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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | FQB2NA90TM | - | ![]() | 5588 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB2 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 2.8A (TC) | 10V | 5.8ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4027T-TL-H | 0.7100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SC4027 | 1 W. | TP-FA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 700 | 160 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | NPN | 450MV @ 50MA, 500MA | 200 @ 100ma, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6350-TL-E | - | ![]() | 1962 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-23-6 | CPH635 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4V, 10V | 43mohm @ 3a, 10V | - | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EM3T5G | 0.3700 | ![]() | 9564 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC124 | 260 MW | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250MV @ 300µA, 10MA | 60 @ 5MA, 10V | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6615-TL-E | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C468NLT3G | - | ![]() | 5465 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 37A (TC) | 4.5V, 10V | 10.3mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 7.3 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4921NT1G | - | ![]() | 7605 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 8.8A (TA), 58.5A (TC) | 4.5V, 11.5V | 6.95mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 11.5 v | ± 20V | 1400 pf @ 12 v | - | 870MW (TA), 38.5W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | MPSH81_D26Z | - | ![]() | 9386 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSH81 | 350MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | - | 20V | 50ma | PNP | 60 @ 5MA, 10V | 600MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf9n50cf | - | ![]() | 8248 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDB7030L | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB703 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 80A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 20V | 2440 pf @ 15 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | EC4404C-TL | 0.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC86324 | 0.7117 | ![]() | 6777 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMC86 | MOSFET (금속 (() | Power33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 7A (TA), 20A (TC) | 6V, 10V | 23mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 965 pf @ 50 v | - | 2.3W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | TIP100G | 1.2300 | ![]() | 835 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TIP100 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 8 a | 50µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 80MA, 8A | 1000 @ 3A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | NTJD1155LT2G | 0.5400 | ![]() | 934 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD1155 | MOSFET (금속 (() | 400MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 8V | - | 175mohm @ 1.2a, 4.5v | 1V @ 250µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | hufa76404dk8t | - | ![]() | 7068 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | HUFA76404 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 62V | 3.6a | 110mohm @ 3.6a, 10V | 3V @ 250µA | 4.9NC @ 5V | 250pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2205-E | - | ![]() | 9152 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | 2SA2205 | 800MW | TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100ma, 1a | 200 @ 100ma, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546BRL1 | - | ![]() | 1937 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | BC546 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 v | 100 MA | 15NA | NPN | 250mv @ 500µa, 10ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1111 | 0.4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1815YBU | - | ![]() | 2513 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KSC1815 | 400MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5964-S-TD-H | - | ![]() | 5445 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-243AA | 2SC5964 | 1.3 w | PCP | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 3 a | 1µA (ICBO) | NPN | 290mv @ 100ma, 2a | 200 @ 100ma, 2v | 380MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVMMBTH81LT3G | 0.4000 | ![]() | 6002 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | - | 20V | 50ma | PNP | 60 @ 5MA, 10V | 600MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | J113 | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | J113 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | J113FS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | - | 35 v | 2 ma @ 15 v | 500 mV @ 1 µA | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SPZT2907AT1G | 0.4300 | ![]() | 5765 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SPZT2907 | 1.5 w | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF19N10 | 1.3400 | ![]() | 797 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF19 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 13.6A (TC) | 10V | 100mohm @ 6.8a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 780 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5H610NLT1G | 0.4103 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMFS5H610NLT1GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 13A (TA), 48A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 8a, 10V | 2V @ 40µA | 13.7 NC @ 10 v | ± 20V | 880 pf @ 30 v | - | 3.6W (TC), 52W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2SK3748-1E | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-94 | 2SK3748 | MOSFET (금속 (() | to-3pf-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1500 v | 4A (TA) | 10V | 7ohm @ 2a, 10V | - | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 65W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFD8P05SM | - | ![]() | 3720 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RFD8P | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 8A (TC) | 300mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 20 v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | fqd7n10ltm | 0.6500 | ![]() | 7725 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | fqd7n10 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 5.8A (TC) | 5V, 10V | 350mohm @ 2.9a, 10V | 2V @ 250µA | 6 nc @ 5 v | ± 20V | 290 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | fjp5021otu | - | ![]() | 5690 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | fjp5021 | 50 W. | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 500 v | 5 a | 10µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600MA, 3A | 20 @ 600ma, 5V | 18MHz | ||||||||||||||||||||||||
FDB024N04AL7 | 5.0100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | FDB024 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 80a, 10V | 3V @ 250µA | 109 NC @ 10 v | ± 20V | 7300 pf @ 25 v | - | 214W (TC) |
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