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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | FQPF2N90 | - | ![]() | 1373 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF2 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 1.4A (TC) | 10V | 7.2ohm @ 700ma, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 500 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BC547TA | - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC547 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SK2631-TL-E-ON | 0.8200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 2SK2631 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 700 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB2P25TM | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB2 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 250 v | 2.3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 250 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||
![]() | SS9015BBU | - | ![]() | 6656 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | SS9015 | 450 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 v | 100 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 5ma, 100ma | 100 @ 1ma, 5V | 190mhz | ||||||||||||||||||
![]() | FMBA06 | 0.5300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | FMBA0 | 700MW | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80V | 500ma | 100NA | 2 NPN (() | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||
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![]() | FQB34P10TM | 3.0500 | ![]() | 4844 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB34P10 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 33.5A (TC) | 10V | 60mohm @ 16.75a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 25V | 2910 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 155W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2N5401_J61Z | - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5401 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,500 | 150 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 400MHz | ||||||||||||||||||
![]() | fqd7n10tm | - | ![]() | 6517 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD7 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 5.8A (TC) | 10V | 350mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 25V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
![]() | EMD5DXV6T1 | - | ![]() | 7075 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMD5DX | 500MW | SOT-563 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V / 20 @ 5MA, 10V | - | 4.7kohms, 47kohms | 10kohms, 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | NSBA124XDXV6T1G | 0.0698 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NSBA124 | 500MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 250mv @ 1ma, 10ma | 80 @ 5ma, 10V | - | 22kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | KSA1013RTA | - | ![]() | 4355 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | KSA1013 | 900 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 160 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50MA, 500MA | 60 @ 200ma, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C426NWFAFT1G | 2.9900 | ![]() | 1530 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 41A (TA), 235A (TC) | 10V | 1.3mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 128W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SK669K | 0.1000 | ![]() | 4144 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,843 | ||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2501NZ | - | ![]() | 6691 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET (금속 (() | 600MW | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 5.5A | 18mohm @ 5.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | 2SK3707-1E | - | ![]() | 7455 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SK3707 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3SG | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 20A (TA) | 4V, 10V | 60mohm @ 10a, 10V | - | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 20 v | - | 2W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
![]() | MPSA28_D27Z | - | ![]() | 1815 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSA28 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 v | 800 MA | 500NA | npn-달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4921NT3G | - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 8.8A (TA), 58.5A (TC) | 4.5V, 11.5V | 6.95mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 11.5 v | ± 20V | 1400 pf @ 12 v | - | 870MW (TA), 38.5W (TC) | ||||||||||||||
![]() | EC4301C-TL | 0.0600 | ![]() | 350 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5819-TL-E | 0.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,664 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3377-TL-W | - | ![]() | 2754 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MCH3377 | MOSFET (금속 (() | 3mcph | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 83mohm @ 1.5a, 4.5v | - | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 10V | 375 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||
![]() | NTMT190N65S3HF | 6.6500 | ![]() | 3892 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III, FRFET® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | MOSFET (금속 (() | 4-pqfn (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTMT190N65S3HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 430µA | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 1610 pf @ 400 v | - | 162W (TC) | |||||||||||||
![]() | FTD2017A-TL-E | - | ![]() | 3521 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZT3904 | - | ![]() | 3899 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | PZT390 | 1 W. | SOT-223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 40 v | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||
MJE340G | 0.6100 | ![]() | 2434 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | MJE340 | 20 W. | TO-126 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 300 v | 500 MA | 100µA (ICBO) | NPN | - | 30 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | fdu6n50tu | - | ![]() | 4389 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | FDU6 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 500 v | 6A (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 16.6 NC @ 10 v | ± 30V | 940 pf @ 25 v | - | 89W (TC) | |||||||||||||
![]() | NVMFS5C423NLWFAFT1G | 2.0400 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 31A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 50A, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 20 v | - | 3.7W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||
![]() | ATP404-TL-H | - | ![]() | 2956 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | atpak (2 2+탭) | ATP404 | MOSFET (금속 (() | atpak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 95A (TA) | 4.5V, 10V | 7.2MOHM @ 48A, 10V | - | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 6400 pf @ 20 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||
![]() | nvljws6d0n04cltag | 0.3652 | ![]() | 7658 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 6-powerwdfn | nvljws6 | MOSFET (금속 (() | 6-WDFNW (2.05x2.05) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvljws6d0n04cltagtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 15A (TA), 68A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 10A, 10V | 2V @ 34µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 46W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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