전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PZT2907AT3 | - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | PZT290 | 1.5 w | SOT-223 (TO-261) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | tip50tu | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TIP50 | 2 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-TIP50TU | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 v | 1 a | 1MA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300ma, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4H01NFT1G | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 54A (TA), 334A (TC) | 4.5V, 10V | 0.7mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 5538 pf @ 12 v | - | 3.2W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||
![]() | 2SA733P_D26Z | - | ![]() | 4089 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2SA733 | 625 MW | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10ma, 100ma | 200 @ 1ma, 6v | 50MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQPF65N06 | - | ![]() | 9212 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF65 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 40A (TC) | 10V | 16MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 25V | 2410 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BC859BLT3G | - | ![]() | 9343 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC859 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5461_D74Z | - | ![]() | 8501 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5461 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 7pf @ 15V | 40 v | 2 ma @ 15 v | 1 V @ 1 µA | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDD050N03B | - | ![]() | 6481 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD050 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 16V | 2875 pf @ 15 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FJP3305H2 | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FJP3305 | 75 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 v | 4 a | 1µA (ICBO) | NPN | 1v @ 1a, 4a | 26 @ 1a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | NSBC123EF3T5G | - | ![]() | 4623 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-1123 | NSBC123 | 254 MW | SOT-1123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 5ma, 10ma | 8 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | BC846ALT1 | - | ![]() | 5122 | 0.00000000 | 온세미 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | BC846 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5401YTA | 0.3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5401 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 150 v | 600 MA | - | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 400MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC80816MTF | - | ![]() | 3969 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC808 | 310 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 800 MA | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MJ11028G | 20.2600 | ![]() | 590 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | MJ11028 | 300 w | To-204 (To-3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 60 v | 50 a | 2MA | npn-달링턴 | 3.5v @ 500ma, 50a | 1000 @ 25a, 5V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5457_D75Z | - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5457 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 7pf @ 15V | 25 v | 1 ma @ 15 v | 500 mV @ 10 NA | ||||||||||||||||||||||
BD135G | 0.8500 | ![]() | 68 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD135 | 1.25 w | TO-126 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | fqa6n80 | - | ![]() | 1717 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA6 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 6.3A (TC) | 10V | 1.95ohm @ 3.15a, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 1500 pf @ 25 v | - | 185W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | MUN2230T1G | 0.0416 | ![]() | 5510 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2230 | 338 MW | SC-59 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 5ma, 10ma | 3 @ 5ma, 10V | 1 KOHMS | 1 KOHMS | |||||||||||||||||||
![]() | NSS60100DMTTBG | 0.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NSS60100 | 2.27W | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 60V | 1A | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 300mv @ 100ma, 1a | 120 @ 500ma, 2V | 155MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5458G | - | ![]() | 8365 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 135 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2N5458 | 310 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N5458GOS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 7pf @ 15V | 25 v | 2 ma @ 15 v | 1 V @ 10 NA | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3383S-AA | 0.0600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqb6n60ctm | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB6 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.75a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 810 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | hufa75344p3 | - | ![]() | 6820 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | hufa75 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | hufa75344p3-ndr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 210 nc @ 20 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 285W (TC) | |||||||||||||||
![]() | NTMFS4835nt1g | - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4835 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 130A (TC) | 4.5V, 11.5V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 52 NC @ 11.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 12 v | - | 890MW (TA), 62.5W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FDMC7680 | 1.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | FDMC76 | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 14.8A (TA) | 4.5V, 10V | 7.2MOHM @ 14.8A, 10V | 3V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2855 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 31W (TC) | |||||||||||||||
![]() | CPH6424-TL-E | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-CPH6424-TL-E-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUN5240T1G | 0.0252 | ![]() | 8062 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | mun5240 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250mv @ 1ma, 10ma | 120 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD6670AL | - | ![]() | 8481 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD667 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 84A (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 56 NC @ 5 v | ± 20V | 3845 pf @ 15 v | - | 83W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | MCH6627-TL-E | - | ![]() | 9291 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MCH6627-TL-E-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5459_D27Z | - | ![]() | 1799 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5459 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 7pf @ 15V | 25 v | 4 ma @ 15 v | 2 V @ 10 NA |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고