SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
NSS30101LT1G onsemi NSS30101LT1G 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSS30101 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA NPN 200mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 100MHz
BCV27 onsemi BCV27 0.3800
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV27 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 220MHz
NTLUS4930NTAG onsemi ntlus4930ntag -
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 NTLUS4930 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 28.5mohm @ 6.1a, 10V 2.2V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 476 pf @ 15 v - 650MW (TA)
EMX1DXV6T1G onsemi EMX1DXV6T1G 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMX1DXV6 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
MMBT5210 onsemi MMBT5210 -
RFQ
ECAD 4935 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5210 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1ma, 10ma 200 @ 100µa, 5V 30MHz
BC557ABU onsemi BC557ABU -
RFQ
ECAD 4612 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC557 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
KST56MTF onsemi KST56MTF -
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST56 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 50MHz
BC847BTT1 onsemi BC847BTT1 -
RFQ
ECAD 1089 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BC847 225 MW SC-75, SOT-416 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PZT2907AT3 onsemi PZT2907AT3 -
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT290 1.5 w SOT-223 (TO-261) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
PZTA92T1 onsemi PZTA92T1 -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 PZTA92 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
BC847ALT1G onsemi BC847ALT1G 0.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
EMC5DXV5T1 onsemi EMC5DXV5T1 -
RFQ
ECAD 7051 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-553 EMC5DX 500MW SOT-553 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V / 20 @ 5MA, 10V - 47kohms, 4.7kohms 47kohms, 10kohms
TLC530FTU onsemi tlc530ftu -
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 TLC530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 330 v 7A (TA) - - - -
MPS2924 onsemi MPS2924 -
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPS292 625 MW To-92-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 500 25 v 100 MA 500NA (ICBO) NPN - 150 @ 2MA, 10V -
BC639_D81Z onsemi BC639_D81Z -
RFQ
ECAD 1638 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC639 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
NTTS2P03R2G onsemi NTTS2P03R2G -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) NTTS2P MOSFET (금속 (() 8-MSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 30 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 2.48a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 20V 500 pf @ 24 v - 600MW (TA)
BCX71K_S00Z onsemi BCX71K_S00Z -
RFQ
ECAD 7418 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 20NA PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V -
MCH6344-TL-H onsemi MCH6344-TL-H -
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6344 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 150mohm @ 1a, 10V - 3.9 NC @ 10 v ± 20V 172 pf @ 10 v - 800MW (TA)
12A02MH-TL-E onsemi 12A02MH-TL-E -
RFQ
ECAD 9904 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 12A02 600MW 3mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 240mv @ 20ma, 400ma 300 @ 10ma, 2v 450MHz
BCP56T1G onsemi BCP56T1G 0.3800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 130MHz
MMBT2222ATT1 onsemi MMBT2222ATT1 0.0200
RFQ
ECAD 186 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 MMBT2222 150 MW SC-75, SOT-416 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
MMBT6427LT1G onsemi MMBT6427LT1G 0.2100
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT6427 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 500 MA 1µA npn-달링턴 1.5V @ 500µA, 500mA 20000 @ 100MA, 5V -
2N2221A onsemi 2N2221A -
RFQ
ECAD 7243 0.00000000 온세미 - 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2221 500MW TO-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 250 40 v 800 MA - NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2N5400_D81Z onsemi 2N5400_D81Z -
RFQ
ECAD 1922 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5400 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 120 v 600 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 40 @ 10ma, 5V 400MHz
FGPF50N33BTTU onsemi FGPF50N33BTTU -
RFQ
ECAD 6867 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF5 기준 43 W. TO-220F-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 도랑 330 v 50 a 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 35 NC -
MPSW45 onsemi MPSW45 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSW45 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MPSW45OS 귀 99 8541.29.0075 5,000 40 v 1 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 2MA, 1A 25000 @ 200ma, 5V 100MHz
NDF04N60ZH onsemi NDF04N60ZH -
RFQ
ECAD 4341 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDF04 MOSFET (금속 (() TO-220-2 풀 -2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.8A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 50µA 29 NC @ 10 v ± 30V 640 pf @ 25 v - 30W (TC)
MUN5315DW1T1 onsemi MUN5315DW1T1 -
RFQ
ECAD 1643 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun53 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V - 10kohms -
2N5210NMBU onsemi 2N5210NMBU -
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5210 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 50 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1ma, 10ma 200 @ 100µa, 5V 30MHz
KSC2756RMTF onsemi KSC2756RMTF -
RFQ
ECAD 3728 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC2756 150MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15db ~ 23db 20V 30ma NPN 60 @ 5MA, 10V 850MHz 6.5dB @ 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고