SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NVMFS5C604NLWFT1G onsemi NVMFS5C604NLWFT1G 6.1200
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 40A (TA), 287A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 8900 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 200W (TC)
BF244C onsemi BF244C -
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BF244 100MHz JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 50ma - - 1.5dB 15 v
FQI5N80TU onsemi fqi5n80tu -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI5 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.8A (TC) 10V 2.6ohm @ 2.4a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1250 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 140W (TC)
KSA642GBU onsemi KSA642GBU -
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA642 400MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 25 v 300 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 200 @ 50MA, 1V -
MJB41C onsemi MJB41C -
RFQ
 ECAD 4635 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MJB41 2 w d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJB41COS 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 700µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
FDMQ8203 onsemi FDMQ8203 1.6300
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 온세미 Greenbridge ™ Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-wdfn n 패드 FDMQ82 MOSFET (금속 (() 2.5W 12MLP (5x4.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) 100v, 80v 3.4a, 2.6a 110mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 50V 논리 논리 게이트
FGA6065ADF onsemi fga6065adf -
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga6065 기준 306 W. 3pn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 60A, 6ohm, 15V 110 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 120 a 180 a 2.3V @ 15V, 60A 2.46mj (on), 520µJ (OFF) 84 NC 25.6ns/71ns
NVMFD5852NLT1G onsemi NVMFD5852NLT1G -
RFQ
 ECAD 9030 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5852 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 15a 6.9mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 36NC @ 10V 1800pf @ 25V 논리 논리 게이트
FDB2710 onsemi FDB2710 5.1000
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB271 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 50A (TC) 10V 42.5mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 101 NC @ 10 v ± 30V 7280 pf @ 25 v - 260W (TC)
2N5401CYTA onsemi 2N5401CYTA -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5401 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 400MHz
DTC123EM3T5G onsemi DTC123EM3T5G 0.3100
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC123 260 MW SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 5ma, 10ma 8 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
J174_D75Z onsemi J174_D75Z -
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J174 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 - 30 v 20 ma @ 15 v 5 v @ 10 na 85 옴
BC184C onsemi BC184C -
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC184 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 500 MA 15NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 100ma 250 @ 2MA, 5V 150MHz
SGR2N60UFDTM onsemi sgr2n60ufdtm -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 sgr2n 기준 25 W. TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 1.2A, 200OHM, 15V - 600 v 2.4 a 10 a 2.6V @ 15V, 1.2A 30µJ (on), 13µJ (OFF) 9 NC 15ns/80ns
CPH3237-TL-E onsemi CPH3237-TL-E 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 SC-96 900 MW 3-cph - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000 15 v 6 a 100NA (ICBO) NPN 120MV @ 60MA, 3A 250 @ 500ma, 2V 250MHz
NSBC124EPDXV6T5 onsemi NSBC124EPDXV6T5 0.0700
RFQ
 ECAD 624 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000
MUN2133T1 onsemi MUN2133T1 -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MUN2133 230MW SC-59 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 47 Kohms
2N4918G onsemi 2N4918G 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2N4918 30 w TO-126 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 40 v 1 a 500µA PNP 600mv @ 100ma, 1a 30 @ 500ma, 1V 3MHz
PN2222 onsemi PN2222 -
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 PN2222 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PN2222OS 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
KSE13003TATU onsemi KSE13003TATU -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSE13003 20 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400 v 1.5 a - NPN 3V @ 500MA, 1.5A 8 @ 500ma, 2v 4MHz
FDS6680S onsemi FDS6680S -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS66 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 11.5A, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2SC6099-E onsemi 2SC6099-E -
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SC6099 800MW TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 100 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 165MV @ 100MA, 1A 300 @ 100MA, 5V 300MHz
2SK4101FS-V-H onsemi 2SK4101FS-VH 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FGB7N60UNDF onsemi fgb7n60undf -
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FGB7N60 기준 83 w d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 7A, 10ohm, 15V 32.3 ns NPT 600 v 14 a 21 a 2.3V @ 15V, 7A 99µJ (on), 104µJ (OFF) 18 NC 5.9ns/32.3ns
FQI8N60CTU onsemi fqi8n60ctu -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA fqi8n60 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1255 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
FGPF70N30TDTU onsemi fgpf70n30tdtu -
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF7 기준 49.2 w TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 21 ns 도랑 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
NDS9933A onsemi NDS9933A -
RFQ
 ECAD 1819 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS993 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 2.8a 140mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5NC @ 4.5V 405pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC238ATA onsemi BC238ATA -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC238 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 250MHz
FDN86246 onsemi FDN86246 1.3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN862 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.6A (TA) 6V, 10V 261mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 75 v - 1.5W (TA)
FQB2N80TM onsemi FQB2N80TM -
RFQ
 ECAD 6130 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 2.4A (TC) 10V 6.3ohm @ 900ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 550 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 85W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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