SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
NTMFS4826NET1G onsemi NTMFS4826NET1G -
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 9.5A (TA), 66A (TC) 4.5V, 11.5V 5.9mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 20V 1850 pf @ 12 v - 870MW (TA), 41.7W (TC)
FDMA507PZ onsemi fdma507pz 1.1200
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA507 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.8a, 5V 1.5V @ 250µA 42 NC @ 5 v ± 8V 2015 PF @ 10 v - 2.4W (TA)
FW906-TL-E onsemi FW906-TL-E -
RFQ
ECAD 4336 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FW906 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 및 p 채널 30V 8A, 6A 24mohm @ 8a, 10V - 12NC @ 10V 690pf @ 10V 논리 논리 게이트
FCH22N60N onsemi FCH22N60N -
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 온세미 Supremos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH22N60 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1990-FCH22N60N 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 165mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1950 pf @ 100 v - 205W (TC)
FX504-TL-E onsemi FX504-TL-E 0.5100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,000
NTD4904N-35G onsemi NTD4904N-35G -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD49 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 13A (TA), 79A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 3052 pf @ 15 v - 1.4W (TA), 52W (TC)
NTMFS4C906NBT1G onsemi NTMFS4C906NBT1G 0.5868
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 NTMFS4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTMFS4C906NBT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500
NVTFS5820NLTWG onsemi NVTFS5820NLTWG -
RFQ
ECAD 2605 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5820 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 11A (TA) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 8.7a, 10V 2.3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1462 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 21W (TC)
CPH6202-TL-E onsemi CPH6202-TL-E 0.1400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 3,000
NTHL125N65S3H onsemi NTHL125N65S3H 6.7900
RFQ
ECAD 285 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTHL125N65S3H 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 4V @ 2.1ma 44 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 400 v - 171W (TC)
FQA90N08 onsemi FQA90N08 -
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA90 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 16mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3250 pf @ 25 v - 214W (TC)
MTA15N06 onsemi MTA15N06 0.5200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
MCH3382-TL-H onsemi MCH3382-TL-H -
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MCH33 MOSFET (금속 (() SC-70FL/MCPH3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 198mohm @ 1a, 4.5v - 2.3 NC @ 4.5 v ± 9V 170 pf @ 6 v - 800MW (TA)
FQU3P20TU onsemi fqu3p20tu -
RFQ
ECAD 5314 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu3 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 p 채널 200 v 2.4A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
FGA90N30TU onsemi fga90n30tu -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga90 기준 219 w to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 300 v 90 a 220 a 1.4V @ 15V, 20A - 87 NC -
NVMFS024N06CT1G onsemi NVMFS024N06CT1G 1.2900
RFQ
ECAD 6600 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS024 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 8A (TA), 25A (TC) 10V 22mohm @ 3a, 10V 4V @ 20µA 5.7 NC @ 10 v ± 20V 333 pf @ 30 v - 3.4W (TA), 28W (TC)
NDD02N60Z-1G onsemi NDD02N60Z-1g -
RFQ
ECAD 4607 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD02 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.8ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 50µA 10.1 NC @ 10 v ± 30V 274 pf @ 25 v - 57W (TC)
SNSM3005NZTAG onsemi SNSM3005NZTAG 0.1200
RFQ
ECAD 159 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 1
NTMD4184PFR2G onsemi NTMD4184PFR2G -
RFQ
ECAD 4194 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMD4184 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 30 v 2.3A (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 4.2 NC @ 4.5 v ± 20V 360 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 770MW (TA)
EFC4C012NLTDG onsemi EFC4C012NLTDG 2.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 EFC4C012 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 6-WLCSP (3.5x1.9) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - - 2.2v @ 1ma 18NC @ 4.5V - -
SVD14N03RT4G onsemi SVD14N03RT4G 0.2313
RFQ
ECAD 8971 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SVD14N MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 1.8 nc @ 5 v ± 20V 115 pf @ 20 v - 1.04W (TA), 20.8W (TC)
NTS4409NT1G onsemi NTS4409NT1G 0.4300
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NTS4409 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 700MA (TA) 2.7V, 4.5V 350mohm @ 600ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 60 pf @ 10 v - 280MW (TJ)
EFC4C002NLTDG onsemi efc4c002nltdg 4.7400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-XFBGA, WLCSP EFC4C002 MOSFET (금속 (() 2.6W 8-WLCSP (6x2.5) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - - 2.2v @ 1ma 45NC @ 4.5V 6200pf @ 15V 논리 논리 게이트
NGTB40N120LWG onsemi NGTB40N120LWG -
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB40 기준 260 W. TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 320 a 2.35V @ 15V, 40A 5.5mj (on), 1.4mj (OFF) 420 NC 140ns/360ns
FQU10N20LTU onsemi fqu10n20ltu -
RFQ
ECAD 3025 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu1 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 200 v 7.6A (TC) 5V, 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 20V 830 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 51W (TC)
NTTFS4937NTWG onsemi NTTFS4937NTWG -
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4937 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 35.5 nc @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 15 v - 860MW (TA), 43.1W (TC)
NVMFS5C645NLT3G onsemi NVMFS5C645NLT3G -
RFQ
ECAD 7122 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 22A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 79W (TC)
ATP113-TL-H onsemi ATP113-TL-H 1.5900
RFQ
ECAD 8535 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP113 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 29.5mohm @ 18a, 10V - 55 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 50W (TC)
FQA24N60 onsemi FQA24N60 6.9200
RFQ
ECAD 310 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA24 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 23.5A (TC) 10V 240mohm @ 11.8a, 10V 5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 25 v - 310W (TC)
ECH8602M-TL-H onsemi ECH8602M-TL-H -
RFQ
ECAD 4796 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8602 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 30mohm @ 3a, 4.5v - 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고