전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5194 | 0.1400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2N5194 | 40 W. | TO-126 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 60 v | 4 a | 1MA | PNP | 600mv @ 150ma, 1.5a | 25 @ 1.5A, 2V | 2MHz | ||||||||||||||||
![]() | FQD1N60TF | - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 1A (TC) | 10V | 11.5ohm @ 500ma, 10V | 5V @ 250µA | 6 nc @ 10 v | ± 30V | 150 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||
![]() | FQD16N15TM | - | ![]() | 4739 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 11.8A (TC) | 10V | 160mohm @ 5.9a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 910 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||
![]() | fqd5n60ctm | 1.2800 | ![]() | 5393 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD5N60 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 2.8A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 30V | 670 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 49W (TC) | |||||||||||
![]() | NVTFWS020N06CTAG | 0.6303 | ![]() | 8251 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFWS020 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvtfws020n06ctagtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 7A (TA), 27A (TC) | 10V | 20.3mohm @ 4a, 10V | 4V @ 20µA | 5.8 nc @ 10 v | ± 20V | 355 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 31W (TC) | ||||||||||
![]() | ntmfs4c06nt1g | 1.3500 | ![]() | 2587 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1683 pf @ 15 v | - | 770MW (TA), 30.5W (TC) | |||||||||||
![]() | SBC807-16LT3G | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SBC807 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BMS3003-1E | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BMS30 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3SG | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 78A (TA) | 4V, 10V | 6.5mohm @ 39a, 10V | - | 285 NC @ 10 v | ± 20V | 13200 pf @ 20 v | - | 2W (TA), 40W (TC) | |||||||||||
![]() | KSA708YBU | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KSA708 | 800MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2832-KSA708YBU | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 60 v | 700 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 50MA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||
![]() | NTA4151PT1 | - | ![]() | 5106 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | NTA41 | MOSFET (금속 (() | SC-75, SOT-416 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 760MA (TJ) | 1.8V, 4.5V | 360mohm @ 350ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 2.1 NC @ 4.5 v | ± 6V | 156 pf @ 5 v | - | 301MW (TJ) | |||||||||||
![]() | HUFA75343G3 | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | hufa75 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 150 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | ||||||||||||
![]() | NVBG089N65S3F | 6.3699 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NVBG089 | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVBG089N65S3ftr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 37A (TC) | 10V | 89mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 970µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 3598 pf @ 400 v | - | 291W (TC) | ||||||||||
![]() | NTMFS022N15MC | 2.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 7.3A (TA), 41.9A (TC) | 8V, 10V | 22mohm @ 18a, 10V | 4.5V @ 100µa | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 1315 pf @ 75 v | - | 2.5W (TA), 80.6W (TC) | ||||||||||||
![]() | MSC2712YT1 | 0.0200 | ![]() | 607 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | MSC27 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4124LT1 | - | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT4124 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 25 v | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 120 @ 2MA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SC3461m | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 140 W. | To-3PB | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SC3461M-488 | 1 | 800 v | 8 a | 10µA (ICBO) | NPN | 2V @ 800MA, 4A | 20 @ 600ma, 5V | 15MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SD400E-MP | 0.1600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSB709-RT2 | 0.0200 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2362KG-AA | 0.1800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6H836NWFT3G | 0.6206 | ![]() | 6563 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMFS6H836NWFT3GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 15A (TA), 74A (TC) | 10V | 6.7mohm @ 15a, 10V | 4V @ 95µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1640 pf @ 40 v | - | 3.7W (TA), 89W (TC) | |||||||||||
![]() | MMUN2132LT1 | 0.0200 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | MMUN2132 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5500 | - | ![]() | 6307 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP55 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 269 NC @ 20 v | ± 20V | 3565 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||
![]() | MPS6651 | - | ![]() | 1003 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | MPS665 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 25 v | 1 a | 100NA | PNP | 600mv @ 100ma, 1a | 50 @ 500ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | NVMFD5C674NLT1G | 2.0300 | ![]() | 3481 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5 | MOSFET (금속 (() | 3W (TA), 37W (TC) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 11A (TA), 42A (TC) | 14.4mohm @ 10a, 10V | 25µa @ 2.2v | 4.7nc @ 4.5v | 640pf @ 25V | - | |||||||||||||
![]() | HUF75332P3 | 1.9400 | ![]() | 527 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | HUF75332 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 60A (TC) | 10V | 19mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 145W (TC) | |||||||||||
![]() | SCH1406-TL-E | - | ![]() | 4649 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | 6-sch | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-SCH1406-TL-E-488 | 1 | n 채널 | 20 v | 1.7A (TA) | 1.8V, 4V | 210mohm @ 1a, 4v | 1.3v @ 1ma | 4.5 nc @ 10 v | ± 10V | 100 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | NTD4906NAT4H | 0.5000 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | NTD4906 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 606 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3650-TD-E | - | ![]() | 2023 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 150 MW | SOT-89/PCP-1 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SC3650-TD-E-488 | 1 | 25 v | 500 MA | - | NPN | 500mv @ 5ma, 50ma | 300 @ 10ma, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FDMS86520L | 2.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86520 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 13.5A (TA), 22A (TC) | 4.5V, 10V | 8.2mohm @ 13.5a, 10V | 3V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 4615 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | |||||||||||
![]() | NVB260N65S3 | 2.9000 | ![]() | 3756 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D²PAK-3 (TO-263-3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 260mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 290µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 1010 pf @ 400 v | - | 90W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고