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트랜지스터 (17799)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
EFC4621R-A-TR	-	RFQ	9778	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA	EFC4621	-		EFCP1818-4CE-22	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	5,000		-			-		-	-				-	-
MJB41CT4G	1.5900	RFQ	2	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MJB41		2 w	d²pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	800														100 v	6 a	700µA	NPN	1.5V @ 600MA, 6A	15 @ 3a, 4v	3MHz
2SK4085LS-CBC11	1.2800	RFQ	239	온세미	*	대부분	활동적인				2SK4085	-			다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.29.0095	1												-
NTD4854NT4G	-	RFQ	5682	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	NTD48	MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		25 v	15.7A (TA), 128A (TC)	4.5V, 10V	3.6MOHM @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	49.2 NC @ 4.5 v	± 20V	4600 pf @ 12 v	-	1.43W (TA), 93.75W (TC)
D45VH10G	0.9300	RFQ	6541	온세미	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	D45VH10		83 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	50														80 v	15 a	-	PNP	1V @ 800MA, 8A	20 @ 4a, 1v	50MHz
KSA910YSHTA	-	RFQ	9330	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	KSA910		800MW	To-92-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	2,000														150 v	50 MA	100NA (ICBO)	PNP	800mv @ 1ma, 10ma	120 @ 10ma, 5V	100MHz
fjpf13007h1	-	RFQ	1177	온세미	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	FJPF13007		40 W.	TO-220F-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	200														400 v	8 a	-	NPN	3v @ 2a, 8a	15 @ 2a, 5V	4MHz
MPS6531_D75Z	-	RFQ	9755	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	MPS653		625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	2,000														40 v	1 a	50NA (ICBO)	NPN	300mv @ 10ma, 100ma	90 @ 100MA, 1V	-
smun5113dw1t1g	0.3700	RFQ	5259	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	smun5113		187MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000														50V	100ma	500NA	2 pnp--바이어스 (듀얼)	250MV @ 300µA, 10MA	80 @ 5ma, 10V	-	47kohms	47kohms
MJ15003G	9.4100	RFQ	5115	온세미	-	쟁반	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	MJ15003		250 W.	To-204 (To-3)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	100														140 v	20 a	250µA	NPN	1V @ 500MA, 5A	25 @ 5a, 2v	2MHz
BC337-25RL1	0.0500	RFQ	30	온세미	-	대부분	쓸모없는				BC337				다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,000
FDS6975	1.4700	RFQ	1	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FDS69	MOSFET (금속 (()	900MW	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	2,500	2 p 채널 (채널)			30V	6A		32mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 5V		1540pf @ 15V	논리 논리 게이트
2SD1060S-1e	1.6000	RFQ	182	온세미	-	튜브	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	2SD1060		1.75 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	50														50 v	5 a	100µA (ICBO)	NPN	300mv @ 300ma, 3a	140 @ 1a, 2v	30MHz
MPSW56RLRP	0.0700	RFQ	287	온세미	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	MPSW56		1 W.	TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,000														80 v	500 MA	500NA	PNP	500mv @ 10ma, 250ma	50 @ 250ma, 1V	50MHz
BD675AS	-	RFQ	3527	온세미	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	BD675		40 W.	TO-126-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,000														45 v	4 a	500µA	npn-달링턴	2.8V @ 40MA, 2A	750 @ 2a, 3v	-
MMBT5088LT1G	0.2100	RFQ	106	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT5088		300MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000														30 v	50 MA	50NA (ICBO)	NPN	500mv @ 1ma, 10ma	300 @ 100µa, 5V	50MHz
BD437	-	RFQ	6681	온세미	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	BD437		36 w	TO-126	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	500														45 v	4 a	100µA (ICBO)	NPN	800mv @ 300ma, 3a	85 @ 500ma, 1V	3MHz
FJV1845UMTF	-	RFQ	6221	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV184		300MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	3,000														120 v	50 MA	50NA (ICBO)	NPN	300mv @ 1ma, 10ma	600 @ 1ma, 6V	110MHz
2N6338	-	RFQ	2215	온세미	-	쟁반	쓸모없는	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	2N6338		200 w	To-204 (To-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	100														100 v	25 a	50µA	NPN	1.8V @ 2.5A, 25A	30 @ 10a, 2v	40MHz
NVMFD5C470NLT1G	1.7100	RFQ	6463	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	NVMFD5	MOSFET (금속 (()	3W (TA), 24W (TC)	8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널)			40V	11A (TA), 36A (TC)		11.5mohm @ 5a, 10V	2.2V @ 20µA	4NC @ 4.5V		590pf @ 25V	-
MMBT3416LT3G	0.1800	RFQ	7	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3416		225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	10,000														40 v	100 MA	100NA (ICBO)	NPN	300mv @ 3ma, 50ma	75 @ 2MA, 4.5V	-
MSC3930-BT1	-	RFQ	5648	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	MSC39		200MW	SC-70-3 (SOT323)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	3,000			-											20V	30ma		NPN		70 @ 1ma, 10V	150MHz			-
KSD1621UTF	-	RFQ	4365	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	KSD1621		500MW	SOT-89-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0075	4,000														25 v	2 a	100NA (ICBO)	NPN	400mv @ 75ma, 1.5a	280 @ 100MA, 2V	150MHz
MJD18002D2T4G	-	RFQ	6056	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MJD18		50 W.	DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,500														450 v	2 a	100µA	NPN	750mv @ 200ma, 1a	6 @ 1a, 1v	13MHz
NSVMMBT5088LT3G	0.0653	RFQ	8680	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NSVMMBT5088		225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	10,000														30 v	50 MA	50NA (ICBO)	NPN	500mv @ 1ma, 10ma	300 @ 100µa, 5V	50MHz
STMFS4834NST	0.5300	RFQ	6	온세미	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1,500
NDS332P	0.4900	RFQ	2	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NDS332	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널		20 v	1A (TA)	2.7V, 4.5V	300mohm @ 1.1a, 4.5v	1V @ 250µA	5 nc @ 4.5 v	± 8V	195 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
BD137G	0.8600	RFQ	9083	온세미	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	BD137		1.25 w	TO-126	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	500														60 v	1.5 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 150ma, 2v	-
FDC637AN	0.8000	RFQ	3359	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	FDC637	MOSFET (금속 (()		SUPERSOT ™ -6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		20 v	6.2A (TA)	2.5V, 4.5V	24mohm @ 6.2a, 4.5v	1.5V @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 8V	1125 pf @ 10 v	-	1.6W (TA)
BD787	-	RFQ	7150	온세미	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	BD787		15 w	TO-126	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	500														60 v	4 a	100µA	NPN	2.5V @ 800MA, 4A	40 @ 200ma, 3v	50MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²