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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
FQPF8N80CYDTU onsemi fqpf8n80cydtu -
RFQ
ECAD 1034 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 FQPF8 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 (Y- 형성) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 1.55ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 2050 pf @ 25 v - 59W (TC)
2SA1257-5-TB-E onsemi 2SA1257-5-TB-E 0.1400
RFQ
ECAD 111 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
FJNS4203RTA onsemi FJNS4203RTA -
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns42 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0.1400
RFQ
ECAD 524 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD65 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 65A (TC) 8.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v 1400 pf @ 20 v -
MCH6626-TL-H onsemi MCH6626-TL-H 0.1000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
NTS4001NT1 onsemi NTS4001NT1 -
RFQ
ECAD 7904 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NTS400 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTS4001NT1OS 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 270MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 1.3 NC @ 5 v ± 20V 33 pf @ 5 v - 330MW (TA)
MUN5312DW1T2G onsemi MUN5312DW1T2G 0.2800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun5312 385MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V - 22kohms 22kohms
TIP102TSTU onsemi tip102tstu -
RFQ
ECAD 3722 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TIP102 2 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 8 a 50µA npn-달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
MPSA63 onsemi MPSA63 -
RFQ
ECAD 6736 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA63 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
DTC124XET1 onsemi DTC124XET1 -
RFQ
ECAD 8757 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC124 200 MW SC-75, SOT-416 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V 22 KOHMS 47 Kohms
KSK596CBU onsemi KSK596CBU -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 KSK59 100MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 3.5pf @ 5V 20 v 100 µa @ 5 v 600 mV @ 1 µA 1 MA
NTMFS4851NT3G onsemi NTMFS4851NT3G -
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 9.5A (TA), 66A (TC) 4.5V, 11.5V 5.9mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 16V 1850 pf @ 12 v - 870MW (TA), 41.7W (TC)
MBT2222ADW1T onsemi MBT2222ADW1T 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
FDMA410NZ onsemi FDMA410NZ 0.9800
RFQ
ECAD 47 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA410 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 23mohm @ 9.5a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 1080 pf @ 10 v - 2.4W (TA)
2SB1124S-TD-H onsemi 2SB1124S-TD-H -
RFQ
ECAD 5310 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1124 500MW PCP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 700mv @ 100ma, 2a 140 @ 100MA, 2V 150MHz
2N5551_J05Z onsemi 2N5551_J05Z -
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5551 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,500 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 100MHz
BD1386S onsemi BD1386S -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD138 1.25 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 60 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
5HN01C-TB-E onsemi 5HN01C-TB-E -
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 5HN01 SMCP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 100MA (TJ)
NVMFS5844NLT3G onsemi NVMFS5844NLT3G -
RFQ
ECAD 3327 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5844 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 11.2A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 107W (TC)
FDD9411L-F085 onsemi FDD9411L-F085 -
RFQ
ECAD 8849 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD9411 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 25A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1210 pf @ 20 v - 48.4W (TJ)
FCH22N60N onsemi FCH22N60N -
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 온세미 Supremos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH22N60 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1990-FCH22N60N 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 165mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1950 pf @ 100 v - 205W (TC)
J112-D27Z onsemi J112-D27Z 0.4100
RFQ
ECAD 2386 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J112 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 35 v 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 µA 50 옴
2SK932-24-TB-E onsemi 2SK932-24-TB-E 0.5700
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK932 200 MW SMCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 15 v - 14.5 ma @ 5 v 200 mV @ 100 µA 50 MA
HUF75345G3 onsemi HUF75345G3 4.4500
RFQ
ECAD 5346 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 HUF75345 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 325W (TC)
FCI7N60 onsemi fci7n60 2.9000
RFQ
ECAD 990 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA fci7 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 83W (TC)
FDS8858CZ onsemi FDS8858cz 0.9700
RFQ
ECAD 67 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS8858 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 8.6a, 7.3a 17mohm @ 8.6a, 10V 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1205pf @ 15V 논리 논리 게이트
NTD5406NT4G onsemi NTD5406NT4G -
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD54 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 12.2A (TA), 70A (TC) 5V, 10V 10MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 32 v - 3W (TA), 100W (TC)
NTMFS4926NT3G onsemi NTMFS4926NT3G -
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4926 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 17.3 NC @ 10 v ± 20V 1004 pf @ 15 v - 920MW (TA), 21.6W (TC)
MMBT4125LT1 onsemi MMBT4125LT1 0.0700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
FDMS7608S onsemi FDMS7608S 1.2300
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS7608 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 12a, 15a 10mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1510pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고