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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | NTP6N60 | 0.8500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6667 | - | ![]() | 9890 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2N6667 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 10 a | 1MA | pnp- 달링턴 | 3V @ 100MA, 10A | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||||||||||||
![]() | NSBC123EF3T5G | - | ![]() | 4623 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-1123 | NSBC123 | 254 MW | SOT-1123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 5ma, 10ma | 8 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | FDD6670AL | - | ![]() | 8481 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD667 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 84A (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 56 NC @ 5 v | ± 20V | 3845 pf @ 15 v | - | 83W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | MCH6627-TL-E | - | ![]() | 9291 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MCH6627-TL-E-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5459_D27Z | - | ![]() | 1799 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5459 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 7pf @ 15V | 25 v | 4 ma @ 15 v | 2 V @ 10 NA | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5457_D75Z | - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5457 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 7pf @ 15V | 25 v | 1 ma @ 15 v | 500 mV @ 10 NA | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMT80080DC | 5.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | Dual Cool ™, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | FDMT80080 | MOSFET (금속 (() | 8-Dual Cool ™ 88 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 36A (TA), 254A (TC) | 8V, 10V | 1.35mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 273 NC @ 10 v | ± 20V | 20720 pf @ 40 v | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD567 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 52A (TA) | 6V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 73 NC @ 10 v | ± 20V | 2739 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FDV304P | 0.4000 | ![]() | 6943 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDV304 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 25 v | 460MA (TA) | 2.7V, 4.5V | 1.1ohm @ 500ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 63 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | NST3904DXV6T1 | 0.0500 | ![]() | 857 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NST3904 | 500MW | SOT-563 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 40V | 200ma | 2 NPN (() | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BC238_J35Z | - | ![]() | 2454 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC238 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 100 MA | 15NA | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 120 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MUN2230T1G | 0.0416 | ![]() | 5510 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2230 | 338 MW | SC-59 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 5ma, 10ma | 3 @ 5ma, 10V | 1 KOHMS | 1 KOHMS | |||||||||||||||||||
![]() | tip50tu | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TIP50 | 2 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-TIP50TU | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 v | 1 a | 1MA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300ma, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ATP207-S-TL-H | - | ![]() | 9969 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | atpak (2 2+탭) | ATP207 | - | atpak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 65A (TJ) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BD533J | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BD533 | 50 W. | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,200 | 45 v | 8 a | 100µA | NPN | 800mv @ 200ma, 2a | 30 @ 2a, 2v | 12MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5461_D74Z | - | ![]() | 8501 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5461 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 7pf @ 15V | 40 v | 2 ma @ 15 v | 1 V @ 1 µA | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ580-TD-E | 0.2400 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3685 | - | ![]() | 8705 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN368 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2D5N08C | 3.0200 | ![]() | 2462 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS2D5 | MOSFET (금속 (() | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 166A (TC) | 6V, 10V | 2.7mohm @ 68a, 10V | 4V @ 380µA | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 6240 pf @ 40 v | - | 138W (TC) | |||||||||||||||
![]() | fqi5n15tu | - | ![]() | 9606 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FQI5 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 5.4A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 7 nc @ 10 v | ± 25V | 230 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AWT1 | - | ![]() | 1585 | 0.00000000 | 온세미 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | MMBT2907 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL86063 | 6.9300 | ![]() | 286 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | FDBL8606 | MOSFET (금속 (() | 8-HPSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 240A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 5120 pf @ 50 v | - | 357W (TJ) | |||||||||||||||
![]() | fjns4209rta | - | ![]() | 3369 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 | fjns42 | 300MW | 92S | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7680 | 1.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | FDMC76 | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 14.8A (TA) | 4.5V, 10V | 7.2MOHM @ 14.8A, 10V | 3V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2855 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 31W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MUN5240T1G | 0.0252 | ![]() | 8062 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | mun5240 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 1ma, 10ma | 120 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3383S-AA | 0.0600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4070N3 | - | ![]() | 6347 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | FDS40 | MOSFET (금속 (() | 8- flmp | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 15.3A (TA) | 10V | 7.5mohm @ 15.3a, 10V | 5V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 2819 pf @ 20 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | mtd6n20et4g | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | mtd6n | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 6A (TC) | 10V | 700mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 480 pf @ 25 v | - | 1.75W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2SB1120G-TD-E | 0.1600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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