SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MPSA05_D74Z onsemi MPSA05_D74Z -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA05 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
NTE4151PT1G onsemi NTE4151PT1G 0.3800
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 NTE4151 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 760MA (TJ) 1.8V, 4.5V 360mohm @ 350ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 6V 156 pf @ 5 v - 313MW (TJ)
2N2905A onsemi 2N2905A -
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N2905 600MW To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 40 v 600 MA - PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
FQPF6N25 onsemi FQPF6N25 -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 4A (TC) 10V 1ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 300 pf @ 25 v - 37W (TC)
FQNL1N50BBU onsemi fqnl1n50bbu -
RFQ
 ECAD 3324 0.00000000 온세미 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) fqnl1 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 270MA (TC) 10V 9ohm @ 135ma, 10V 3.7V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 1.5W (TC)
MJE271 onsemi MJE271 -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE27 1.5 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 100 v 2 a 1MA pnp- 달링턴 3V @ 1.2MA, 120ma 1500 @ 120ma, 10V 6MHz
FDP55N06 onsemi FDP55N06 1.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP55 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 55A (TC) 10V 27.5A, 10V 22mohm 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 25V 1510 pf @ 25 v - 114W (TC)
2SB1203T-H-TL-E onsemi 2SB1203T-H-TL-E -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1203 1 W. TP-FA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 700 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 550MV @ 150MA, 3A 200 @ 500ma, 2v 130MHz
FQU1N80TU onsemi fqu1n80tu 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu1n80 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 800 v 1A (TC) 10V 20ohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 30V 195 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FJPF5021O onsemi FJPF5021O -
RFQ
 ECAD 3248 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FJPF5021 40 W. TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 500 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 600MA, 3A 20 @ 600ma, 5V 15MHz
2SA1706T-AN onsemi 2SA1706T-An -
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SA1706 1 W. 3-nmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 150MHz
SS9014DTA onsemi SS9014DTA -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 SS9014 450 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 100ma 400 @ 1ma, 5V 270MHz
BC637G onsemi BC637G -
RFQ
 ECAD 4344 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC637 625 MW TO-92 (TO-226) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 200MHz
FDPF045N10A onsemi FDPF045N10A 4.2700
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF045 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 67A (TC) 10V 4.5mohm @ 67a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 5270 pf @ 50 v - 43W (TC)
FDD9509L onsemi FDD9509L -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 488-FDD9509L 쓸모없는 1
FJN3306RBU onsemi fjn3306rbu -
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) fjn330 300MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
ATP101-TL-H onsemi ATP101-TL-H -
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP101 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 25A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 13a, 10V - 18.5 nc @ 10 v ± 20V 875 pf @ 10 v - 30W (TC)
FDB8441 onsemi FDB8441 -
RFQ
 ECAD 9134 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB844 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 28A (TA), 120A (TC) 10V 2.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRL8113PBF onsemi IRL8113PBF -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 온세미 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
MCH6544-TL-E onsemi MCH6544-TL-E -
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6544 550MW 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 100mv @ 10ma, 100ma 300 @ 10ma, 2v 500MHz
FJN4303RTA onsemi FJN4303RTA -
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 fjn430 300MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
HUF76407P3 onsemi HUF76407P3 -
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 huf76 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 13A (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
NTMFS4C10NT1G-001 onsemi NTMFS4C10NT1G-001 -
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,500 n 채널 30 v 8.2A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 6.95mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 18.6 NC @ 10 v ± 20V 987 pf @ 15 v - 750MW (TA)
FQB2NA90TM onsemi FQB2NA90TM -
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 2.8A (TC) 10V 5.8ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 107W (TC)
2SC4027T-TL-H onsemi 2SC4027T-TL-H 0.7100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC4027 1 W. TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 700 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 450MV @ 50MA, 500MA 200 @ 100ma, 5V 120MHz
CPH6350-TL-E onsemi CPH6350-TL-E -
RFQ
 ECAD 1962 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 CPH635 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6A (TA) 4V, 10V 43mohm @ 3a, 10V - 13 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
DTC124EM3T5G onsemi DTC124EM3T5G 0.3700
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC124 260 MW SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V 22 KOHMS 22 KOHMS
MCH6615-TL-E onsemi MCH6615-TL-E 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
NVMFS5C468NLT3G onsemi NVMFS5C468NLT3G -
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 37A (TC) 4.5V, 10V 10.3mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 7.3 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
NTMFS4921NT1G onsemi NTMFS4921NT1G -
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 8.8A (TA), 58.5A (TC) 4.5V, 11.5V 6.95mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 11.5 v ± 20V 1400 pf @ 12 v - 870MW (TA), 38.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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