SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MJB44H11G onsemi MJB44H11G 1.5600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MJB44 2 w d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 80 v 10 a 10µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 50MHz
KSD1691YSTU onsemi KSD1691YSTU 0.7800
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSD1691 1.3 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,920 60 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 300mv @ 200ma, 2a 160 @ 2a, 1V -
NSS20501UW3T2G onsemi NSS20501UW3T2G 0.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-wdfn n 패드 NSS20501 875 MW 3-wdfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 5 a 100NA (ICBO) NPN 125mv @ 400ma, 4a 200 @ 2a, 2v 150MHz
NVMFS5C430NWFAFT3G onsemi NVMFS5C430NWFAFT3G 1.2421
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 35A (TA), 185a (TC) 10V 1.7mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 106W (TC)
SMMBTA14LT3G onsemi smmbta14lt3g 0.0653
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 smmbta14 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
NSCT3904LT1G onsemi NSCT3904LT1G -
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT39 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
NVMFS5C670NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G 2.0600
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 35a, 10V 2V @ 53µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 61W (TC)
KSP27BU onsemi KSP27BU -
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP27 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V -
FDMS9410L-F085 onsemi FDMS9410L-F085 -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn FDMS94 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 4.1mohm @ 50a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1960 pf @ 20 v - 75W (TJ)
NTD60N03T4 onsemi NTD60N03T4 -
RFQ
 ECAD 3168 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 28 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 24 v - 75W (TC)
FQP4N20 onsemi FQP4N20 -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 45W (TC)
NTD4809NH-1G onsemi NTD4809NH-1g -
RFQ
 ECAD 1576 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD48 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 9.6A (TA), 58A (TC) 4.5V, 11.5V 9MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 2155 pf @ 12 v - 1.3W (TA), 52W (TC)
BS170RLRA onsemi BS170RLRA -
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BS170 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 350MW (TA)
NJVMJD3055T4G onsemi NJVMJD3055T4G 1.0800
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJVMJD3055 1.75 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 60 v 10 a 50µA NPN 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4a, 4v 2MHz
FDH15N50 onsemi FDH15N50 -
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FDH15 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 150 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 380mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 25 v - 300W (TC)
2SC4523S-TL-E onsemi 2SC4523S-TL-E -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SC4523S-TL-E-488 1
NTMFS4120NT3G onsemi NTMFS4120NT3G -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 26a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 3600 pf @ 24 v - 900MW (TA)
MMBTA42LT1G onsemi MMBTA42LT1G 0.2200
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
KSC2073H2TU onsemi KSC2073H2TU 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSC2073 25 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-KSC2073H2TU 귀 99 8541.29.0095 50 150 v 1.5 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 60 @ 500ma, 10V 4MHz
BC857BLT3G onsemi BC857BLT3G 0.1200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
MJD31CT4 onsemi MJD31CT4 -
RFQ
 ECAD 1611 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 15 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJD31CT4OSTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
NTTFS4C55NTAG onsemi nttfs4c55ntag -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 - 8-wdfn (3.3x3.3) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 - - - - - -
FCH041N65EF-F155 onsemi FCH041N65EF-F155 14.5800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH041 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 76A (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10V 5V @ 7.6MA 298 NC @ 10 v ± 20V 12560 pf @ 100 v - 595W (TC)
NTD3055L170 onsemi NTD3055L170 -
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD30 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 9A (TA) 5V 170mohm @ 4.5a, 5V 2V @ 250µA 10 nc @ 5 v ± 15V 275 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 28.5W (TJ)
FJN4305RBU onsemi fjn4305rbu -
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) fjn430 300MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BC550 onsemi BC550 -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
NSVMMBT589LT1G onsemi NSVMMBT589LT1G 0.2169
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMBT589 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA PNP 650MV @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 100MHz
J310ZL1G onsemi J310ZL1g -
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) J310 100MHz JFET TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60ma 10 MA - 16db - 10 v
FCPF13N60NT onsemi fcpf13n60nt 3.6800
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 온세미 Supermos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF13 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 258mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 39.5 nc @ 10 v ± 30V 1765 pf @ 100 v - 33.8W (TC)
STD3155L104T4G onsemi STD3155L104T4G -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - STD31 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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