SIC
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트랜지스터(17799)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
FCB20N60FTM onsemi FCB20N60FTM 5.9100
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 ECAD 6644 0.00000000 온세미 SuperFET™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB FCB20N60 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 600V 20A(TC) 10V 190m옴 @ 10A, 10V 5V @ 250μA 98nC @ 10V ±30V 3080pF @ 25V - 208W(Tc)
NVMFS5C450NWFT3G onsemi NVMFS5C450NWFT3G -
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 ECAD 4215 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 102A(Tc) 10V 3.3m옴 @ 50A, 10V 65μA에서 3.5V 23nC @ 10V ±20V 25V에서 1600pF - 3.6W(Ta), 68W(Tc)
NGTB30N120IHSWG onsemi NGTB30N120IHSWG -
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 ECAD 3758 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 NGTB30 기준 192W TO-247-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 600V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 1200V 60A 200A 2.4V @ 15V, 30A 1mJ(꺼짐) 220nC -/210ns
BDW94CF onsemi BDW94CF -
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 ECAD 8630 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 BDW94 30W TO-220F-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 100V 12A 1mA PNP-달링턴 3V @ 100mA, 10A 750 @ 5A, 3V -
FDMB668P onsemi FDMB668P -
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 ECAD 8864 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDMB66 MOSFET(금속) 8-MLP, 마이크로FET(3x1.9) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6.1A(타) 1.8V, 4.5V 35m옴 @ 6.1A, 4.5V 1V @ 250μA 59nC @ 10V ±8V 2085pF @ 10V - 1.9W(타)
MJD44H11TF onsemi MJD44H11TF -
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 ECAD 4270 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MJD44 1.75W D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 80V 8A 10μA NPN 1V @ 400mA, 8A 40 @ 4A, 1V 50MHz
FDMC86340ET80 onsemi FDMC86340ET80 3.6000
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 ECAD 8075 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDMC86340 MOSFET(금속) 파워33 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 80V 14A(Ta), 68A(Tc) 8V, 10V 6.5m옴 @ 14A, 10V 4V @ 250μA 49nC @ 10V ±20V 40V에서 2775pF - 2.8W(Ta), 65W(Tc)
BS108G onsemi BS108G -
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 ECAD 7347 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 BS108 MOSFET(금속) TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 N채널 200V 250mA(타) 2V, 2.8V 8옴 @ 100mA, 2.8V 1.5V @ 1mA ±20V 25V에서 150pF - 350mW(타)
MMDF3N04HDR2G onsemi MMDF3N04HDR2G -
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 ECAD 3061 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MMDF3 MOSFET(금속) 1.39W 8-SOIC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 40V 3.4A 80m옴 @ 3.4A, 10V 3V @ 250μA 28nC @ 10V 32V에서 900pF 게임 레벨 레벨
MPS8599 onsemi MPS8599 -
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 ECAD 5147 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 MPS859 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 80V 500mA 100nA PNP 400mV @ 5mA, 100mA 100 @ 1mA, 5V 150MHz
NTTFS5C460NLTAG onsemi NTTFS5C460NLTAG 1.4100
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 ECAD 1530 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NTTFS5 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 19A(Ta), 74A(Tc) 4.8m옴 @ 35A, 10V 2V @ 40μA -
NVMFS5C628NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C628NLWFAFT1G 2.9500
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 ECAD 4320 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 60V 28A(Ta), 150A(Tc) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 50A, 10V 2V @ 135μA 52nC @ 10V ±20V 3600pF @ 25V - 3.7W(Ta), 110W(Tc)
NVMFS5C468NLWFT3G onsemi NVMFS5C468NLWFT3G -
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 ECAD 8155 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 37A (Tc) 4.5V, 10V 10.3m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 7.3nC @ 10V ±20V 25V에서 570pF - 3.5W(Ta), 28W(Tc)
NTB30N20T4G onsemi NTB30N20T4G -
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 ECAD 8670 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB NTB30 MOSFET(금속) D²PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 200V 30A(타) 10V 81m옴 @ 15A, 10V 4V @ 250μA 100nC @ 10V ±30V 2335pF @ 25V - 2W(Ta), 214W(Tc)
FJL6920TU onsemi FJL6920TU 6.5200
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 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-264-3, TO-264AA FJL6920 200W TO-264-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 800V 20A 1mA NPN 3V @ 2.75A, 11A 5.5 @ 11A, 5V -
BFL4004-1E onsemi BFL4004-1E -
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 ECAD 9808 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 BFL40 MOSFET(금속) TO-220F-3FS 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 4.3A(Tc) 10V 2.5옴 @ 3.25A, 10V - 36nC @ 10V ±30V 30V에서 710pF - 2W(Ta), 36W(Tc)
NTMS4503NR2 onsemi NTMS4503NR2 -
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 ECAD 6979 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) NTMS45 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 N채널 28V 9A(타) 4.5V, 10V 8m옴 @ 14A, 10V 2V @ 250μA 23nC @ 4.5V ±20V 16V에서 2400pF - 930mW(타)
NTD4959NH-1G onsemi NTD4959NH-1G -
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 ECAD 9022 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA NT$49 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 30V 9A(Ta), 58A(Tc) 4.5V, 11.5V 9m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 44nC @ 11.5V ±20V 12V에서 2155pF - 1.3W(Ta), 52W(Tc)
NTD5865NLT4G onsemi NTD5865NLT4G 1.4400
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 ECAD 8023 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTD5865 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 46A(Tc) 4.5V, 10V 16m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 29nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 71W(Tc)
BC327-25ZL1 onsemi BC327-25ZL1 -
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 ECAD 7204 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 327년 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 800mA 100nA PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 260MHz
FJV4104RMTF onsemi FJV4104RMTF -
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 ECAD 7665 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV410 200mW SOT-23-3 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
NSCT3904LT1G onsemi NSCT3904LT1G -
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 ECAD 8368 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT39 225mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA - NPN 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
NVMFS6B25NLT1G onsemi NVMFS6B25NLT1G -
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 ECAD 8095 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NVMFS6 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 100V 8A(타), 33A(타) 4.5V, 10V 24m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 13.5nC @ 10V ±16V 25V에서 905pF - 3.6W(Ta), 62W(Tc)
FDD6N25TM onsemi FDD6N25TM 0.6700
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 ECAD 3222 0.00000000 온세미 UniFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FDD6N25 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 250V 4.4A(Tc) 10V 1.1옴 @ 2.2A, 10V 5V @ 250μA 6nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 50W(Tc)
MMBT3416 onsemi MMBT3416 -
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 ECAD 6345 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3416 350mW SOT-23-3 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500mA - NPN - - -
KSA1203YTF onsemi KSA1203YTF -
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 ECAD 2634 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA KSA12 1W SOT-89-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 2V @ 30mA, 1.5A 160 @ 500mA, 2V 120MHz
NJVMJD31T4G onsemi NJVMJD31T4G 0.6100
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 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NJVMJD31 1.56W DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 40V 3A 50μA NPN 1.2V @ 375mA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
2SC2960E-SPA-AC onsemi 2SC2960E-SPA-AC 0.0600
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 ECAD 26 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 5,323
FDP12N60NZ onsemi FDP12N60NZ 2.2000
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 ECAD 156 0.00000000 온세미 UniFET-II™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FDP12 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(TC) 10V 650m옴 @ 6A, 10V 5V @ 250μA 34nC @ 10V ±30V 25V에서 1676pF - 240W(Tc)
EMX1DXV6T1G onsemi EMX1DXV6T1G 0.5000
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMX1DXV6 500mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA(ICBO) 2 NPN(이중) 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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