SIC
close

트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SC4488T-AN onsemi 2SC4488T-An -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC4488 1 W. 3-nmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 40ma, 400ma 100 @ 100ma, 5V 120MHz
2SC3398-TB-E onsemi 2SC3398-TB-E 0.2000
RFQ
 ECAD 311 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 5,997
PN4118 onsemi PN4118 -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN4118 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 3pf @ 10V 40 v 80 µa @ 10 v 1 v @ 1 na
SGL40N150DTU onsemi SGL40N150DTU -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA SGL40 기준 200 w TO-264-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 300 ns - 1500 v 40 a 120 a 4.7V @ 15V, 40A - 140 NC -
KSC2383YBU onsemi KSC2383YBU -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 KSC2383 900 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 160 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 160 @ 200ma, 5V 100MHz
MPS8599 onsemi MPS8599 -
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS859 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 80 v 500 MA 100NA PNP 400mv @ 5ma, 100ma 100 @ 1ma, 5V 150MHz
FDMA1028NZ onsemi FDMA1028NZ 0.9600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA1028 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.7a 68mohm @ 3.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 340pf @ 10V 논리 논리 게이트
FQPF17P06 onsemi FQPF17P06 -
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 120mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 25V 900 pf @ 25 v - 39W (TC)
MJD340 onsemi MJD340 -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD34 15 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 300 v 500 MA 100µA NPN - 30 @ 50MA, 10V -
SS9015BBU onsemi SS9015BBU -
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9015 450 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 100 @ 1ma, 5V 190mhz
NSVMMUN2212LT1G onsemi NSVMMUN2212LT1G 0.3300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2212 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V 22 KOHMS 22 KOHMS
2SD1060R-1E onsemi 2SD1060R-1E -
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2SD1060 1.75 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 50 v 5 a 100µA (ICBO) NPN 300mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 2v 30MHz
2N5550G onsemi 2N5550G -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2N5550 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 140 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
NSVBA114YDXV6T1G onsemi NSVBA114YDXV6T1G 0.1154
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSVBA114 500MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 10kohms 47kohms
BCX19LT1 onsemi BCX19LT1 -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V -
FDC6000NZ onsemi FDC6000NZ -
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP FDC6000 MOSFET (금속 (() 1.2W SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 7.3A 20mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11nc @ 4.5v 840pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTHS5441T1G onsemi Nths5441t1g 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 nths5441 MOSFET (금속 (() Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V 710 pf @ 5 v - 1.3W (TA)
FDMS3664S onsemi FDMS3664S 1.6800
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3664 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13a, 25a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1765pf @ 15V 논리 논리 게이트
NSBC143ZF3T5G onsemi NSBC143ZF3T5G 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-1123 NSBC143 254 MW SOT-1123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 47 Kohms
SCH1430-TL-W onsemi SCH1430-TL-W -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SCH143 MOSFET (금속 (() SOT-563/SCH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 125mohm @ 1a, 4.5v 1.3v @ 1ma 1.8 nc @ 4.5 v ± 12V 128 pf @ 10 v - 800MW (TA)
BCW60B onsemi BCW60B -
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 125MHz
TIP42BG onsemi TIP42BG 1.0700
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 42 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
SBCP56-10T1G onsemi SBCP56-10T1G 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SBCP56 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 130MHz
NVTFS5116PLWFTWG onsemi NVTFS5116PLWFTWG 1.5100
RFQ
 ECAD 4490 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5116 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 21W (TC)
SMMBTA92LT3G onsemi smmbta92lt3g 0.4400
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 smmbta92 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
NSVT3906DXV6T1G onsemi NSVT3906DXV6T1G 0.1154
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSVT3906 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 200ma - 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
FQPF5N60C onsemi FQPF5N60C 1.5800
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 33W (TC)
NGTB40N65IHL2WG onsemi ngtb40n65ihl2wg -
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB40 기준 300 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 465 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 2.2V @ 15V, 40A 360µJ (OFF) 135 NC -/140ns
KSD471AYTA onsemi KSD471AYTA 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSD471 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 130MHz
MPSA42ZL1G onsemi MPSA42ZL1g -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA42 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다