SIC
close

트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
MMBT4401-ON onsemi MMBT4401 온 -
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 15,000 40 v 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
J109-D26Z onsemi J109-D26Z 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J109 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 40 ma @ 15 v 2 V @ 10 NA 12 옴
MMBF4393 onsemi MMBF4393 -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF43 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 14pf @ 20V 30 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
FDPC5030SG onsemi FDPC5030SG 1.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDPC5030 MOSFET (금속 (() 1W, 1.1W 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 17a, 25a 5mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1715pf @ 15V -
NVB099N65S3 onsemi NVB099N65S3 3.1064
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 온세미 Superfet® III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D²PAK-3 (TO-263-3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVB099N65S3TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 740µA 61 NC @ 10 v ± 30V 2480 pf @ 400 v - 227W (TC)
FDW2507NZ onsemi FDW2507NZ -
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 7.5A 19mohm @ 7.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 28NC @ 4.5V 2152pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTMFS4898NFT1G onsemi NTMFS4898NFT1G -
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 13.2A (TA), 117A (TC) 3MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 49.5 nc @ 10 v 3233 pf @ 12 v -
NTJS3157NT2 onsemi NTJS3157NT2 -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJS31 MOSFET (금속 (() SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 500 pf @ 10 v - 1W (TA)
FQPF12N60CT onsemi FQPF12N60CT -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2290 pf @ 25 v - 51W (TC)
SBC817-16LT3G onsemi SBC817-16LT3G 0.3800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC817 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
FDB3672 onsemi FDB3672 -
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB367 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 7.2A (TA), 44A (TC) 6V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 120W (TC)
EMF18XV6T5 onsemi EMF18XV6T5 0.0500
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000
MCH6602-TL-E onsemi MCH6602-TL-E -
RFQ
 ECAD 8655 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6602 MOSFET (금속 (() 800MW 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 350ma 3.7ohm @ 80ma, 4v - 1.58NC @ 10V 7pf @ 10V 논리 논리 게이트
FQB2N30TM onsemi FQB2N30TM -
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 300 v 2.1A (TC) 10V 3.7ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 40W (TC)
FDD8796 onsemi FDD8796 0.9200
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD879 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2610 pf @ 13 v - 88W (TC)
SMP3003-TL-1E onsemi SMP3003-TL-1E -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SMP3003 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 75 v 100A (TA) 4V, 10V 8mohm @ 50a, 10V - 280 nc @ 10 v ± 20V 13400 pf @ 20 v - 90W (TC)
FGA180N33ATTU onsemi FGA180N33ATTU -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA180 기준 390 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 - 도랑 330 v 180 a 450 a 1.4V @ 15V, 40A - 169 NC -
FQP13N06 onsemi FQP13N06 -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 13A (TC) 10V 135mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 310 pf @ 25 v - 45W (TC)
NTMFS4945NT3G onsemi NTMFS4945NT3G -
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 7.4A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 17.6 NC @ 10 v ± 20V 1205 pf @ 15 v - 910MW (TA), 19.8W (TC)
FDP085N10A onsemi FDP085N10A -
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP085 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 96A (TC) 10V 8.5mohm @ 96a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2695 pf @ 50 v - 188W (TC)
NSB9435T1G onsemi NSB9435T1G 0.6900
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NSB9435 720 MW SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 3 a - pnp- 사전- 550MV @ 300MA, 3A 125 @ 800ma, 1V 110MHz 10 KOHMS
HUF75329P3 onsemi HUF75329P3 -
RFQ
 ECAD 4620 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HUF75 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
FQU2N90TU-AM002 onsemi FQU2N90TU-AM002 -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu2n90 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 7.2ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDP025N06 onsemi FDP025N06 4.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP025 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.5mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 226 NC @ 10 v ± 20V 14885 pf @ 25 v - 395W (TC)
FQPF16N25 onsemi FQPF16N25 -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 9.5A (TC) 10V 230mohm @ 4.75a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 50W (TC)
ECH8690-TL-H onsemi ECH8690-TL-H 1.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8690 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 4.7A, 3.5A 55mohm @ 2a, 10V - 18NC @ 10V 955pf @ 20V 논리 논리 게이트, 4v 드라이브
MUN5330DW1T1 onsemi MUN5330DW1T1 0.0600
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 mun53 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
CPH5504-TL-E onsemi CPH5504-TL-E 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 CPH5504 1.2W 5-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 50V 3A 1µA (ICBO) 2 NPN (() 210MV @ 100MA, 2A 200 @ 100ma, 2v 380MHz
BC546B_J35Z onsemi BC546B_J35Z -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC546 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
NVMYS8D0N04CTWG onsemi NVMYS8D0N04CTWG 1.4800
RFQ
 ECAD 4025 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK nvmys8 MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TA), 49A (TC) 10V 8.1mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 30µA 10 nc @ 10 v ± 20V 625 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 38W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다