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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | TIP30C | - | ![]() | 1223 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 30 | 2 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | 100 v | 1 a | 200µA | PNP | 700mv @ 125ma, 1a | 15 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | TIS75_J35Z | - | ![]() | 4292 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | TIS75 | 350 MW | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 18pf @ 10V (VGS) | 30 v | 8 ma @ 15 v | 800 mv @ 4 na | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQH44N10 | - | ![]() | 2597 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FQH4 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 100 v | 48A (TC) | 10V | 39mohm @ 24a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDB2532 | 4.4400 | ![]() | 4355 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB253 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 8A (TA), 79A (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 5870 pf @ 25 v | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf9n50cydtu | - | ![]() | 1923 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 | FQPF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 (Y- 형성) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 10V | 800mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 44W (TC) |
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