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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | NVTFS8D1N08HTAG | 1.3000 | ![]() | 6564 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvtfs8d1n08htagtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 14A (TA), 61A (TC) | 6V, 10V | 8.3mohm @ 16a, 10V | 4V @ 270µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 40 v | - | 3.8W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||
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![]() | PCISL9R860W | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | RJK03E2DNS-00#J5 | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-HWSON (3.3x3.3) | - | 2156-RJK03E2DNS-00#J5 | 1 | n 채널 | 30 v | 16A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 1mA | 1.8 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1100 pf @ 10 v | - | 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3149m | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-2SC3149M | 825 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVBC123JDXV6T1G | - | ![]() | 6417 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NSVBC123 | 357MW | SOT-563 | 다운로드 | 488-NSVBC123JDXV6T1GTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 250mv @ 1ma, 10ma | 80 @ 5ma, 10V | - | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFWS004N10MCT1G | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFWS004 | MOSFET (금속 (() | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) | 다운로드 | 488-NVMFWS004N10MCT1GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 21A (TA), 138A (TC) | 10V | 3.9mohm @ 48a, 10V | 4V @ 270µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 164W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NSVBC143JPDXV6T1G | - | ![]() | 7104 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NSVBC143 | 357MW | SOT-563 | 다운로드 | 488-NSVBC143JPDXV6T1GTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V | - | 2.2kohms, 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PCRU420D-R4707 | - | ![]() | 7776 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | PCRU420 | - | 488-PCRU420D-R4707 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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