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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BC368_D27Z | - | ![]() | 9146 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC368 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20 v | 2 a | 10µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 85 @ 500ma, 1V | 45MHz | |||||||||||||||||
![]() | MJE18002 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MJE18 | 50 W. | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 v | 2 a | 100µA | NPN | 500mv @ 200ma, 1a | 14 @ 200ma, 5V | 13MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2N6515RLRMG | - | ![]() | 4290 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | 2N6515 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 250 v | 500 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 1V @ 5MA, 50MA | 45 @ 50MA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC550_J35Z | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC550 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | MJE15034 | - | ![]() | 2275 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MJE15 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MJE15034OS | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 350 v | 4 a | 10µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 10 @ 2a, 5V | 30MHz | |||||||||||||||
![]() | NTHL060N065SC1 | 16.9800 | ![]() | 560 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTHL060N065SC1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 47A (TC) | 15V, 18V | 70mohm @ 20a, 18V | 4.3v @ 6.5ma | 74 NC @ 18 v | +22V, -8V | 1473 pf @ 325 v | - | 176W (TC) | ||||||||||||
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![]() | MPSW45ARLRAG | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | MPSW45 | 1 W. | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5V @ 2MA, 1A | 25000 @ 200ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
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![]() | FDMS86369 | - | ![]() | 6020 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFNW (5.2x6.3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-FDMS86369tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 65A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 65a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 2470 pf @ 40 v | - | 107W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2N5210_J05Z | - | ![]() | 6958 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N5210 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 50 v | 100 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 1ma, 10ma | 200 @ 100µa, 5V | 30MHz | |||||||||||||||||
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![]() | HUF75545S3S | - | ![]() | 5219 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 75A (TC) | 10V | 10mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 v | ± 20V | 3750 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | |||||||||||||
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![]() | 2N6043 | - | ![]() | 8776 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2N6043 | 75 w | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 8 a | 20µA | npn-달링턴 | 2V @ 16MA, 4A | 1000 @ 4a, 4v | - | ||||||||||||||||
![]() | FQP1P50 | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP1 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 500 v | 1.5A (TC) | 10V | 10.5ohm @ 750ma, 10V | 5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 25 v | - | 63W (TC) | |||||||||||||
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![]() | NTD4970N-1G | - | ![]() | 2252 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD49 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA), 36A (TC) | 11mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.2 NC @ 4.5 v | 774 pf @ 15 v | - | |||||||||||||||||
![]() | PN4275_D26Z | - | ![]() | 1626 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | PN427 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 15 v | 200 MA | 400NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 10ma, 100ma | 35 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||
![]() | 2SC4110m | - | ![]() | 9465 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | nvtfs4c02nwftag | 2.5700 | ![]() | 3178 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 28.3A (TA), 162A (TC) | 4.5V, 10V | 2.25mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2980 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||
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![]() | KSE800STU | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | KSE800 | 40 W. | TO-126-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 60 | 60 v | 4 a | 100µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | ||||||||||||||||
![]() | SFT1446-H | - | ![]() | 2342 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | SFT144 | MOSFET (금속 (() | IPAK/TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 20A (TA) | 4V, 10V | 51mohm @ 10a, 10V | 2.6v @ 1ma | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 23W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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