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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BSR17A onsemi BSR17A -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR17 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 5µA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
SGR6N60UFTM onsemi sgr6n60uftm -
RFQ
ECAD 7220 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 sgr6n 기준 30 w TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 3A, 80ohm, 15V - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V, 3A 57µJ (on), 25µJ (OFF) 15 NC 15ns/60ns
BF493SG onsemi BF493SG -
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BF493 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 350 v 500 MA 10NA PNP 2V @ 2MA, 20MA 40 @ 10ma, 10V 50MHz
MCH6605-TL-EX onsemi MCH6605-TL-EX -
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - - - MCH6605 - - - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BC635_J35Z onsemi BC635_J35Z -
RFQ
ECAD 9139 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC635 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
FQU3N50CTU onsemi fqu3n50ctu -
RFQ
ECAD 6281 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu3n50 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.25a, ​​10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 365 pf @ 25 v - 35W (TC)
BC556BZL1G onsemi BC556BZL1G -
RFQ
ECAD 7228 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BC556 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 100NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 180 @ 2MA, 5V 280MHz
FGY40T120SMD onsemi FGY40T120SMD 10.0400
RFQ
ECAD 7701 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGY40T120 기준 882 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 65 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V, 40A 2.7mj (on), 1.1mj (OFF) 370 NC 40ns/475ns
HUFA75617D3ST onsemi hufa75617d3st -
RFQ
ECAD 3476 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 16A (TC) 10V 90mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 20 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 64W (TC)
FDD9509L-F085 onsemi FDD9509L-F085 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD9509 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 70a, 10V 3V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 16V 3350 pf @ 20 v - 150W (TJ)
CPH3210-TL-E onsemi CPH3210-TL-E 0.1600
RFQ
ECAD 453 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
NDCTR10120A onsemi ndctr10120a -
RFQ
ECAD 9857 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 NDCTR10120 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-ndctr10120atr 3,000 -
FDB2532 onsemi FDB2532 4.4400
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB253 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 8A (TA), 79A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 5870 pf @ 25 v - 310W (TC)
FCB11N60FTM onsemi fcb11n60ftm -
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 온세미 Superfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FCB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1490 pf @ 25 v - 125W (TC)
NVMTS0D4N04CLTXG onsemi NVMTS0D4N04CLTXG 10.7900
RFQ
ECAD 6211 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMTS0 MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 553.8A (TC) 4.5V, 10V 0.4mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 250µA 163 NC @ 4.5 v ± 20V 20600 pf @ 20 v - 5W (TA)
2SC5300 onsemi 2SC5300 4.9600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
HUF75343S3ST onsemi HUF75343S3ST -
RFQ
ECAD 5907 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 270W (TC)
NVA4001NT1G onsemi NVA4001nt1g 0.4700
RFQ
ECAD 600 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 NVA400 MOSFET (금속 (() SC-75, SOT-416 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 238MA (TJ) 2.5V, 4.5V 3ohm @ 10ma, 4.5v 1.5V @ 100µa ± 10V 20 pf @ 5 v - 300MW (TJ)
2SK4065-DL-1EX onsemi 2SK4065-DL-1EX -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 2SK4065 MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 100A (TA) 6ohm @ 50a, 10V - 220 NC @ 10 v 12200 pf @ 20 v - 1.65W (TA), 90W (TC)
FQH90N15 onsemi FQH90N15 -
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FQH9 MOSFET (금속 (() TO-247-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 8700 pf @ 25 v - 375W (TC)
NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G 256.7100
RFQ
ECAD 36 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH350 276 W. 기준 42-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH350N100H4Q2F2P1G 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 303 a 2.3V @ 15V, 375A 1 MA 24.146 NF @ 20 v
NTK3139PT1G onsemi NTK3139pt1g 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 NTK3139 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 660MA (TA) 1.5V, 4.5V 480mohm @ 780ma, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 6V 170 pf @ 16 v - 310MW (TA)
NTD60N03 onsemi NTD60N03 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
MUN5235T1 onsemi MUN5235T1 -
RFQ
ECAD 1670 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 mun5235 202 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
TIP33AG onsemi tip33Ag 0.5100
RFQ
ECAD 870 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
3HP04CH-TL-E onsemi 3HP04CH-TL-E 1.0000
RFQ
ECAD 5253 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
2SC3950D onsemi 2SC3950D 0.3600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
FDP6670AL onsemi FDP6670AL -
RFQ
ECAD 7934 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP66 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 80A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 20V 2440 pf @ 15 v - 68W (TC)
NTP13N10 onsemi NTP13N10 -
RFQ
ECAD 9508 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP13N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP13N10OS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 13A (TA) 10V 165mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 64.7W (TC)
HGT1S20N60C3S9A onsemi HGT1S20N60C3S9A -
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HGT1S20 기준 164 w d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 45 a 300 a 1.8V @ 15V, 20A 295µJ (ON), 500µJ (OFF) 91 NC 28ns/151ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고