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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76445S3S | - | ![]() | 7214 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | huf76 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 16V | 4965 pf @ 25 v | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQD8P10TM_SB82052 | - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD8 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 6.6A (TC) | 10V | 530mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 470 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008obu-on | - | ![]() | 1891 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800MW | To-92-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 700 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 70 @ 50MA, 2V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4488 | 0.5800 | ![]() | 266 | 0.00000000 | 온세미 | * | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | FDS44 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-FDS4488tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8935 | - | ![]() | 9968 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 80V | 2.1a | 183mohm @ 2.1a, 10V | 3V @ 250µA | 19NC @ 10V | 879pf @ 40v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4849NT1G | - | ![]() | 8280 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 10.2A (TA), 71A (TC) | 4.5V, 11.5V | 5.1MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 16V | 2040 pf @ 12 v | - | 870MW (TA), 42.4W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N33ATDTU | - | ![]() | 4818 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | fga90 | 기준 | 223 w | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 23 ns | 도랑 | 330 v | 90 a | 330 a | 1.4V @ 15V, 20A | - | 95 NC | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC548B | - | ![]() | 2804 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BC548 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 30 v | 100 MA | 15NA | NPN | 250mv @ 500µa, 10ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EC4307KF-TR | 0.2500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTY14N100E | 4.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPIC2112DW | 0.8200 | ![]() | 3927 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 255 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6729A | - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN6729 | 1 W. | TO-226-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 250ma | 50 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSD602-RT1 | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | MSD60 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N20L | - | ![]() | 9837 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FQAF1 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 200 v | 16A (TC) | 5V, 10V | 140mohm @ 8a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | ndd60n360u1t4g | - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NDD60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 360mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 25V | 790 pf @ 50 v | - | 114W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MDC3237T1 | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntmys4d5n04ctwg | 1.5838 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1023, 4-LFPAK | ntmys4 | MOSFET (금속 (() | LFPAK4 (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 20A (TA), 80A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 35a, 10V | 3.5V @ 50µA | 18 nc @ 10 v | 20V | 1150 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTBG028N170M1 | 42.9900 | ![]() | 8427 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NTBG028 | sicfet ((카바이드) | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-ntbg028n170m1tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1700 v | 71A (TC) | 20V | 40mohm @ 60a, 20V | 4.3v @ 20ma | 222 NC @ 20 v | +25V, -15V | 4160 pf @ 800 v | - | 428W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1684T | 0.2300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC612PZ | - | ![]() | 8040 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | FDMC61 | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 14A (TA) | 2.5V, 4.5V | 8.4mohm @ 14a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 74 NC @ 4.5 v | ± 12V | 7995 pf @ 10 v | - | 2.3W (TA), 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDS351N | - | ![]() | 2755 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NDS351 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.1A (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 1.4a, 10V | 2V @ 250µA | 3.5 nc @ 5 v | ± 20V | 140 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | fqaf11n40 | - | ![]() | 6075 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FQAF1 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 400 v | 8.8A (TC) | 10V | 480mohm @ 4.4a, 10V | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ663P | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, WLCSP | FDZ66 | MOSFET (금속 (() | 4-WLCSP (0.8x0.8) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 2.7A (TA) | 1.5V, 4.5V | 134mohm @ 2a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 8.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 525 pf @ 10 v | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFWS016N06CT1G | 0.7508 | ![]() | 8429 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFWS016 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMFWS016N06CT1GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 10A (TA), 33A (TC) | 10V | 15.6mohm @ 5a, 10V | 4V @ 25µA | 6.9 NC @ 10 v | ± 20V | 489 pf @ 30 v | - | 3.4W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | MMUN2113LT3G | 0.1300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMUN2113 | 246 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3626S | - | ![]() | 4756 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS3626 | MOSFET (금속 (() | 1W | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 17.5a, 25a | 5mohm @ 17.5a, 10V | 2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1570pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP075N15A-F032 | - | ![]() | 6899 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-FDP075N15A-F032 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 130A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 7350 pf @ 75 v | - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDWS9511L-F085 | - | ![]() | 6872 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDWS9511 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5.1x6.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 20 v | - | 68.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4080E-TD-E | 0.2400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF199RL1 | 0.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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