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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | NSV60200DMTWTBG | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NSV60200 | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 450MV @ 200MA, 2A | 150 @ 100MA, 2V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP099N60E | 6.3300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP099 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 37A (TC) | 10V | 99mohm @ 18.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 3465 pf @ 380 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FGB3440G2-F085 | - | ![]() | 7505 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, ECOSPARK® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FGB3440 | 논리 | 166 w | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | 400 v | 26.9 a | 1.2V @ 4V, 6A | - | 24 NC | 1µs/5.3µs | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3708S | 0.1000 | ![]() | 2663 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,325 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4806N-1g | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD48 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 11.3A (TA), 79A (TC) | 4.5V, 11.5V | 6MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2142 pf @ 12 v | - | 1.4W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | EC4401C-TL | - | ![]() | 4391 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-ufdfn | EC4401 | MOSFET (금속 (() | 4-ECSP1008 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 150MA (TA) | 1.5V, 4V | 3.7ohm @ 80ma, 4v | - | 1.58 nc @ 10 v | ± 10V | 7 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | fcpf21n60nt | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF21 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS5820NLTWG | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5820 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 8.7a, 10V | 2.3V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1462 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 21W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MJE3055TG | 0.9400 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MJE3055 | 75 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 10 a | 700µA | NPN | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4a, 4v | 2MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQB27N25TM-F085 | - | ![]() | 1227 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB27 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 25.5A (TC) | 10V | 131mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 417W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | ntmfd5c680nlt1g | 2.9300 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NTMFD5 | MOSFET (금속 (() | 3W (TA), 19W (TC) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 7.5A (TA), 26A (TC) | 28mohm @ 5a, 10V | 2.2V @ 13µA | 5NC @ 10V | 350pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDB2572 | 2.2000 | ![]() | 771 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB257 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 4A (TA), 29A (TC) | 6V, 10V | 54mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | BC640_J35Z | - | ![]() | 3821 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC640 | 1 W. | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSW51G | - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | MPSW51 | 1 W. | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100ma, 1a | 60 @ 100MA, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFMA2P029Z-F106 | 0.4795 | ![]() | 8053 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | FDFMA2 | MOSFET (금속 (() | 6 x 2 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2832-FDFMA2P029Z-F106TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.1A (TA) | 2.5V, 4.5V | 95mohm @ 3.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 12V | 720 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | CPH3110-TL-E | 0.1100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF19N10 | 1.3400 | ![]() | 797 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF19 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 13.6A (TC) | 10V | 100mohm @ 6.8a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 780 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC5964-S-TD-H | - | ![]() | 5445 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-243AA | 2SC5964 | 1.3 w | PCP | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 3 a | 1µA (ICBO) | NPN | 290mv @ 100ma, 2a | 200 @ 100ma, 2v | 380MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2205-E | - | ![]() | 9152 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | 2SA2205 | 800MW | TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100ma, 1a | 200 @ 100ma, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546BRL1 | - | ![]() | 1937 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | BC546 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 v | 100 MA | 15NA | NPN | 250mv @ 500µa, 10ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1061S | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | nttfs4c50ntag | 2.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS4 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 19.4A (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1816S-TL-EX | - | ![]() | 5770 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 700 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD682T | - | ![]() | 5310 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD682 | 40 W. | TO-126 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 4 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ngtb30n135ihrwg | - | ![]() | 9323 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NGTB30 | 기준 | 394 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 30A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 1350 v | 60 a | 120 a | 2.65V @ 15V, 30A | 850µJ (OFF) | 234 NC | -/250ns | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1111 | 0.4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN13003TA | - | ![]() | 4238 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | FJN130 | 1.1 w | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 1.5 a | - | NPN | 3V @ 500MA, 1.5A | 9 @ 500ma, 2v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SBC807-40LT3 | 0.0500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 6,662 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7694 | 0.8800 | ![]() | 6701 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS76 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 13.2A (TA), 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 13.2a, 10V | 3V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1410 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | SPZT2907AT1G | 0.4300 | ![]() | 5765 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SPZT2907 | 1.5 w | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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