전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 전류 전류 (ID) - 최대 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC3330T-AC | 0.0400 | ![]() | 126 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD8P10TF_NB82052 | - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD8 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 100 v | 6.6A (TC) | 10V | 530mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 470 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | FQD3P50TF | - | ![]() | 8782 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD3 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 500 v | 2.1A (TC) | 10V | 4.9ohm @ 1.05a, 10V | 5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 660 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C638NLT1G | 2.4300 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 26A (TA), 133A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 50A, 10V | 2V @ 250µA | 40.7 NC @ 10 v | ± 20V | 2880 pf @ 25 v | - | 4W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | ATP218-TL-H | - | ![]() | 6487 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | atpak (2 2+탭) | ATP218 | MOSFET (금속 (() | atpak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TA) | 2.5V, 4.5V | 3.8mohm @ 50a, 4.5v | - | 70 NC @ 4.5 v | ± 10V | 6600 pf @ 10 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | 2N3442 | - | ![]() | 6616 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N344 | 117 w | To-204 (To-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 140 v | 10 a | 200ma | NPN | 5V @ 2A, 10A | 20 @ 3a, 4v | 80MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CPH3459-TL-W | - | ![]() | 1753 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CPH3459 | MOSFET (금속 (() | 3-cph | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 500MA (TA) | 4V, 10V | 3.7ohm @ 250ma, 10V | 2.6v @ 1ma | 2.4 NC @ 10 v | ± 20V | 90 pf @ 20 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | HUF76429D3S | - | ![]() | 3359 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | huf76 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 16V | 1480 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | FDS7779Z | - | ![]() | 3753 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS77 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 16A (TA) | 4.5V, 10V | 7.2MOHM @ 16A, 10V | 3V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 25V | 3800 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | FDMS86500L | 2.7600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86500 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 25A (TA), 80A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 12530 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | MUN2240T1 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2240 | 338 MW | SC-59 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 1ma, 10ma | 120 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTH4L025N065SC1 | 22.5900 | ![]() | 4425 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-Nth4L025N065SC1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 650 v | 99A (TC) | 15V, 18V | 28.5mohm @ 45a, 18V | 4.3V @ 15.5mA | 164 NC @ 18 v | +22V, -8V | 3480 pf @ 15 v | - | 348W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | 2SK544F-AC | - | ![]() | 9891 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH5908G-TL-E | - | ![]() | 9533 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 5-SMD,, 리드 | MCH59 | 300MW | 5mcph | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 10.5pf @ 5v | 10 ma @ 5 v | 300 mV @ 100 µa | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB13N06LTM | - | ![]() | 7511 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB1 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 13.6A (TC) | 5V, 10V | 110mohm @ 6.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.4 NC @ 5 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | BXL4004-1EX | 1.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1207T-AA | - | ![]() | 1071 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 600MW | 3-NP | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SA1207T-AA-488 | 1 | 160 v | 70 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 3ma, 30ma | 200 @ 10ma, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS6H858NT1G | 3.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2832-ntmfs6h858nt1gtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 143 | n 채널 | 80 v | 8.4A (TA) | 6V, 10V | 20.7mohm @ 5a, 10V | 4V @ 30µA | 8.9 NC @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 40 v | - | 3.5W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | NVJS3151PT1G | - | ![]() | 7040 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NVJS31 | MOSFET (금속 (() | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 3.3a, 4.5v | 1.2V @ 100µa | 8.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 850 pf @ 12 v | - | 625MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2SC5231C9-TL-E | 0.1800 | ![]() | 285 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | 100MW | 3-SMCP | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SC5231C9-TL-E | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 12db | 10V | 70ma | NPN | 135 @ 20MA, 5V | 7GHz | 1DB @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 30C02S-TL-E | 0.0500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB5411NT4G | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB54 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 10MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 166W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | FDI045N10A | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FDI045 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 20V | 5270 pf @ 50 v | - | 263W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | KSC1393RTA | - | ![]() | 6596 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSC1393 | 250MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 20dB ~ 24dB | 30V | 20MA | NPN | 40 @ 2MA, 10V | 700MHz | 2DB ~ 3db @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ413-TH | - | ![]() | 7484 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SJ413-TH-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NJVMJD210T4G-VF01 | - | ![]() | 4817 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 1.4 w | DPAK | - | 영향을받지 영향을받지 | 488-NJVMJD210T4G-VF01 | 쓸모없는 | 1 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1.8v @ 1a, 5a | 70 @ 500ma, 1V | 65MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | nvd4c05nt4g | 0.8077 | ![]() | 1505 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | NVD4C05 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-nvd4c05nt4g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C410NLT1G | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 48A (TA), 315A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 143 NC @ 10 v | ± 20V | 8862 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDMA2002NZ | 0.9300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | FDMA2002 | MOSFET (금속 (() | 650MW | 6 x 2 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 2.9A | 123mohm @ 2.9a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 4.5V | 220pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||
NVD5867NLT4G-TB01 | - | ![]() | 2602 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD586 | MOSFET (금속 (() | DPAK-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 6A (TA), 22A (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 11a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 675 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 43W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고