 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 2SD1936 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J107_D75Z | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | J107 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | - | 25 v | 100 ma @ 15 v | 500 mV @ 1 µA | 8 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSF4N01HDR2 | 0.1500 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF22P10 | - | ![]() | 2161 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FQAF2 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 100 v | 16.6A (TC) | 10V | 125mohm @ 8.3a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1500 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NVG800A75L4DSC2 | - | ![]() | 5004 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 15-powerdip ip (2.441 ", 62.00mm) | NVG800 | 기준 | AHPM15-CEA | 다운로드 | 488-NVG800A75L4DSC2 | 18 | 하프 하프 인버터 | - | 750 v | 550 a | 1.6V @ 15V, 600A | 1 MA | 아니요 | 43000 pf @ 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LA733P | - | ![]() | 8399 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 625MW | TO-92 (TO-226) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-LA733P | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 48V | 100ma | PNP | 200 @ 1ma, 6v | 450MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고