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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FCP220N80 onsemi FCP220N80 7.3400
RFQ
 ECAD 570 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP220 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 23A (TC) 10V 220mohm @ 11.5a, 10V 4.5V @ 2.3MA 105 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 100 v - 278W (TC)
MMBFJ203 onsemi MMBFJ203 -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ2 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 - 40 v 4 ma @ 20 v 2 V @ 10 NA
NTD20N06T4 onsemi NTD20N06T4 -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD20 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTD20N06T4OS 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TA) 10V 46mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 25 v - 1.88W (TA), 60W (TJ)
BCW72LT1 onsemi BCW72LT1 -
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW72 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500µa, 10ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
NTBL082N65S3HF onsemi NTBL082N65S3HF 8.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Superfet® III, FRFET® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 1MA 79 NC @ 10 v ± 30V 3330 pf @ 400 v - 313W (TC)
FQB20N06TM onsemi FQB20N06TM -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 53W (TC)
KSC1008YBU onsemi KSC1008YBU 0.4300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1008 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
FDMS86181E onsemi FDMS86181E -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 FDMS86 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
2SC4400-3-TL-E onsemi 2SC4400-3-TL-E 0.0700
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
KSC1623GMTF onsemi KSC1623GMTF -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC1623 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 1ma, 6v 250MHz
NTA4015NT1G onsemi nta4015nt1g -
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 MOSFET (금속 (() SC-75, SOT-416 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 20 v 238MA (TJ) 3ohm @ 10ma, 4.5v 1.5V @ 100µa ± 10V 20 pf @ 5 v - 300MW (TJ)
KSC2784PBU onsemi KSC2784PBU -
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 KSC2784 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 120 v 50 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 200 @ 1ma, 6v 110MHz
FQH44N10 onsemi FQH44N10 -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FQH4 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 39mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 180W (TC)
NTD4979NT4G onsemi NTD4979NT4G -
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD49 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.4A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 837 pf @ 15 v - 1.38W (TA), 26.3W (TC)
NVMFS5885NLT1G onsemi NVMFS5885NLT1G -
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5885 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 10.2A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1340 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 54W (TC)
MPSL01_D26Z onsemi MPSL01_D26Z -
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSL01 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 120 v 200 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 5V 60MHz
IRFR120ATM onsemi IRFR120ATM -
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 8.4A (TC) 10V 200mohm @ 4.2a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 480 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 32W (TC)
SS9013HBU onsemi SS9013HBU -
RFQ
 ECAD 6079 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9013 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 144 @ 50MA, 1V -
FDMS2510SDC onsemi FDMS2510SDC -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 온세미 Dual Cool ™, Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS25 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 28A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 23a, 10V 3V @ 1mA 45 NC @ 10 v ± 20V 2780 pf @ 13 v - 3.3W (TA), 60W (TC)
NSCT817-25LT3G onsemi NSCT817-25LT3G -
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT81 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
KSC2330ABU onsemi KSC2330ABU -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 KSC2330 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 6,000 400 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 40 @ 20MA, 10V 50MHz
FDN86501LZ onsemi FDN86501LZ 2.1000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN86501 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 116mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 335 pf @ 30 v - 1.5W (TA)
MMBT4403K onsemi MMBT4403K -
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA - PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
DTA114EET1G onsemi dta114eet1g 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 200 MW SC-75, SOT-416 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 10 KOHMS 10 KOHMS
MUN5233DW1T1 onsemi MUN5233DW1T1 -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun52 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V - 4.7kohms 47kohms
2SJ632-M-TD-E onsemi 2SJ632-M-TD-E 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-2SJ632-M-TD-E-488 1
KSP62BU onsemi KSP62BU -
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP62 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 10µA, 10MA 20000 @ 10ma, 5V 125MHz
NVBG160N120SC1 onsemi NVBG160N120SC1 13.7700
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA NVBG160 sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 19.5A (TC) 20V 224mohm @ 12a, 20V 4.3v @ 2.5ma 33.8 nc @ 20 v +25V, -15V 678 pf @ 800 v - 136W (TC)
NTB45N06LT4G onsemi NTB45N06LT4G -
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB45 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 45A (TA) 5V 22.5A, 5V 28mohm 2V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 15V 1700 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 125W (TJ)
NTMFD4902NFT1G onsemi NTMFD4902NFT1G -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD4902 MOSFET (금속 (() 1.1W, 1.16W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 10.3a, 13.3a 6.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 9.7NC @ 4.5V 1150pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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