SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BD18010STU onsemi BD18010STU -
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD180 30 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 80 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 800mv @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2V 3MHz
BDX53B onsemi BDX53B -
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX53 65 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 8 a 500µA npn-달링턴 2v @ 12ma, 3a 750 @ 3a, 3v -
BD242CTU onsemi BD242CTU -
RFQ
ECAD 9285 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD242 40 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 3 a 300µA PNP 1.2v @ 600ma, 3a 25 @ 1a, 4v -
NST847BDP6T5G onsemi NST847BDP6T5G 0.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 NST847 350MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
NSBC124EDXV6T1 onsemi NSBC124EDXV6T1 -
RFQ
ECAD 5803 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSBC124 500MW SOT-563 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V - 22kohms 22kohms
BD676AG onsemi BD676AG -
RFQ
ECAD 8101 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD676 40 W. TO-126 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 45 v 4 a 500µA pnp- 달링턴 2.8V @ 40MA, 2A 750 @ 2a, 3v -
MJH11017G onsemi MJH11017G 5.5400
RFQ
ECAD 2632 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MJH11017 150 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 150 v 15 a 1MA pnp- 달링턴 4V @ 150MA, 15a 400 @ 10a, 5V 3MHz
MPSA63RLRPG onsemi MPSA63RLRPG -
RFQ
ECAD 2817 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA63 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
MMBTA42LT1G onsemi MMBTA42LT1G 0.2200
RFQ
ECAD 252 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
KSB564AOBU onsemi KSB564AOBU -
RFQ
ECAD 3893 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSB56 800MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 70 @ 100MA, 1V 110MHz
BC860BMTF onsemi BC860BMTF -
RFQ
ECAD 2824 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 310 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
2N7052_D74Z onsemi 2N7052_D74Z -
RFQ
ECAD 9586 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N7052 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 100 v 1.5 a 200na npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 1000 @ 1a, 5V 200MHz
BC32716 onsemi BC32716 -
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC327 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
PN3644 onsemi PN3644 -
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN364 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PN3644-NDR 귀 99 8541.21.0095 2,000 45 v 800 MA 35NA PNP 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
MMBT4401LT3G onsemi MMBT4401LT3G 0.1500
RFQ
ECAD 167 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4401 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 600 MA - NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
MJD122G onsemi MJD122G 0.9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD122 20 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 100 v 8 a 10µA npn-달링턴 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4v 4MHz
2SA1827S-AY onsemi 2SA1827S-ay -
RFQ
ECAD 6695 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 없음 2SA1827 1.5 w FLP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 4 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 5V 180MHz
BC859CMTF onsemi BC859CMTF -
RFQ
ECAD 4743 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 310 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
PN5434_D27Z onsemi PN5434_D27Z -
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN543 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30pf @ 10V (VGS) 25 v 30 ma @ 15 v 1 V @ 3 NA 10 옴
FDBL0210N80 onsemi FDBL0210N80 5.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL0210 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 240A (TC) 10V 2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 40 v - 357W (TJ)
BC547B onsemi BC547B 0.4800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC547 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC337-25RL1G onsemi BC337-25RL1G -
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BC337 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 210MHz
2SD1623T-TD-E onsemi 2SD1623T-TD-E 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD1623 500MW PCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 1a 100 @ 100ma, 2v 150MHz
FDS4465-PG onsemi FDS4465-PG -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDS4465-PGTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 13.5A (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V 8237 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
FQD4P25TF onsemi FQD4P25TF -
RFQ
ECAD 3804 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD4 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 3.1A (TC) 10V 2.1ohm @ 1.55a, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 420 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
MJD112-001 onsemi MJD112-001 -
RFQ
ECAD 7491 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MJD11 1.75 w i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 100 v 2 a 20µA npn-달링턴 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2a, 3v 25MHz
FQD3N60TM onsemi FQD3N60TM -
RFQ
ECAD 7814 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSC2310OTA onsemi KSC2310ota -
RFQ
ECAD 4688 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSC2310 800MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 100MHz
FMMT449 onsemi FMMT449 -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT44 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 150MHz
TIP115G onsemi tip115g 1.0200
RFQ
ECAD 510 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip115 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 2 a 2MA pnp- 달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고