전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 전류 전류 (ID) - 최대 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC546TAR | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC546 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD210 | - | ![]() | 6160 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MJD21 | 1.4 w | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 75 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1.8v @ 1a, 5a | 45 @ 2A, 1V | 65MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N60NZ | 1.5500 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 온세미 | Unifet-II ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 4.5A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.25a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 25V | 600 pf @ 25 v | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF290N80 | 6.4900 | ![]() | 773 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF290 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4.5V @ 1.7ma | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 3205 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
BD679 | - | ![]() | 4174 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD679 | 40 W. | TO-126 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BD679OS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 v | 4 a | 500µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK715U-AC | - | ![]() | 7564 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-72 | 2SK715 | 300MW | 3- 스파 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 채널 | 15 v | 10pf @ 5V | 7.3 ma @ 5 v | 600 mV @ 100 µa | 50 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J304 | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | J304 | - | JFET | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | J304FS | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | n 채널 | 15MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSV12100UW3TCG | 0.3348 | ![]() | 5403 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-wdfn n 패드 | NSV12100 | 740 MW | 3-wdfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 440mv @ 100ma, 1a | 100 @ 500ma, 2v | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB601YTU | - | ![]() | 8427 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | KSB60 | 1.5 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 100 v | 5 a | 10µA (ICBO) | pnp- 달링턴 | 1.5V @ 3MA, 3A | 5000 @ 3A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4839NHT1G | - | ![]() | 5442 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 9.5A (TA), 64A (TC) | 4.5V, 11.5V | 5.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 43.5 nc @ 11.5 v | ± 20V | 2354 pf @ 12 v | - | 870MW (TA), 42.4W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT6521LT1G | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT6521 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 25 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 50ma | 300 @ 2MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3904_J18Z | - | ![]() | 7927 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N3904 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 v | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC2098QTF | - | ![]() | 3528 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | fjc20 | 500MW | SOT-89-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 20 v | 5 a | 500NA | NPN | 1V @ 100MA, 4A | 120 @ 500ma, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR420BTM | - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR4 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 2.3A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1.15a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 610 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
BD682TG | - | ![]() | 8641 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD682 | 40 W. | TO-126 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 4 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5400 | - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2N5400 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 120 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 40 @ 10ma, 5V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntmfd5c466nt1g | 1.6300 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | NTMFD5 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4C922NAT3G | 0.8003 | ![]() | 7091 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | NTMFS4 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTMFS4C922NAT3GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1835T-AA | - | ![]() | 9631 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2SD1835 | 750 MW | 3-NP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,500 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 1a | 100 @ 100ma, 2v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | sgr20n40ltf | - | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | sgr20 | 기준 | 45 W. | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 도랑 | 400 v | 150 a | 8V @ 4.5V, 150A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS5C410NLTT1G | 5.6800 | ![]() | 999 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TA), 330A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 143 NC @ 10 v | ± 20V | 8862 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATP101-V-TL-H | - | ![]() | 7760 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | atpak (2 2+탭) | ATP101 | - | atpak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 25A (TJ) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA113EDXV6T1G | 0.0698 | ![]() | 1848 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSBA113 | 250MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 250mv @ 5ma, 10ma | 3 @ 5ma, 10V | - | 1kohms | 1kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4416LT1G | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 30 v | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF44 | - | JFET | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | n 채널 | 15MA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS6H854NLTAG | 0.9100 | ![]() | 2043 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS6 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 10A (TA), 41A (TC) | 4.5V, 10V | 13.4mohm @ 10a, 10V | 2V @ 45µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 902 pf @ 40 v | - | 3.2W (TA), 54W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD24N08TF | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD2 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 80 v | 19.6A (TC) | 10V | 60mohm @ 9.8a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 750 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD12N10T4G | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | STD12 | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | 12A (TA) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN336P | 0.4500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN336 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 330 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP30N06 | 1.5100 | ![]() | 3788 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP30 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 40mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 945 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
IRF730 | 1.1400 | ![]() | 8412 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 74W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고