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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NTMFS4847NT1G onsemi NTMFS4847NT1G -
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 11.5A (TA), 85A (TC) 4.5V, 11.5V 4.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 16V 2614 pf @ 12 v - 880MW (TA), 48.4W (TC)
HUFA75332S3ST onsemi hufa75332s3st -
RFQ
 ECAD 4635 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 60A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 145W (TC)
NTD60N02R onsemi NTD60N02R -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 8.5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 58W (TC)
MJ15011G onsemi MJ15011G -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 온세미 - 쟁반 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MJ150 200 w To-204 (To-3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 250 v 10 a 1MA NPN 1V @ 400MA, 4A 20 @ 2a, 2v -
NTK3142PT1H onsemi NTK3142PT1H -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-ntk3142pt1htr 쓸모없는 4,000
SMUN5314DW1T1G onsemi smun5314dw1t1g 0.4100
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 smun5314 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 10kohms 47kohms
NTMFS5C442NLTT1G onsemi NTMFS5C442NLTT1G 1.7066
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 28A (TA), 130A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
FDB0190N807L onsemi FDB0190N807L 5.9700
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) FDB0190 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 270A (TC) 8V, 10V 1.7mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 249 NC @ 10 v ± 20V 19110 pf @ 40 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
TIP42CTU onsemi tip42ctu -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 42 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
5LP01M-TL-H onsemi 5LP01M-TL-H -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 5LP01 MOSFET (금속 (() MCP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 70MA (TA) 1.5V, 4V 23ohm @ 40ma, 4v - 1.4 NC @ 10 v ± 10V 7.4 pf @ 10 v - 150MW (TA)
MJL21194 onsemi MJL21194 -
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MJL21 200 w TO-264 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJL21194OS 귀 99 8541.29.0095 25 250 v 16 a 100µA NPN 4V @ 3.2A, 16A 25 @ 8a, 5V 4MHz
P2N2222AZL1 onsemi P2N2222AZL1 -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) P2N222 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 600 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BU323Z onsemi BU323Z -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 BU323 150 W. SOT-93 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 350 v 10 a 100µA npn-달링턴 1.7V @ 250MA, 10A 500 @ 5a, 4.6v 2MHz
BC517-D74Z onsemi BC517-D74Z 0.5100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC517 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 30000 @ 20MA, 2V -
FDU8796 onsemi FDU8796 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FDU87 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2610 pf @ 13 v - 88W (TC)
FQP18N50V2 onsemi FQP18N50V2 -
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 265mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 3290 pf @ 25 v - 208W (TC)
NVMFD5C478NLT1G onsemi NVMFD5C478NLT1G 1.7300
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA), 23W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 10.5A (TA), 29A (TC) 14.5mohm @ 7.5a, 10V 2.2V @ 20µA 8.1NC @ 10V 420pf @ 25V -
MSB710-RT1G onsemi MSB710-RT1G -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MSB71 200 MW SC-59 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 150ma, 10V -
2SA1344-TB-E onsemi 2SA1344-TB-E 0.0600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
NTMFS6H848NT1G onsemi NTMFS6H848NT1G 2.0200
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 13A (TA), 57A (TC) 6V, 10V 9.4mohm @ 10a, 10V 4V @ 70µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1180 pf @ 40 v - 3.7W (TA), 73W (TC)
FDD86102LZ onsemi FDD86102LZ 1.6200
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD86102 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 8A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 22.5mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1540 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
NVTFS4C10NTAG onsemi nvtfs4c10ntag 1.2300
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS4 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 15.3A (TA), 47A (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 19.3 NC @ 10 v ± 20V 993 pf @ 15 v - 3W (TA), 28W (TC)
FDBL0210N80 onsemi FDBL0210N80 5.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL0210 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 240A (TC) 10V 2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 40 v - 357W (TJ)
NVMFSC0D9N04CL onsemi NVMFSC0D9N04CL 5.5200
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn NVMFSC0 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6.15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 50A (TA), 316A (TC) 10V 0.87mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 4.1W (TA), 166W (TC)
FMB3946 onsemi FMB3946 0.5400
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FMB39 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 1ma, 10ma 100 @ 10ma, 1v 200MHz
FQP70N08 onsemi FQP70N08 -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 70A (TC) 10V 17mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 25V 2700 pf @ 25 v - 155W (TC)
TIP117G onsemi tip117g 0.8300
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip117 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 tip117gos 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2MA pnp- 달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
BC848BWT1G onsemi BC848BWT1G 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 150 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BD233STU onsemi BD233STU -
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD233 25 W. TO-126-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 45 v 2 a 100µA (ICBO) NPN 600mv @ 100ma, 1a 25 @ 1a, 2v 3MHz
BDX34BTSTU onsemi BDX34BTSTU -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX34 70 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 10 a 500µA PNP 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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