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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FQPF27N25 onsemi FQPF27N25 2.6500
RFQ
ECAD 978 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF27 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 110mohm @ 7a, 10V 5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 30V 2450 pf @ 25 v - 55W (TC)
FQPF7P20 onsemi FQPF7P20 1.6100
RFQ
ECAD 3958 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF7 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 690mohm @ 2.6a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 770 pf @ 25 v - 45W (TC)
NTB52N10G onsemi NTB52N10G -
RFQ
ECAD 3680 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB52 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 52A (TC) 10V 30mohm @ 26a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 2W (TA), 178W (TC)
FDD6637 onsemi FDD6637 1.6600
RFQ
ECAD 5703 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD663 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 35 v 13A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 25V 2370 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 57W (TC)
NTJD1155LT2G onsemi NTJD1155LT2G 0.5400
RFQ
ECAD 934 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD1155 MOSFET (금속 (() 400MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 8V - 175mohm @ 1.2a, 4.5v 1V @ 250µA - - -
2SD1802T-E onsemi 2SD1802T-E 0.7900
RFQ
ECAD 846 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SD1802 1 W. TP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 50 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 0.5V @ 100MA, 2A 200 @ 100ma, 2v 150MHz
TIP100G onsemi TIP100G 1.2300
RFQ
ECAD 835 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TIP100 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 8 a 50µA npn-달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
FCH060N80-F155 onsemi FCH060N80-F155 18.1600
RFQ
ECAD 7046 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH060 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 800 v 56A (TC) 10V 60mohm @ 29a, 10V 4.5V @ 5.8ma 350 NC @ 10 v ± 20V 14685 pf @ 100 v - 500W (TC)
FDD8444L onsemi FDD8444L -
RFQ
ECAD 3112 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD844 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 16A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 50A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 20V 5530 pf @ 25 v - 153W (TC)
KSC3123OMTF onsemi KSC3123OMTF -
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC3123 150MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20dB ~ 23dB 20V 50ma NPN 90 @ 5MA, 10V 1.4GHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
EC4404C-TL onsemi EC4404C-TL 0.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000
FQPF12P10 onsemi FQPF12P10 -
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 8.2A (TC) 10V 290mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 38W (TC)
2SD1684S onsemi 2SD1684S 0.2900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1
J309G onsemi J309G -
RFQ
ECAD 4396 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 J309 100MHz JFET TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-J309G-ON 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30ma 10 MA - 16db - 10 v
NTD65N03RT4 onsemi NTD65N03RT4 -
RFQ
ECAD 5191 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 9.5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 20V 1400 pf @ 20 v - 1.3W (TA), 50W (TC)
KSC2330OBU onsemi KSC2330OBU -
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 KSC2330 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 300 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 20MA, 10V 50MHz
2SC4520S-TD-E onsemi 2SC4520S-TD-E 0.2000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,000
BF246B_J35Z onsemi BF246B_J35Z -
RFQ
ECAD 3850 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BF246 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 60 ma @ 15 v 600 MV @ 10 NA
NTD4806NA-1G onsemi NTD4806NA-1g -
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD48 MOSFET (금속 (() i-pak - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 11.3A (TA), 79A (TC) 6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v 2142 pf @ 12 v - -
MJD31T4 onsemi MJD31T4 0.2100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 15 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 40 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
2SC6098-TL-E onsemi 2SC6098-TL-E -
RFQ
ECAD 9169 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC6098 800MW TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 700 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) NPN 165MV @ 50MA, 1A 300 @ 100MA, 5V 350MHz
NTMS4802NR2G onsemi NTMS4802NR2G -
RFQ
ECAD 3226 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS4802 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 11.1A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 910MW (TA)
NVTFS5C454NLTAG onsemi NVTFS5C454NLTAG 1.5600
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 85A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 55W (TC)
FDT457N onsemi FDT457N 1.0000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FDT457 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 3W (TA)
DTA114Y onsemi DTA114Y 0.0200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 DTA114 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 1
MMBTA64LT1 onsemi MMBTA64LT1 -
RFQ
ECAD 1452 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MMBTA64 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
2N5953_J35Z onsemi 2N5953_J35Z -
RFQ
ECAD 8967 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5953 1kHz JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 5MA - - 2db 15 v
2SC3808 onsemi 2SC3808 -
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1
FDMC86244 onsemi FDMC86244 1.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC86 MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 2.8A (TA), 9.4A (TC) 6V, 10V 134mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 5.9 NC @ 10 v ± 20V 345 pf @ 75 v - 2.3W (TA), 26W (TC)
BVSS84LT1G onsemi BVSS84LT1G 0.4000
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BVSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 2.2 NC @ 10 v ± 20V 36 pf @ 5 v - 225MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고