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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BD243B onsemi BD243B -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD243 65 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 80 v 6 a 700µA NPN 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3a, 4v -
PN3640_D27Z onsemi PN3640_D27Z -
RFQ
 ECAD 5284 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN364 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 12 v 200 MA 10NA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 30 @ 10MA, 300MV 500MHz
2N5401RLRMG onsemi 2N5401RLRMG -
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2N5401 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BC556BTAR onsemi BC556BTAR -
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC556 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
BC182_D27Z onsemi BC182_D27Z -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC182 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 150MHz
MJL21196G onsemi MJL21196G 5.4200
RFQ
 ECAD 6807 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MJL21196 200 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 250 v 16 a 100µA NPN 4V @ 3.2A, 16A 25 @ 8a, 5V 4MHz
MCH6544-TL-E onsemi MCH6544-TL-E -
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6544 550MW 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 100mv @ 10ma, 100ma 300 @ 10ma, 2v 500MHz
2SK3492-TL-E onsemi 2SK3492-TL-E 0.5100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 700
MJD200T4 onsemi MJD200T4 -
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD20 12.5 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 25 v 5 a - NPN 300mv @ 50ma, 500ma 45 @ 2A, 1V 65MHz
FJAF6806DYDTBTU onsemi fjaf6806dydtbtu -
RFQ
 ECAD 8916 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 fjaf6806 50 W. to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 750 v 6 a 1MA NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5V -
BD787 onsemi BD787 -
RFQ
 ECAD 7150 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD787 15 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 60 v 4 a 100µA NPN 2.5V @ 800MA, 4A 40 @ 200ma, 3v 50MHz
MPS6717 onsemi MPS6717 -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS671 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MPS6717OS 귀 99 8541.29.0095 5,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
MJE702G onsemi MJE702G -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE702 40 W. TO-126 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 80 v 4 a 100µA pnp- 달링턴 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5a, 3v -
KSA940TSTU onsemi KSA940TSTU -
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSA940 1.5 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 150 v 1.5 a 10µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 40 @ 500ma, 10V 4MHz
2N5308_D27Z onsemi 2N5308_D27Z -
RFQ
 ECAD 9259 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5308 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.4V @ 200µA, 200mA 7000 @ 2MA, 5V -
NXH50M65L4Q1SG onsemi NXH50M65L4Q1SG 76.0300
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 86 w 기준 56-PIM (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH50M65L4Q1SG 귀 99 8541.29.0095 21 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 2.22V @ 15V, 50A 300 µA 예 3.137 NF @ 20 v
MJE2955T onsemi MJE2955T -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE2955 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJE2955TOS 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 10 a 700µA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4a, 4v 2MHz
NDS8435A onsemi NDS8435A -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS843 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q4210279C 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.9A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 7.9a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FDS7288N3 onsemi FDS7288N3 -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS72 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20.5a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 15 v - 3W (TA)
FDB6021P onsemi FDB6021P -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB602 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 20 v 28A (TA) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 14a, 4.5v 1.5V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 8V 1890 pf @ 10 v - 37W (TC)
FQD17P06TF onsemi FQD17P06TF -
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD1 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 135mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 25V 900 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
MJD31CT4 onsemi MJD31CT4 -
RFQ
 ECAD 1611 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 15 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJD31CT4OSTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
MJ802G onsemi MJ802G 7.7200
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MJ802 200 w To-204 (To-3) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 MJ802GOS 귀 99 8541.29.0095 100 90 v 30 a 1MA (ICBO) NPN 800mv @ 750ma, 7.5a 25 @ 7.5A, 2V 2MHz
FDS6680A onsemi FDS6680A 0.9100
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS6680 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12.5a, 10V 3V @ 250µA 23 nc @ 5 v ± 20V 1620 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FDD5N50TM-WS onsemi FDD5N50TM-WS 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD5N50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 640 pf @ 25 v - 40W (TC)
SDTC114EET1G onsemi sdtc114eet1g 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 SDTC114 200 MW SC-75, SOT-416 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 10 KOHMS 10 KOHMS
BC337A onsemi BC337A -
RFQ
 ECAD 3465 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
KSH31TF onsemi KSH31TF -
RFQ
 ECAD 4255 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH31 1.56 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 40 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
NTP13N10G onsemi NTP13N10G -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP13N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP13N10GOS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 13A (TA) 10V 165mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 64.7W (TC)
FSB649 onsemi FSB649 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FSB649 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 2v 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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