SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MPS6724G onsemi MPS6724G -
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS672 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,000 40 v 1 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 2MA, 1A 4000 @ 1a, 5V 1GHz
NTTFS4800NTAG onsemi NTTFS4800NTAG -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 11.5V 20MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 964 pf @ 15 v - 860MW (TA), 33.8W (TC)
FQA8N100C onsemi FQA8N100C 4.8200
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA8 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 8A (TC) 10V 1.45ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 3220 pf @ 25 v - 225W (TC)
NVMFS6H800NWFT1G onsemi NVMFS6H800NWFT1G 4.4900
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 28A (TA), 203A (TC) 10V 2.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 330µA 85 NC @ 10 v ± 20V 5530 pf @ 40 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
PN3644 onsemi PN3644 -
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN364 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PN3644-NDR 귀 99 8541.21.0095 2,000 45 v 800 MA 35NA PNP 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
2N5951_D27Z onsemi 2N5951_D27Z -
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5951 1kHz JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 13MA - - 2db 15 v
FDBL86363-F085 onsemi FDBL86363-F085 4.5400
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL86363 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 240A (TC) 10V 2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 40 v - 357W (TJ)
FQA7N60 onsemi fqa7n60 -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA7 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 7.7A (TC) 10V 1ohm @ 3.9a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1430 pf @ 25 v - 152W (TC)
FDFS2P102 onsemi FDFS2P102 -
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDFS2 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 3.3A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 2V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
TIP32ATU onsemi tip32atu -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 32 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 200µA PNP 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
2N5401RLRMG onsemi 2N5401RLRMG -
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2N5401 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
FDB3652 onsemi FDB3652 2.2200
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB365 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16MOHM @ 61A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2880 pf @ 25 v - 150W (TC)
ECH8649-TL-H onsemi ECH8649-TL-H -
RFQ
 ECAD 6155 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8649 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 7.5A 17mohm @ 4a, 4.5v - 10.8nc @ 4.5v 1060pf @ 10v 논리 논리 게이트
NTZD3152PT1H onsemi NTZD3152PT1H -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NTZD3152 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 430ma 900mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 175pf @ 16v -
FJP5027O onsemi FJP5027O -
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 fjp5027 50 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 800 v 3 a 10µA (ICBO) NPN 2V @ 300MA, 1.5A 20 @ 200ma, 5V 15MHz
FJP13007H1TU onsemi FJP13007H1TU -
RFQ
 ECAD 2659 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FJP13007 80 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 8 a - NPN 3v @ 2a, 8a 15 @ 2a, 5V 4MHz
NTLJD2104PTBG onsemi ntljd2104ptbg -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 NTLJD21 MOSFET (금속 (() 700MW 6-wdfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2.4a 90mohm @ 3a, 4.5v 800MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 467pf @ 6v 논리 논리 게이트
MJF31C onsemi MJF31C -
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MJF31 2 w TO-220FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 3 a 300µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
BCW66GLT1G onsemi BCW66GLT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW66 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 20NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
FQA24N60 onsemi FQA24N60 6.9200
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA24 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 23.5A (TC) 10V 240mohm @ 11.8a, 10V 5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 25 v - 310W (TC)
NVD4805NT4G onsemi NVD4805NT4G -
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD480 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.7A (TA), 95A (TC) 4.5V, 11.5V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 11.5 v ± 20V 2865 pf @ 12 v - 1.41W (TA), 79W (TC)
NTLUS4930NTBG onsemi ntlus4930ntbg -
RFQ
 ECAD 5099 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 NTLUS4930 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 28.5mohm @ 6.1a, 10V 2.2V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 476 pf @ 15 v - 650MW (TA)
2SC4488S-AN onsemi 2SC4488S-an -
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC4488 1 W. 3-nmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 40ma, 400ma 100 @ 100ma, 5V 120MHz
EFC6601R-TR onsemi EFC6601R-TR 0.9400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, FCBGA EFC6601 MOSFET (금속 (() 2W EFCP2718-6CE-020 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) - - - - 48NC @ 4.5V - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
BC556BG onsemi BC556BG -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC556 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 65 v 100 MA 100NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 180 @ 2MA, 5V 280MHz
NSCT2222ALT1G onsemi NSCT2222ALT1G -
RFQ
 ECAD 7108 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT22 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
KSA539OTA onsemi KSA539OTA -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSA539 400MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 45 v 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 15ma, 150ma 70 @ 50MA, 1V -
2SA1417T-TD-E onsemi 2SA1417T-TD-E 0.6100
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SA1417 500MW PCP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5V 120MHz
FJN3303RBU onsemi fjn3303rbu -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) fjn330 300MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
MJD31CT4 onsemi MJD31CT4 -
RFQ
 ECAD 1611 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 15 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJD31CT4OSTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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