SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SD1048-6-TB-E onsemi 2SD1048-6-TB-E 0.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1048 200 MW 3-cp 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 80mv @ 10ma, 100ma 200 @ 50MA, 2V 250MHz
MMBF170LT3 onsemi MMBF170LT3 -
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF17 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 225MW (TA)
J109_D74Z onsemi J109_D74Z -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J109 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 40 ma @ 15 v 2 V @ 10 NA 12 옴
MSB1218A-RT1G onsemi MSB1218A-RT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MSB1218 150 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 100µA PNP 500mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V -
NTMFS4943NT1G onsemi NTMFS4943NT1G -
RFQ
 ECAD 4737 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 8.3A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 20.9 NC @ 10 v ± 20V 1401 pf @ 15 v - 910MW (TA), 22.3W (TC)
FQI3N25TU onsemi fqi3n25tu -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI3 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 2.8A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250µA 5.2 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 45W (TC)
2SC5277A-2-TL-E onsemi 2SC5277A-2-TL-E -
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC5277 100MW SMCP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz 10V 30ma NPN 90 @ 10ma, 5V 8GHz 1.4db ~ 0.9db @ 1.5GHz ~ 1GHz
MPS3702_D75Z onsemi MPS3702_D75Z -
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPS370 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 50MA, 5V 100MHz
BC856BLT3G onsemi BC856BLT3G 0.1400
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
NTGD3148NT1G onsemi ntgd3148nt1g 0.5600
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NTGD3148 MOSFET (금속 (() 900MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3A 70mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3.8nc @ 4.5v 300pf @ 10V 논리 논리 게이트
KSB708OTU onsemi KSB708OTU -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSB70 1.5 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 7 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 500ma, 5a 60 @ 3a, 1v -
12A01M-TL-E onsemi 12A01M-TL-E -
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-12A01M-TL-E-488 1
MMBF5485_NB50012 onsemi MMBF5485_NB50012 -
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 25 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF54 400MHz JFET SOT-23-3 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 n 채널 10MA - - 4db 15 v
NTS4101PT1G onsemi NTS4101PT1G 0.5000
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NTS4101 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.37A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 840 pf @ 20 v - 329MW (TA)
NVD6414ANT4G onsemi NVD6414ANT4G -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD641 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 32A (TC) 10V 37mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 100W (TC)
NTLUS4930NTAG onsemi ntlus4930ntag -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 NTLUS4930 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 28.5mohm @ 6.1a, 10V 2.2V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 476 pf @ 15 v - 650MW (TA)
FDS5672_F095 onsemi FDS5672_F095 -
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS56 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 6V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
KSP12BU onsemi KSP12BU -
RFQ
 ECAD 3362 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSP12 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 100NA npn-달링턴 1V @ 10µA, 10MA 20000 @ 10ma, 5V -
MMBF4391LT1 onsemi MMBF4391LT1 -
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MMBF43 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
KSC2786RBU onsemi KSC2786RBU -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 KSC2786 250MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 18db ~ 22db 20V 20MA NPN 40 @ 1ma, 6V 600MHz 3DB ~ 5dB @ 100MHz
NTD110N02RST4G onsemi NTD110N02RST4G -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD110 - DPAK-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - 32A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V - - ± 20V - -
30C02MH-TL-E onsemi 30C02MH-TL-E 0.4200
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 30C02 600MW 3mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 190mv @ 10ma, 200ma 300 @ 50MA, 2V 540MHz
NTHL027N65S3HF onsemi NTHL027N65S3HF 21.5700
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL027 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 75A (TC) 10V 27.4mohm @ 35a, 10V 5V @ 3MA 225 NC @ 10 v ± 30V 7630 pf @ 400 v - 595W (TC)
2N5461G onsemi 2N5461G -
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 135 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2N5461 350 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N5461GOS 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 7pf @ 15V 40 v 2 ma @ 15 v 1 V @ 1 µA
2SB764F onsemi 2SB764F 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1
BD244CTU onsemi BD244CTU -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD244 65 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-BD244CTU 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3a, 4v -
DWC010-TE-E onsemi DWC010-TE-E 0.1500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-DWC010-TE-E-488 귀 99 8541.10.0070 1
KSH42CTM onsemi KSH42CTM -
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH42 20 W. D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 6 a 10µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
2SC4135T-E onsemi 2SC4135T-E -
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SC4135 1 W. TP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 100 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 5V 120MHz
NTHL020N090SC1 onsemi NTHL020N090SC1 41.1400
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL020 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 118A (TC) 15V 28mohm @ 60a, 15V 4.3v @ 20ma 196 NC @ 15 v +19V, -10V 4415 pf @ 450 v - 503W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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