| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PCISL9R860W | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA56_D27Z | - | ![]() | 3696 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | MPSA56 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 80V | 500mA | 100nA | PNP | 200mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8260LET60 | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 12-PowerWDFN | FDMD8260 | MOSFET(금속) | 1.1W | 12-전력3.3x5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 15A | 5.8m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 68nC @ 10V | 5245pF @ 30V | - | |||||||||||||||||||
![]() | BC847AM3T5G | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | BC847 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-BC847AM3T5GTR | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76619D3ST | - | ![]() | 5822 | 0.00000000 | 온세미 | UltraFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | HUFA76 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 18A(TC) | 4.5V, 10V | 85m옴 @ 18A, 10V | 3V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±16V | 25V에서 767pF | - | 75W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | MPS4126RLRAG | - | ![]() | 8264 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | MPS412 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 200mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 120 @ 2mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSR58 | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR58 | 250mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | - | 40V | 15V에서 8mA | 800mV @ 0.5nA | 60옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MTD10N10ELT4 | - | ![]() | 3508 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MTD10 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 10A(TC) | 5V | 220m옴 @ 5A, 5V | 2V @ 250μA | 15nC @ 5V | ±15V | 25V에서 1040pF | - | 1.75W(Ta), 40W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | KSD1020YTA | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 | KSD1020 | 350mW | TO-92S | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 70mA, 700mA | 120 @ 100mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4983NFT3G | - | ![]() | 1771년 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerTDFN, 5리드 | NTMFS4983 | MOSFET(금속) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 22A(Ta), 106A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.1m옴 @ 30A, 10V | 2.3V @ 1mA | 47.9nC @ 10V | ±20V | 3250pF @ 15V | - | 1.7W(Ta), 38W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | MUN2136T1G | 0.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2136 | 230mW | SC-59 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 300μA, 10mA에서 250mV | 80 @ 5mA, 10V | 100kΩ | 100kΩ | |||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N60NZ | 1.5500 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 온세미 | UniFET-II™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FDPF5 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 2옴 @ 2.25A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±25V | 25V에서 600pF | - | 33W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | BC640-016G | - | ![]() | 3236 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | BC640 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP3055 | - | ![]() | 7518 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-218-3 | TIP30 | 90W | SOT-93 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TIP3055OS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 60V | 15A | 700μA | NPN | 3V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | 2.5MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FDFMA3P029Z | - | ![]() | 2515 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | FDFMA3 | MOSFET(금속) | 6-MLP(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 3.3A(타) | 87m옴 @ 3.3A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | 15V에서 435pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 1.4W(타) | |||||||||||||||||||
![]() | FCH041N60F-F085 | 14.4700 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, SuperFET® II | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | FCH041 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 76A(티씨) | 10V | 41m옴 @ 38A, 10V | 5V @ 250μA | 347nC @ 10V | ±20V | 10900pF @ 25V | - | 595W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | 2N4410 | - | ![]() | 6762 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N4410 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 80V | 200mA | 10nA(ICBO) | NPN | 100μA에서 200mV, 1mA | 60 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | NSS20501UW3TBG | 0.2575 | ![]() | 5423 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-WDFN 옆패드 | NSS20501 | 875mW | 3-WDFN(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20V | 5A | 100nA(ICBO) | NPN | 125mV @ 400mA, 4A | 200 @ 2A, 2V | 150MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MMBFJ177LT1G | 0.5400 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBFJ177 | 225mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 11pF @ 10V(VGS) | 30V | 1.5mA @ 15V | 800mV @ 10nA | 300옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTC080N120SC1 | - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 분수 | SiCFET(탄화규소) | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-NTC080N120SC1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 1200V | 31A(Tc) | 20V | 110m옴 @ 20A, 20V | 4.3V @ 5mA | 56nC @ 20V | +25V, -15V | 800V에서 1112pF | - | 178W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | FJN3314RBU | - | ![]() | 7756 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN331 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||
![]() | NSV60201SMTWTBG | 0.2218 | ![]() | 9297 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | NSV60201 | 1.8W | 6-WDFN(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 60V | 2A | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 200mA, 2A | 150 @ 100mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MTD1312T4 | 0.2500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1419T-TD-E | 0.7100 | ![]() | 797 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 2SA1419 | 500mW | PCP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 160V | 1.5A | 1μA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | NSBC144EDXV6T1 | - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD120AN15A0 | 0.9100 | ![]() | 4813 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | FDD120 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 150V | 2.8A(Ta), 14A(Tc) | 6V, 10V | 120m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 770pF | - | 65W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | NVMFS5844NLWFT1G | - | ![]() | 8593 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | NVMFS5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5826NLT1G | - | ![]() | 5929 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | NVMFS5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTJD5121NT1G | 0.3700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD5121 | MOSFET(금속) | 250mW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 295mA | 1.6옴 @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250μA | 0.9nC @ 4.5V | 26pF @ 20V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||
![]() | 30C02MH-TL-E | 0.4200 | ![]() | 8804 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 30C02 | 600mW | 3-MCPH | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 190mV @ 10mA, 200mA | 300 @ 50mA, 2V | 540MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

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