SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCX19LT1 onsemi BCX19LT1 -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V -
NJL3281DG onsemi NJL3281DG 7.0800
RFQ
ECAD 129 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-5 NJL3281 200 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 25 260 v 15 a 50µA (ICBO) NPN 3v @ 1a, 10a 75 @ 5a, 5V 30MHz
KSC2383YBU onsemi KSC2383YBU -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 KSC2383 900 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 160 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 160 @ 200ma, 5V 100MHz
NSVT3906DXV6T1G onsemi NSVT3906DXV6T1G 0.1154
RFQ
ECAD 4920 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSVT3906 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 200ma - 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
FDPF10N50FT onsemi fdpf10n50ft 1.7000
RFQ
ECAD 165 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF10 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 850mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1170 pf @ 25 v - 42W (TC)
SS9015ABU onsemi SS9015ABU -
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9015 450 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 60 @ 1ma, 5V 190mhz
BC327-040 onsemi BC327-040 -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC327 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 260MHz
TIP32B onsemi TIP32B -
RFQ
ECAD 3796 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 32 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIP32BOS 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300µA PNP 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
PN2222ARLRA onsemi PN2222ARLRA -
RFQ
ECAD 7591 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 PN222 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
BC638 onsemi BC638 -
RFQ
ECAD 8027 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC638 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 150MHz
2SC4452-3-TL-E-ON onsemi 2SC4452-3-TL-E-ON 0.1000
RFQ
ECAD 87 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
FGH40N65UFDTU onsemi fgh40n65ufdtu -
RFQ
ECAD 8281 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH40 기준 290 W. TO-247-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 45 ns 현장 현장 650 v 80 a 120 a 2.4V @ 15V, 40A 1.19mj (on), 460µj (OFF) 120 NC 24ns/112ns
FDMA1028NZ onsemi FDMA1028NZ 0.9600
RFQ
ECAD 27 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA1028 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.7a 68mohm @ 3.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 340pf @ 10V 논리 논리 게이트
FGHL75T65MQDTL4 onsemi FGHL75T65MQDTL4 6.9100
RFQ
ECAD 450 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 기준 375 w TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FGHL75T65MQDTL4 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10ohm, 15V 107 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 300 a 1.8V @ 15V, 75A 1.2mj (on), 1.1mj (Off) 149 NC 32ns/181ns
FQP13N50 onsemi FQP13N50 -
RFQ
ECAD 8200 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP13 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 12.5A (TC) 10V 430mohm @ 6.25a, ​​10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 2300 pf @ 25 v - 170W (TC)
BC182LB_D27Z onsemi BC182LB_D27Z -
RFQ
ECAD 4500 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC182 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 40 @ 10µa, 5V 150MHz
FDC6000NZ onsemi FDC6000NZ -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP FDC6000 MOSFET (금속 (() 1.2W SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 7.3A 20mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11nc @ 4.5v 840pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTHS5441T1G onsemi Nths5441t1g 1.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 nths5441 MOSFET (금속 (() Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V 710 pf @ 5 v - 1.3W (TA)
SCH1430-TL-W onsemi SCH1430-TL-W -
RFQ
ECAD 5460 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SCH143 MOSFET (금속 (() SOT-563/SCH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 125mohm @ 1a, 4.5v 1.3v @ 1ma 1.8 nc @ 4.5 v ± 12V 128 pf @ 10 v - 800MW (TA)
FQPF5N60C onsemi FQPF5N60C 1.5800
RFQ
ECAD 215 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 33W (TC)
NVD4810NT4G onsemi NVD4810NT4G -
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD481 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA), 54A (TC) 4.5V, 11.5V 10MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1350 pf @ 12 v - 1.4W (TA), 50W (TC)
BC183LC_D27Z onsemi BC183LC_D27Z -
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC183 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 40 @ 10µa, 5V 150MHz
2SB1168S onsemi 2SB1168S 0.4000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1
MPS750RLRA onsemi MPS750RLRA -
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPS750 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 75 @ 1a, 2v 75MHz
FDMS3664S onsemi FDMS3664S 1.6800
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3664 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13a, 25a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1765pf @ 15V 논리 논리 게이트
NSBC143ZF3T5G onsemi NSBC143ZF3T5G 0.4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-1123 NSBC143 254 MW SOT-1123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 47 Kohms
CPH3121-TL-E onsemi CPH3121-TL-E -
RFQ
ECAD 5882 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 CPH3121 900 MW 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 165MV @ 30MA, 1.5A 200 @ 500ma, 2v 380MHz
MUN5211T1 onsemi MUN5211T1 0.0500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 mun5211 310 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 10 KOHMS 10 KOHMS
NTNS155N03CTCG onsemi NTNS155N03CTCG -
RFQ
ECAD 6488 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 NTNS155 - - 영향을받지 영향을받지 488-NTNS155N03CTCG 귀 99 8541.29.0095 1 -
AFGHL30T65RQDN onsemi AFGHL30T65RQDN 4.9500
RFQ
ECAD 8686 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AFGHL30 기준 230.8 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-AFGHL30T65RQDN 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 15A, 2.5OHM, 15V 39 ns 현장 현장 650 v 42 a 120 a 1.82V @ 15V, 30A 340µJ (on), 320µJ (OFF) 37 NC 18ns/68ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고