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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
KSC1008GTA onsemi KSC1008GTA -
RFQ
ECAD 6383 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSC1008 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 200 @ 500ma, 2v 50MHz
FQU2N50BTU onsemi fqu2n50btu -
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu2 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 500 v 1.6A (TC) 10V 5.3ohm @ 800ma, 10V 3.7V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
2SJ306 onsemi 2SJ306 0.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SJ306 577
2SC4488S-AN onsemi 2SC4488S-an -
RFQ
ECAD 3119 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC4488 1 W. 3-nmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 40ma, 400ma 100 @ 100ma, 5V 120MHz
2N5401RLRMG onsemi 2N5401RLRMG -
RFQ
ECAD 2754 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2N5401 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
PZT2907A onsemi PZT2907A -
RFQ
ECAD 3468 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT290 1 W. SOT-223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
FQD6N40CTF onsemi fqd6n40ctf -
RFQ
ECAD 5461 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
FQA11N90 onsemi fqa11n90 -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 11.4A (TC) 10V 960mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250µA 94 NC @ 10 v ± 30V 3500 pf @ 25 v - 300W (TC)
TIP32ATU onsemi tip32atu -
RFQ
ECAD 5136 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 32 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 200µA PNP 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
FJP5027O onsemi FJP5027O -
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 fjp5027 50 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 800 v 3 a 10µA (ICBO) NPN 2V @ 300MA, 1.5A 20 @ 200ma, 5V 15MHz
MJ15022G onsemi MJ15022G 8.2800
RFQ
ECAD 437 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MJ15022 250 W. To-204 (To-3) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 200 v 16 a 500µA NPN 4V @ 3.2A, 16A 15 @ 8a, 4v 4MHz
EFC6601R-TR onsemi EFC6601R-TR 0.9400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, FCBGA EFC6601 MOSFET (금속 (() 2W EFCP2718-6CE-020 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) - - - - 48NC @ 4.5V - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
NSVMMBT6429LT1G onsemi NSVMMBT6429LT1G 0.3600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMBT6429 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 200 MA 100NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 500 @ 100µa, 5V 700MHz
NTMS4801NR2G onsemi NTMS4801NR2G -
RFQ
ECAD 5329 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS4801 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 2201 pf @ 25 v - 800MW (TA)
FJX3014RTF onsemi fjx3014rtf -
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 fjx301 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
NTGS3441T1 onsemi NTGS3441T1 -
RFQ
ECAD 1338 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NTGS34 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.65A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 480 pf @ 5 v - 500MW (TA)
MJE15030G onsemi MJE15030G 1.6700
RFQ
ECAD 7383 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE15030 50 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 150 v 8 a 100µA NPN 500mv @ 100ma, 1a 20 @ 4a, 2v 30MHz
BC307BBU onsemi BC307BBU -
RFQ
ECAD 2543 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC307 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 180 @ 2MA, 5V 130MHz
FJPF6806DTU onsemi fjpf6806dtu -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fjpf68 40 W. TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 750 v 6 a 1MA NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5V -
FJP13007H1TU onsemi FJP13007H1TU -
RFQ
ECAD 2659 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FJP13007 80 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 8 a - NPN 3v @ 2a, 8a 15 @ 2a, 5V 4MHz
BC640ZL1 onsemi BC640ZL1 -
RFQ
ECAD 2348 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BC640 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 150MHz
NTP85N03 onsemi NTP85N03 -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP85N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 28 v 85A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 24 v - 80W (TC)
KSH2955TM onsemi KSH2955TM -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH29 1.75 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 60 v 10 a 50µA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4a, 4v 2MHz
FJAF6806DYDTBTU onsemi fjaf6806dydtbtu -
RFQ
ECAD 8916 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 fjaf6806 50 W. to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 750 v 6 a 1MA NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5V -
2N5551TA onsemi 2N5551TA 0.3700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5551 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 100MHz
NTTFS5CS70NLTAG onsemi NTTFS5CS70NLTAG 2.0600
RFQ
ECAD 1977 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 NTTFS5 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
BCW66GLT1G onsemi BCW66GLT1G 0.2100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW66 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 20NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
MJB44H11G onsemi MJB44H11G 1.5600
RFQ
ECAD 57 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MJB44 2 w d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 80 v 10 a 10µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 50MHz
KSD1691YSTU onsemi KSD1691YSTU 0.7800
RFQ
ECAD 6714 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSD1691 1.3 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,920 60 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 300mv @ 200ma, 2a 160 @ 2a, 1V -
NVMFS5C430NWFAFT3G onsemi NVMFS5C430NWFAFT3G 1.2421
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 35A (TA), 185a (TC) 10V 1.7mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 106W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고