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트랜지스터 (17799)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
nttys009n08hltwg	0.8328	RFQ	7504	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56		MOSFET (금속 (()		8-LFPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-nttys009n08hltwgtr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	12A (TA), 58A (TC)	4.5V, 10V	8.6mohm @ 10a, 10V	2V @ 70µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1402 pf @ 40 v	-	3.2W (TA), 73W (TC)
3LP03SS-TL-E	0.0600	RFQ	16	온세미	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	8,000
KSP42ATA	-	RFQ	8659	온세미	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1
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NTMFS4C910NBT1G	0.4385	RFQ	8469	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				NTMFS4				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-NTMFS4C910NBT1GTR	귀 99	8541.29.0095	1,500
CPH3422-TL-E	0.1100	RFQ	30	온세미	*	대부분	활동적인				CPH3422	-			-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				3,000											-
NTGS4141NT1	-	RFQ	8624	온세미	-	대부분	쓸모없는		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	NTGS41	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	5A (TA)		25mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 v		560 pf @ 24 v	-
ntljf3118ntag	-	RFQ	2704	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	NTLJF31	MOSFET (금속 (()		6-wdfn (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2.6A (TA)	1.8V, 4.5V	65mohm @ 3.8a, 4.5v	1V @ 250µA	3.7 NC @ 4.5 v	± 12V	271 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	700MW (TA)
NTD85N02R	-	RFQ	3819	온세미	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	NTD85	MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	24 v	12A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	5.2MOHM @ 20A, 10V	2V @ 250µA	17.7 NC @ 5 v	± 20V	2050 pf @ 20 v	-	1.25W (TA), 78.1W (TC)
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FDS4935BZ	0.9500	RFQ	22	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FDS49	MOSFET (금속 (()	900MW	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	6.9A		22mohm @ 6.9a, 10V	3V @ 250µA	40NC @ 10V		1360pf @ 15V	논리 논리 게이트
SMMBFJ310LT3	-	RFQ	8612	온세미	*	대부분	활동적인								다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000
NTMFS4C822NAT1G	0.7311	RFQ	6161	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn, 5 리드		MOSFET (금속 (()		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	30 v	30A (TA), 136A (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	45.2 NC @ 10 v	± 20V	3071 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 64W (TC)
NTMFS4936NT3G	-	RFQ	3897	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn, 5 리드	NTMFS4936	MOSFET (금속 (()		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	11.6A (TA), 79A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	43 NC @ 10 v	± 20V	3044 pf @ 15 v	-	920MW (TA), 43W (TC)
NTDV20P06LT4G-VF01	-	RFQ	1853	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	60 v	15.5A (TC)	5V	150mohm @ 7.5a, 5V	2V @ 250µA	26 NC @ 5 v	± 20V	1190 pf @ 25 v	-	65W (TC)
2SA1471R	-	RFQ	6655	온세미	*	대부분	활동적인								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1
FDD10AN06A0	2.0400	RFQ	3443	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	FDD10AN06	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	11A (TA), 50A (TC)	6V, 10V	10.5mohm @ 50a, 10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	1840 pf @ 25 v	-	135W (TC)
FP105-TL-E	0.4500	RFQ	207	온세미	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1,000
MMFT960T1G	-	RFQ	3912	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	MMFT96	MOSFET (금속 (()		SOT-223 (TO-261)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1,000		n 채널	60 v	300MA (TC)	10V	1.7ohm @ 1a, 10V	3.5V @ 1mA	3.2 NC @ 10 v	± 30V	65 pf @ 25 v	-	800MW (TA)
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mgp7n60e	0.4600	RFQ	6	온세미	*	대부분	활동적인								다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1
BC182LB_J35Z	-	RFQ	9465	온세미	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC182		350 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000													50 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	40 @ 10µa, 5V	150MHz
DTC143ZET1G	0.1700	RFQ	8	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-75, SOT-416	DTC143		200 MW	SC-75, SOT-416	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000													50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	250mv @ 1ma, 10ma	80 @ 5ma, 10V		4.7 Kohms	47 Kohms
FDMC7570S	2.9100	RFQ	848	온세미	Powertrench®, SyncFet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	FDMC7570	MOSFET (금속 (()		Power33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	27A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 27A, 10V	3V @ 1mA	68 NC @ 10 v	± 20V	4410 pf @ 13 v	-	2.3W (TA), 59W (TC)
FQPF34N20L	-	RFQ	5678	온세미	QFET®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	FQPF3	MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	17.5A (TC)	5V, 10V	75mohm @ 8.75a, 10V	2V @ 250µA	72 NC @ 5 v	± 20V	3900 pf @ 25 v	-	55W (TC)
2SB1167T	0.2900	RFQ	158	온세미	*	대부분	활동적인								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1
KST64MTF	-	RFQ	8342	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KST64		350 MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													30 v	500 MA	100NA (ICBO)	pnp- 달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	125MHz
FMBM5401	0.5000	RFQ	9	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	FMBM5		700 MW	SUPERSOT ™ -6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													150 v	600 MA	50NA (ICBO)	PNP	500mv @ 5ma, 50ma	60 @ 10ma, 5V	300MHz
CPH6443-TL-W	0.4600	RFQ	12	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	CPH6443	MOSFET (금속 (()		6-CPH	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	35 v	6A (TA)	4V, 10V	37mohm @ 3a, 10V	2.6v @ 1ma	10 nc @ 10 v	± 20V	470 pf @ 20 v	-	1.6W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²