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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BD242CTU | - | ![]() | 9285 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BD242 | 40 W. | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2v @ 600ma, 3a | 25 @ 1a, 4v | - | |||||||||||||||||||||
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![]() | MJD122G | 0.9900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MJD122 | 20 W. | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | 100 v | 8 a | 10µA | npn-달링턴 | 4V @ 80MA, 8A | 1000 @ 4a, 4v | 4MHz | ||||||||||||||||||||
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![]() | PN5434_D27Z | - | ![]() | 7410 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | PN543 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 30pf @ 10V (VGS) | 25 v | 30 ma @ 15 v | 1 V @ 3 NA | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||
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![]() | BC547B | 0.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC547 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
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![]() | MJD112-001 | - | ![]() | 7491 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MJD11 | 1.75 w | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | 100 v | 2 a | 20µA | npn-달링턴 | 3V @ 40MA, 4A | 1000 @ 2a, 3v | 25MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N60TM | - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD3 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 2.4A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 450 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | KSC2310ota | - | ![]() | 4688 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | KSC2310 | 800MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 150 v | 50 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1ma, 10ma | 70 @ 10ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FMMT449 | - | ![]() | 5858 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FMMT44 | 500MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 200MA, 2A | 100 @ 500ma, 2v | 150MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | tip115g | 1.0200 | ![]() | 510 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | tip115 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 2 a | 2MA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4v | - |
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