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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 전압 - 출력 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 전압 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 전류 전류 (ID) - 최대 | 전압- v (VT) | 전류- 양극 게이트에서 누출 (igao) | 현재 -볼리 (IV) | 현재 - 피크 |
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![]() | FQP4N25 | - | ![]() | 4312 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.8a, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 v | ± 30V | 200 pf @ 25 v | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ECH8659-TL-W | - | ![]() | 6943 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | ech8659 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | SOT-28FL/ech8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 7a | 24mohm @ 3.5a, 10V | 2.6v @ 1ma | 11.8NC @ 10V | 710pf @ 10V | 논리 논리 게이트, 4v 드라이브 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP12N50NZ | - | ![]() | 6702 | 0.00000000 | 온세미 | Unifet-II ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP12 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 11.5A (TC) | 10V | 520mohm @ 5.75a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 1235 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqd30n06ltm | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD3 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 24A (TC) | 5V, 10V | 39mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 1040 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FGB30N6S2D | - | ![]() | 2073 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FGB3 | 기준 | 167 w | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 12a, 10ohm, 15V | 46 ns | - | 600 v | 45 a | 108 a | 2.5V @ 15V, 12a | 55µJ (on), 100µJ (OFF) | 23 NC | 6ns/40ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDMA7632 | - | ![]() | 5106 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | FDMA76 | MOSFET (금속 (() | 6 x 2 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 760 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjn598jabu | - | ![]() | 4973 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN598 | 150 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 100 µa @ 5 v | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTLJS17D0P03P8ZTAG | 1.0900 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | NTLJS17 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 11.3MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 25V | 1600 pf @ 15 v | - | 860MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | NVMYS012N10MCLTWG | 0.6547 | ![]() | 6858 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1023, 4-LFPAK | NVMYS012 | MOSFET (금속 (() | LFPAK4 (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvmys012n10mcltwgtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 11.6A (TA), 52A (TC) | 4.5V, 10V | 12.2mohm @ 14a, 10V | 3V @ 77µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 1338 pf @ 50 v | - | 3.6W (TA), 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3775-4-TB-E | - | ![]() | 8756 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250MW | 3-cp | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SC3775-4-TB-E-488 | 1 | 14db | 12V | 100ma | NPN | 100 @ 20ma, 10V | 5GHz | 1.5dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F59314548D | - | ![]() | 3664 | 0.00000000 | 온세미 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | F5931 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559BZL1 | 0.0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 16,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1013YTA | 0.5600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | KSA1013 | 900 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 160 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50MA, 500MA | 160 @ 200ma, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB3946 | - | ![]() | 8660 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FFB39 | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200ma | 50NA (ICBO) | NPN, PNP | 250mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 10ma, 1v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SMP3003-DL-1EX | - | ![]() | 9645 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | SMP3003 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 800 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDH8304P | - | ![]() | 1745 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-LSOP (0.130 ", 3.30mm 너비) | NDH8304 | MOSFET (금속 (() | 800MW | SUPERSOT ™ -8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2.7a | 70mohm @ 2.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 23NC @ 4.5V | 865pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK669-AC | 0.1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 온세미 | - | 상자 | 쓸모없는 | 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | MOSFET (금속 (() | 3- 스파 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 20ohm @ 10ma, 10V | - | 15 pf @ 10 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF8N60C | - | ![]() | 8511 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 7.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.75a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1255 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | huf7663s3st | - | ![]() | 3454 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | huf76 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 39A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 39a, 10V | 3V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 16V | 1820 pf @ 25 v | - | 145W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtp20n15eg | - | ![]() | 2843 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MTP20 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 20A (TC) | 10V | 130mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 55.9 nc @ 10 v | ± 20V | 1627 pf @ 25 v | - | 112W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJE702 | - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | MJE702 | 40 W. | TO-126 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 v | 4 a | 100µA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD5C446NLT1G | 4.3700 | ![]() | 3220 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5 | MOSFET (금속 (() | 3.5W (TA) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 25A (TA), 145A (TC) | 2.65mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 90µA | 25NC @ 4.5V | 3170pf @ 25V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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