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트랜지스터(17799)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 - RDS(켜짐) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f) 소스 소스(Id) - 최대
FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3 4.3000
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 SuperFET® III 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-PowerTSFN FCMT250 MOSFET(금속) 파워88 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 650V 12A(TC) 10V 250m옴 @ 6A, 10V 4.5V @ 1.2mA 24nC @ 10V ±30V 400V에서 1010pF - 90W(Tc)
NVHL040N60S5F onsemi NVHL040N60S5F 10.7100
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 ECAD 450 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 NVHL040 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NVHL040N60S5F EAR99 8541.29.0095 450 N채널 600V 59A (Tc) 10V 40m옴 @ 29.5A, 10V 4.8V @ 7.2mA 115nC @ 10V ±30V 400V에서 6318pF - 347W(Tc)
KSD227YTA onsemi KSD227YTA -
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 ECAD 1467 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSD227 400mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 25V 300mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 30mA, 300mA 120 @ 50mA, 1V -
FCP104N60F onsemi FCP104N60F 6.3200
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 ECAD 5216 0.00000000 온세미 HiPerFET™, Polar™ 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FCP104 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 37A (Tc) 10V 104m옴 @ 18.5A, 10V 5V @ 250μA 145nC @ 10V ±20V 25V에서 6130pF - 357W(Tc)
TF252TH-5-TL-H onsemi TF252TH-5-TL-H -
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 ECAD 7589 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 TF252 100mW 3-VTFP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 3.1pF @ 2V 210μA @ 2V 1V @ 1μA 1mA
NTGS3433T1 onsemi NTGS3433T1 0.0900
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 ECAD 50 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 NTGS34 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000
NDS0610-PG onsemi NDS0610-PG -
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 ECAD 4160 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NDS0610-PGTR EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 60V 120mA(타) 4.5V, 10V 10옴 @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA 2.5nC @ 10V ±20V 25V에서 79pF - 360mW(타)
KSD1621RTF onsemi KSD1621RTF -
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 ECAD 7138 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA KSD1621 500mW SOT-89-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 4,000 25V 2A 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 75mA, 1.5A 100 @ 100mA, 2V 150MHz
NVMFS5C442NWFAFT3G onsemi NVMFS5C442NWFAFT3G -
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 ECAD 4212 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 32nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V - 3.7W(Ta), 83W(Tc)
TF218THC-5-TL-H onsemi TF218THC-5-TL-H 0.0500
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 ECAD 137 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 8,000
FQH8N100C onsemi FQH8N100C 5.5900
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 ECAD 8735 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 FQH8N100 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1000V 8A(TC) 10V 1.45옴 @ 4A, 10V 5V @ 250μA 70nC @ 10V ±30V 3220pF @ 25V - 225W(Tc)
FH105A-TR-E onsemi FH105A-TR-E -
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 ECAD 1672년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FH105 150mW 6-MCP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 10dB @ 1.5GHz 10V 30mA NPN 0.95 @ 10mA, 5V 8GHz 1.4dB @ 1.5GHz
NVMFWS014P04M8LT1G onsemi NVMFWS014P04M8LT1G 1.0000
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 ECAD 8294 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 P채널 40V 12.5A(Ta), 52.1A(Tc) 4.5V, 10V 13.8m옴 @ 15A, 10V 420μA에서 2.4V 26.5nC @ 10V ±20V 20V에서 1734pF - 3.6W(Ta), 60W(Tc)
NTNS41S006PZTCG onsemi NTNS41S006PZTCG 0.0900
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 ECAD 280 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NTNS41S006PZTCG-488 1
NVH4L040N120SC1 onsemi NVH4L040N120SC1 40.0000
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 ECAD 384 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 NVH4L040 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NVH4L040N120SC1 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 58A(티씨) 20V 56m옴 @ 35A, 20V 4.3V @ 10mA 106nC @ 20V +25V, -15V 800V에서 1762pF - 319W(Tc)
FGHL40S65UQ onsemi FGHL40S65UQ -
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 ECAD 1753년 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 FGHL40 기준 231W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. FGHL40S65UQOS EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 6옴, 15V 319ns 트렌치 필드스톱 650V 80A 120A 1.7V @ 15V, 40A 1.76mJ(켜짐), 362μJ(꺼짐) 306nC 32ns/260ns
FQB3N25TM onsemi FQB3N25TM -
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 ECAD 4446 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB FQB3 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 250V 2.8A(Tc) 10V 2.2옴 @ 1.4A, 10V 5V @ 250μA 5.2nC @ 10V ±30V 25V에서 170pF - 3.13W(Ta), 45W(Tc)
NVJD5121NT1G-M06 onsemi NVJD5121NT1G-M06 0.3900
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 ECAD 6448 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NVJD5121 MOSFET(금속) 250mW(타) SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 295mA(타) 1.6옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 250μA 0.9nC @ 4.5V 26pF @ 20V -
EMF23XV6T5G onsemi EMF23XV6T5G 0.0600
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 ECAD 88 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-EMF23XV6T5G-488 1
FQU20N06TU onsemi FQU20N06TU -
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 ECAD 8559 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA FQU2 MOSFET(금속) 아이팩 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 60V 16.8A(Tc) 10V 63m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 590pF - 2.5W(Ta), 38W(Tc)
2SC5808-E onsemi 2SC5808-E 0.3100
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 ECAD 11 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
NST4617MX2T5G onsemi NST4617MX2T5G 0.0601
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 ECAD 4645 0.00000000 온세미 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 NST4617 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000
BSR56 onsemi BSR56 -
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 ECAD 7320 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR56 250mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 - 40V 15V에서 50mA 4V @ 0.5nA 25옴
NTD6414ANT4G onsemi NTD6414ANT4G 1.7500
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTD6414 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 32A(Tc) 10V 37m옴 @ 32A, 10V 4V @ 250μA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 1450pF - 100W(Tc)
3LN01C-TB-E onsemi 3LN01C-TB-E -
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 ECAD 2969 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3LN01 MOSFET(금속) SC-59-3/CP3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 150mA(타) 1.5V, 4V 3.7옴 @ 80mA, 4V - 1.58nC @ 10V ±10V 10V에서 7pF - 250mW(타)
FDG6301N-F085 onsemi FDG6301N-F085 -
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 ECAD 6016 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6301 MOSFET(금속) 300mW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 25V 220mA 4옴 @ 220mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 0.4nC @ 4.5V 9.5pF @ 10V 게임 레벨 레벨
J177_D27Z onsemi J177_D27Z -
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 ECAD 7115 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 J177 350mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 P채널 - 30V 1.5mA @ 15V 800mV @ 10nA 300옴
TIP137 onsemi TIP137 0.5900
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 ECAD 24 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 508 100V 8A 500μA PNP-달링턴 4V @ 30mA, 6A 1000 @ 4A, 4V -
MJD210T4 onsemi MJD210T4 0.4100
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 ECAD 12 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MJD21 1.4W DPAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 25V 5A 100nA(ICBO) PNP 1.8V @ 1A, 5A 45 @ 2A, 1V 65MHz
NTMFS4120NT3G onsemi NTMFS4120NT3G -
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 ECAD 6945 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NTMFS4 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 5,000 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 26A, 10V 2.5V @ 250μA 50nC @ 4.5V ±20V 3600pF @ 24V - 900mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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