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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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NVD5863NLT4G-VF01 | - | ![]() | 5499 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD5863 | MOSFET (금속 (() | DPAK-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVD5863NLT4G-VF01TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 14.9A (TA), 82A (TC) | 4.5V, 10V | 7.1MOHM @ 41A, 10V | 3V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3850 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||
NXH35C120L2C2S1G | 60.6317 | ![]() | 7919 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 26-powerdip ip (1.199 ", 47.20mm) | NXH35 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | 26-DIP | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NXH35C120L2C2S1G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | - | 1200 v | 35 a | 2.4V @ 15V, 35A | 250 µA | 예 | 8.33 NF @ 20 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDCTR08120A | 3.1938 | ![]() | 2128 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | NDCTR08120 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-ndctr08120atr | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS016N06CTAG | 0.6525 | ![]() | 4866 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS016 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTTFS016N06CTAGTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 8A (TA), 32A (TC) | 10V | 16.3mohm @ 5a, 10V | 4V @ 25µA | 6.9 NC @ 10 v | ± 20V | 489 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C673NT1G | 0.6888 | ![]() | 9172 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 14A (TA), 50A (TC) | 10V | 10.7mohm @ 7a, 10V | 4V @ 35µA | 9.6 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 30 v | - | 3.6W (TA), 46W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS6H854NLTAG | 0.6096 | ![]() | 1448 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS6 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvtfs6h854nltagtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 10A (TA), 41A (TC) | 4.5V, 10V | 13.4mohm @ 10a, 10V | 2V @ 45µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 902 pf @ 40 v | - | 3.2W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | njvmjd41ct4g | 0.9200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NJVMJD41 | 1.75 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 100 v | 6 a | 50µA | NPN | 1.5V @ 600MA, 6A | 30 @ 300ma, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | NVMFS6H836NLWFT1G | 1.4500 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS6 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 16A (TA), 77A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 15a, 10V | 2V @ 95µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 40 v | - | 3.7W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||
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NVBGS6D5N15MC | 4.3374 | ![]() | 1802 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | NVBGS6 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 15A (TA), 121A (TC) | 8V, 10V | 7mohm @ 69a, 10V | 4.5V @ 379µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 4745 pf @ 75 v | - | 3.7W (TA), 238W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | njvmjd45h11rlg | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NJVMJD45 | 1.75 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,800 | 80 v | 8 a | 10µA | PNP | 1V @ 400MA, 8A | 60 @ 2a, 1v | 40MHz | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | NTBG060N090SC1 | 15.1500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NTBG060 | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 5.8A (TA), 44A (TC) | 15V | 84mohm @ 20a, 15V | 4.3V @ 5mA | 88 NC @ 15 v | +19V, -10V | 1800 PF @ 450 v | - | 3.6W (TA), 211W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NTDV20N06LT4G-VF01 | 0.6260 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTDV20 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 20A (TA) | 10V | 46mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1015 pf @ 25 v | - | 1.88W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS0D9N03CGT1G | 3.2900 | ![]() | 466 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS0 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 48A (TA), 298A (TC) | 10V | 0.9mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 200µA | 131.4 NC @ 10 v | ± 20V | 9450 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 144W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NVHL060N090SC1 | 22.1900 | ![]() | 434 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NVHL060 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVHL060N090SC1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 900 v | 46A (TC) | 15V | 84mohm @ 20a, 15V | 4.3V @ 5mA | 87 NC @ 15 v | +19V, -10V | 1770 pf @ 450 v | - | 221W (TC) | ||||||||||||||||||||
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![]() | MTAJ3055EL | 0.4700 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4085LS-CBC11 | 1.2800 | ![]() | 239 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 2SK4085 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGB8206ANSL3G | 0.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NGB8206 | 논리 | 150 W. | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 9A, 1KOHM, 5V | - | 390 v | 20 a | 50 a | 1.9V @ 4.5V, 20A | - | -/5µs | |||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6717 온 | 0.1400 | ![]() | 1478 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1 W. | SOT-223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | 80 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 350MV @ 10ma, 250ma | 80 @ 50MA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SMBT1588LT3 | 0.0200 | ![]() | 870 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CPH3237-TL-E | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-96 | 900 MW | 3-cph | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3,000 | 15 v | 6 a | 100NA (ICBO) | NPN | 120MV @ 60MA, 3A | 250 @ 500ma, 2V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSTB1003DXV5T1 | 0.0500 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSA1162GT1GH6-PANA | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGB15N41ACLT4G | 0.6700 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 논리 | 107 w | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 399 | 300V, 6.5A, 1kohm | - | 440 v | 15 a | 50 a | 2.2V @ 4V, 10A | - | -/4µs | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1450S-AA | 0.1400 | ![]() | 7598 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1,500 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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