SIC
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트랜지스터(17799)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BC373 onsemi 373년 -
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 ECAD 8882 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 373년 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 80V 1A 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.1V @ 250μA, 250mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
BC856BMTF onsemi BC856BMTF -
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 ECAD 7521 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
NSVBCP56-10T3G onsemi NSVBCP56-10T3G 0.4300
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 ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA NSVBCP56 1.5W SOT-223 (TO-261) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 80V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 63 @ 150mA, 2V 130MHz
NSS1C201LT1G onsemi NSS1C201LT1G 0.5500
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 ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSS1C201 490mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100V 2A 100nA(ICBO) NPN 150mV @ 200mA, 2A 120 @ 500mA, 2V 110MHz
MMBT4403M3T5G onsemi MMBT4403M3T5G 0.3600
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 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 MMBT4403 265mW SOT-723 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 40V 600mA - PNP 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
NTMFS5C410NLTWFT1G onsemi NTMFS5C410NLTWFT1G -
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 ECAD 4023 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NTMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 50A(Ta), 330A(Tc) 4.5V, 10V 0.9m옴 @ 50A, 10V 2V @ 250μA 143nC @ 10V ±20V 25V에서 8862pF - 3.8W(Ta), 167W(Tc)
NVBG095N065SC1 onsemi NVBG095N065SC1 10.6268
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 ECAD 6243 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA NVBG095 SiCFET(탄화규소) D2PAK-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NVBG095N065SC1TR EAR99 8541.29.0095 800 N채널 650V 30A(Tc) 15V, 18V 105m옴 @ 12A, 18V 4.3V @ 4mA 50nC @ 18V 325V에서 956pF - 110W(Tc)
2N5401NLBU onsemi 2N5401NLBU -
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 ECAD 9850 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5401 625mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 150V 600mA 50nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V 400MHz
NSBC113EPDXV6T1G onsemi NSBC113EPDXV6T1G 0.0698
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 ECAD 9045 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 NSBC113 500mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250mV @ 5mA, 10mA 3 @ 5mA, 10V - 1k옴 1k옴
NTMFS4926NT1G onsemi NTMFS4926NT1G 0.5900
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NTMFS4926 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 30V 9A(Ta), 44A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 17.3nC @ 10V ±20V 15V에서 1004pF - 920mW(Ta), 21.6W(Tc)
2N6387G onsemi 2N6387G 1.1200
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 ECAD 141 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2N6387 2W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 60V 10A 1mA NPN-달링턴 3V @ 100mA, 10A 1000 @ 5A, 3V -
FCD5N60TM onsemi FCD5N60TM 1.7700
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 ECAD 1614 0.00000000 온세미 SuperFET™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FCD5N60 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 4.6A(Tc) 10V 950m옴 @ 2.3A, 10V 5V @ 250μA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 54W(Tc)
BUL146G onsemi BUL146G -
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 ECAD 1185 0.00000000 온세미 스위치 모드™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUL146 100W TO-220 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V 6A 100μA NPN 700mV @ 600mA, 3A 14 @ 500mA, 5V 14MHz
FDP030N06B-F102 onsemi FDP030N06B-F102 2.5200
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 ECAD 3105 0.00000000 온세미 파워트렌치® 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FDP030 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 120A(Tc) 10V 3.1m옴 @ 100A, 10V 4V @ 250μA 99nC @ 10V ±20V 8030pF @ 30V - 205W(Tc)
FDS8813NZ onsemi FDS8813NZ 1.5700
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 ECAD 57 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FDS8813 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 18.5A(타) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 18.5A, 10V 3V @ 250μA 76nC @ 10V ±20V 15V에서 4145pF - 2.5W(타)
KSC1009OTA onsemi KSC1009OTA -
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 ECAD 2771 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSC1009 800mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 140V 700mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 20mA, 200mA 70 @ 50mA, 2V 50MHz
BVSS138LT3G onsemi BVSS138LT3G -
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 ECAD 4834 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BVSS138 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 50V 200mA(타) 3.5옴 @ 200mA, 5V 1.5V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 225mW(타)
FQB16N25CTM onsemi FQB16N25CTM -
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 ECAD 8479 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 250V 15.6A(Tc) 10V 270m옴 @ 7.8A, 10V 4V @ 250μA 53.5nC @ 10V ±30V 25V에서 1080pF - 3.13W(Ta), 139W(Tc)
KSC5402DTF onsemi KSC5402DTF 1.1300
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 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 KSC5402 30W TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 525V 2A 250μA NPN 750mV @ 200mA, 1A 6 @ 1A, 1V 11MHz
EMH2411R-TL-H onsemi EMH2411R-TL-H -
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 ECAD 9391 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 EMH2411 MOSFET(금속) 1.4W 8-EMH - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 30V 5A 36.5m옴 @ 2.5A, 4.5V - 5.9nC @ 4.5V - 레벨 레벨 컨트롤러, 2.5V 드라이브
NTTFS5D1N06HLTAG onsemi NTTFS5D1N06HLTAG 1.8200
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 ECAD 1882년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NTTFS5 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 60V 18A(타), 78A(Tc) 4.5V, 10V 5.2m옴 @ 16A, 10V 2V @ 80μA 22.5nC @ 10V ±20V 30V에서 1610pF - 3.2W(Ta), 63W(Tc)
MCH3377-TL-W onsemi MCH3377-TL-W -
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 ECAD 2754 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MCH3377 MOSFET(금속) 3-MCPH 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.8V, 4.5V 83m옴 @ 1.5A, 4.5V - 4.6nC @ 4.5V ±10V 10V에서 375pF - 1W(타)
KSA1378GBU onsemi KSA1378GBU -
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 ECAD 7133 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 KSA13 300mW TO-92S 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 25V 300mA 100mA(ICBO) PNP 600mV @ 30mA, 300mA 200 @ 50mA, 1V -
NTMFS034N15MC onsemi NTMFS034N15MC 2.0100
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 ECAD 1 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN NTMFS034 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 6.1A(Ta), 31A(Tc) 31m옴 @ 13A, 10V 70μA에서 4.5V 12nC @ 10V ±20V 75V에서 905pF - 2.5W(Ta), 62.5W(Tc)
NTTFS5820NLTWG onsemi NTTFS5820NLTWG -
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 ECAD 4283 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NTTFS5 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 11A(Ta), 37A(Tc) 4.5V, 10V 11.5m옴 @ 8.7A, 10V 2.3V @ 250μA 28nC @ 10V ±20V 25V에서 1462pF - 2.7W(Ta), 33W(Tc)
KSA539OTA onsemi KSA539OTA -
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 ECAD 4208 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSA539 400mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 45V 200mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 15mA, 150mA 70 @ 50mA, 1V -
BC858CLT3G onsemi BC858CLT3G 0.1300
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 ECAD 113 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 300mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 30V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
NTD4969NT4G onsemi NTD4969NT4G -
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 ECAD 2615 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTD4969 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 9.4A(Ta), 41A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 9nC @ 4.5V ±20V 837pF @ 15V - 1.38W(Ta), 26.3W(Tc)
2SJ665-DL-1EX onsemi 2SJ665-DL-1EX -
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 ECAD 7980 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C(타) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 2SJ665 MOSFET(금속) TO-263-2 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 27A(타) 4V, 10V 77m옴 @ 14A, 10V - 74nC @ 10V ±20V 20V에서 4200pF - 65W(Tc)
2N3906RLRMG onsemi 2N3906RLRMG -
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 ECAD 5748 0.00000000 온세미 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 2N3906 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 40V 200mA - PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
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