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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FDN338P onsemi FDN338P 0.4400
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN338 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.6A (TA) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 1.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 8V 451 pf @ 10 v - 500MW (TA)
NTD6600NT4 onsemi NTD6600nt4 -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD66 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TA) 5V 146MOHM @ 6A, 5V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 1.28W (TA), 56.6W (TC)
BDV65B onsemi BDV65B -
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 BDV65 125 w SOT-93 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 1MA npn-달링턴 2V @ 20MA, 5A 1000 @ 5a, 4V -
CPH6341-M-TL-E onsemi CPH6341-M-TL-E -
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-23-6 CPH6341 - 6-CPH - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 5A (TJ) - - - -
NTB5404NT4G onsemi NTB5404NT4G -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB54 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 167A (TC) 5V, 10V 40a, 40a, 10V 4.5mohm 4V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 32 v - 5.4W (TA), 254W (TC)
15GN01CA-TB-E onsemi 15GN01CA-TB-E -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 15GN01 200MW 3-cp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 8V 50ma NPN 200 @ 10ma, 5V 1.5GHz -
NVMFS4C05NT3G onsemi NVMFS4C05NT3G 1.7100
RFQ
 ECAD 8703 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 24.7A (TA), 116A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1972 pf @ 15 v - 3.61W (TA), 79W (TC)
NTP18N06G onsemi NTP18N06G -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP18N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP18N06GOS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 90mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 48.4W (TC)
2SC3746S onsemi 2SC3746S 0.4300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1
TN6729A_D75Z onsemi TN6729A_D75Z -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) TN6729 1 W. TO-226 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
2SD1816T-H onsemi 2SD1816T-H -
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SD1816 1 W. TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 100 v 4 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 200ma, 2a 200 @ 500ma, 5V 180MHz
SFT1446-TL-H onsemi SFT1446-TL-H -
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SFT144 MOSFET (금속 (() TP-FA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 700 n 채널 60 v 20A (TA) 4V, 10V 51mohm @ 10a, 10V 2.6v @ 1ma 16 nc @ 10 v ± 20V 750 pf @ 20 v - 1W (TA), 23W (TC)
2SJ609 onsemi 2SJ609 0.5500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 544
FQD4P25TF onsemi FQD4P25TF -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD4 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 3.1A (TC) 10V 2.1ohm @ 1.55a, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 420 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
NST3946DXV6T1 onsemi NST3946DXV6T1 -
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NST3946 500MW SOT-563 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 200ma - NPN, PNP 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz, 250MHz
FJPF13007TTU onsemi fjpf13007ttu -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FJPF13007 40 W. TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 8 a - NPN 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5V 4MHz
BC549BTF onsemi BC549BTF 0.4200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC549 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MPS6727 onsemi MPS6727 -
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS672 1 W. TO-92 (TO-226) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 40 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1a, 1v -
TIP29CTU onsemi tip29ctu -
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 29 2 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-TIP29CTU-488 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 1 a 300µA NPN 700mv @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v 3MHz
FDFMA2P853T onsemi FDFMA2P853T -
RFQ
 ECAD 4545 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비), 7 개의 리드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 7-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 435 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
NDB603AL onsemi NDB603AL -
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB603 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 25A, 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 50W (TC)
FDN357N onsemi FDN357N 0.5300
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN357 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 2.2a, 10V 2V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 20V 235 pf @ 10 v - 500MW (TA)
NTJS4405NT4G onsemi NTJS4405NT4G -
RFQ
 ECAD 7406 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJS44 MOSFET (금속 (() SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 25 v 1A (TA) 2.7V, 4.5V 350mohm @ 600ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 60 pf @ 10 v - 630MW (TA)
HUF75339P3 onsemi HUF75339P3 1.9500
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HUF75339 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2166-HUF75339P3-488 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 12MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
FDB6690S onsemi FDB6690S -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB669 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 42A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 21a, 10V 3V @ 1mA 15 nc @ 5 v ± 20V 1238 pf @ 15 v - 48W (TC)
NVD5C632NLT4G onsemi NVD5C632NLT4G 3.6700
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD5C632 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 29A (TA), 155A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 2.1V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 5700 pf @ 25 v - 4W (TA), 115W (TC)
NTD5862N-1G onsemi NTD5862N-1g -
RFQ
 ECAD 8850 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 98A (TC) 10V 5.7mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 115W (TC)
FDB045AN08A0-F085 onsemi FDB045AN08A0-F085 2.9546
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB045 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 19A (TA) 6V, 10V 4.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
NSVBC114EPDXV6T1G onsemi NSVBC114EPDXV6T1G 0.1154
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSVBC114 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V - 10kohms 10kohms
PN4393_D74Z onsemi PN4393_D74Z -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN439 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 14pf @ 20V 30 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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