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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | FQPF27N25 | 2.6500 | ![]() | 978 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF27 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 110mohm @ 7a, 10V | 5V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 30V | 2450 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7P20 | 1.6100 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 690mohm @ 2.6a, 10V | 5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 770 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NTB52N10G | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB52 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 52A (TC) | 10V | 30mohm @ 26a, 10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 20V | 3150 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 178W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | BF246B_J35Z | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BF246 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | - | 25 v | 60 ma @ 15 v | 600 MV @ 10 NA | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MJD31T4 | 0.2100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MJD31 | 15 w | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 40 v | 3 a | 50µA | NPN | 1.2v @ 375ma, 3a | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BVSS84LT1G | 0.4000 | ![]() | 3749 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BVSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 250µA | 2.2 NC @ 10 v | ± 20V | 36 pf @ 5 v | - | 225MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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