전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTMTS0D4N04CLTXG | 16.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NTMTS0 | MOSFET (금속 (() | 8-DFNW (8.3x8.4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 79.8A (TA), 553.8A (TC) | 4.5V, 10V | 0.4mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 250µA | 341 NC @ 10 v | ± 20V | 20600 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 244W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB088N08_F141 | - | ![]() | 3495 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB088 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 8.8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 6595 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | fjpf13009ttu | - | ![]() | 8751 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FJPF13009 | 50 W. | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 12 a | - | NPN | 3v @ 3a, 12a | 8 @ 5a, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVHL055N60S5F | 8.1500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NVHL055 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVHL055N60S5f | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 600 v | 45A (TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a, 10V | 4.8V @ 5.2MA | 85.2 NC @ 10 v | ± 30V | 4603 pf @ 400 v | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TN2907A_D26Z | - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | TN2907 | 625 MW | TO-226 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60 v | 800 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF245A_J35Z | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BF245 | - | JFET | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 6.5MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2224-E | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NVATS4A102PZT4G | - | ![]() | 7832 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVATS4 | MOSFET (금속 (() | atpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 44A (TA) | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 20a, 10V | 2.6v @ 1ma | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1490 pf @ 10 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTGS4111PT1 | - | ![]() | 9141 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | NTGS41 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3.7a, 10V | 3V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 15 v | - | 630MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF5XV6T5 | - | ![]() | 5461 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMF5XV | 500MW | SOT-563 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V, 12V | 100ma, 500ma | 500NA | 1 npn 프리 n, 1 pnp | 250mv @ 300µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma | 80 @ 5ma, 10v / 270 @ 10ma, 2v | - | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3405-TL-E | 0.1000 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUN2216T1 | 0.0200 | ![]() | 228 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | MUN2216 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqu6n25tu | - | ![]() | 8076 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | fqu6 | MOSFET (금속 (() | i-pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 250 v | 4.4A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.2a, 10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75652G3 | - | ![]() | 4043 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | hufa75 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 150 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 475 NC @ 20 v | ± 20V | 7585 pf @ 25 v | - | 515W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD6828NLT4G | 1.0000 | ![]() | 2548 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | NVD6828 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS005P03P8ZST1G | 0.7155 | ![]() | 8085 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-ntmfs005p03p8zst1gtr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | p 채널 | 30 v | 15.3A (TA) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 22a, 10V | 3V @ 250µA | 183 NC @ 10 v | ± 25V | 7880 pf @ 15 v | - | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB564ACOTA | - | ![]() | 3182 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSB56 | 800MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 70 @ 100MA, 1V | 110MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
NXH35C120L2C2ESG | 83.2917 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 26-powerdip ip (1.199 ", 47.20mm) | NXH35 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | 26-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NXH35C120L2C2ESG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | - | 1200 v | 35 a | 2.4V @ 15V, 35A | 250 µA | 예 | 8.333 NF @ 20 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842S3st | - | ![]() | 9767 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 10V | 42MOHM @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 20 v | ± 20V | 2730 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC490A | - | ![]() | 4019 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BC490 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 100 @ 100ma, 2v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
NVD5484NLT4G-VF01 | - | ![]() | 1501 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD5484 | MOSFET (금속 (() | DPAK-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 10.7A (TA), 54A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1410 pf @ 25 v | - | 3.9W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD5C454NT4G | 2.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD5C454 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 82A (TC) | 10V | 40a, 40a, 10V 4.2mohm | 4V @ 70µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MUN5133T1 | 0.0500 | ![]() | 162 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | mun5133 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1804T-TL-E | 0.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 807 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC859CLT1 | - | ![]() | 3262 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC859 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD1028T4 | 0.8300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBCX19LT1 | 0.0200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 620mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA55LT3 | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA55 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 60 v | 500 MA | 100NA | PNP | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC035N10X1 | - | ![]() | 9408 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 488-FDMC035N10X1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 5.5A (TA) | 6V, 10V | 37mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 2675 pf @ 50 v | - | 2.3W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6776A | - | ![]() | 8286 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD677 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 17.7A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 17.7a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1490 pf @ 13 v | - | 3.7W (TA), 39W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고